光刻工艺流程分析

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1、光刻就是将集成电路结构图形制作在光削(Mask)上.然后将光削上的图形转卬在涂布仃光阻薄膜的晶恻上.经过穿过光罩光线的照射以及显影处理，光阻层便可呈现出与光罩上相同图形结构，并可将图形尺寸适当地缩小，以便在晶@1上制造出许实相同电路结构的集成电路产品。2.2光刻流程介绍晶圜由常膜工艺,在晶圆表面长膜后,进入光刻工艺。简单的来说,光刻制程分为四大部分：涂布、曝光、显影、检测丨;>(LlcaiIIiDillusion)0：生磁細I(CMP)U>淸洗(Ckan)渚洗离子注入(Implant)图2

2、・1晶働流程具体的晶恻光刻流程如下：1.脱水(DEHYDRATION),用加热法去掉晶圆的水分2.粘附(ADHERSION).用粘附济(HMDS)涂在晶圆表面以增加粘附性。3.冷却(COOLING),把晶［01冷却到宅温。4.涂胶(涂ftjING),把晶岡涂上一层光阻胶。5.预AIUSOEIBAKE),用加热法把光阻中的溶剂蒸发掉。6.冷却(COOLING),把晶圆冷却到室温-7.曝光(EXPOSURE),将光罩上的图形转印在涂布有光阻薄膜的晶圆上。&曝光后Z烘烤(PEB),11的是减少驻波-9.冷却(COOL

3、ING),把晶恻冷却到宅温o10.显影(DEVELOPING).显现图形。11.后烘(HARDBAKE)•使光阻彼化。12.冷却(COOLING),把晶恻冷却到空温。图2-2光刻流程3.1ACTS介绍涂布曝光机是光刻制程中重要的设备•它担负着光刻制程中多个角色。涂布曝光机匸要便用的是TokyoEleclmnl：产的CleanfrackAC1S/12熨号的涂布曝光机。卜文将以CleanTrackACT8为例介绍涂布曝光机在光刻制程中的作用□CleiinTrack在这些制程中主要用于促进附着、涂布、前烘烤、显彤、与

4、后烘烤。CleanTrack类型系统内的一般名词是光阻处理设备（涂布机、显影机、烘烤设备CleanTrackAC18采用微电脑控制,以晶舟对晶舟（carrier-lo-carrier）的方式，广I动持续处理照相卬刷的程序。卜列是管理CleanTrack内每一光刻卬刷制程的模组曲。表光刻卬刷制程的模组制程名称模组名称附着力促进膜涂布Adhesionprocessstation涂布Coalprocessslation預先烘烤Low-tcrnperaturehotplateprocessstation显影Devebp

5、processslation事后烘烤Low-lernperalurehotplatepnieessstation3.2系统组成Cle

6、模块（堆栈）,这是传统设备难以获得的成果-ACT8®除了制程区域机械手臂水平移动轴Y,采用晶圆同时更换功能.增加了处理量。借着废除晶圆内用以处理晶圆的完全真空,并缩小在晶圆搬送过程中的接触表面,业已大幅减少在晶EI卜•面产生的颗粒数s：oa为制程区域机械于臂具有3支钳子,可为热处理模块提供单一的晶IMI搬送T-V!，泊除品圆在涂布Z前的受热效果，而且将薄膜厚度的不均一性显小化。ACT8是完全密闭的系统.nJ以防II•.因为外部干扰而影响制程・向且因为能控制系统内的气流，能提供更洁净的环境Systemairflo

7、wcontrol图3・1系统风向图3.3模块组成TokyoElectronCleanTrackACJS的展本组态包括3种区域的组合。品则区域(CSB)储存晶圆舟。制程区域(PRB)包括用以执行晶圆处理的制程模块□interface区域(IIB)负责将品恻搬送到Seaimc「设备(曝光系统)。331晶舟区域(CSB)这种组态内的其它设备包括:用以操作ACT8的±操作面板、控制ACT8内所有设备的控制器盒F.在晶舟区域底部还有•用以安装光阻瓶和光阻泵的化学品区域。将晶圜流程向控制器盒子注册Z后，晶舟区域就成为晶圆处

8、理开始打结束所在的区域。基本的处理流程如K：以晶舟区域机械r^(CRA)将晶岡从晶舟(由操作员置于晶舟台上)搬送到制程区域(PRB),晶同在制程区域处理完成Z后，以乎臂接收晶恻，然后将晶恻送回晶舟区域内的晶射。(¥13-2ACT8机构示意图3.3.2制程区域(PRB)旋转制程模块使用具仃2个垂直层级的新式堆栈恪式o两个旋转制程模块可以安装于制程区域的上层与底层，制程区域内最多可以安装4