华科光探复习总结

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1、1、入射光辐射直接与光电材料中的电子相互作用，改变电子的能量状态，从而引起各种电学参量的变化，称为光电效应。（光谱响应有选择性）分为内光电效应和外光电效应。2、内光电效应：被光激发所产生的的载流子（口由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电学性质发生改变的现象。3、外光电效应：被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象4^光电效应包括光电导效应、光伏效应、光电子发射效应（外光电效应）、光子牵引效应和光电磁效应。5、光电导效应：当半导体材料受光照时，对光子的吸收引起载流子浓度的变化，导致材料电导率变化。分为木

2、征光电导效应和非木征光电导效应。A（///»）=1.24/£*d6、本征光电导效应：°'尸7、非本征（杂质）光电导效应:A）（如）=1・24/&（羽）8、光伏效应：PN结受到光照时，PN结的两端产生电势差。9、外光电效应：光电子发射效应：金属或金属半导体受到光照时，电子从材料农面逸出。10、热电效应：入射光和材料的晶格相互作用，晶格吸收光能而增加振动能量，引起材料的温度上升，从而使材料的电学参量发生变化。特点是频谱范围宽，无选择性。11、热电效应包括电阻温度效应（物体吸收光辐射后温度升高导致电阻发生改变）和温差电效应（第

3、一效应：塞贝克效应：两种不同的导体或半导体组成闭合冋路，两节点的温度不同，产生了温差电动势，闭合回路中产生连续电流）和热释电效应（热电晶体材料受光照射温度升高，在晶体的特定方向上由于自发极化随温度变化而引起表面电荷的变化）。«（a）光子效应分类效应相应的探测器外光电效应①光阴极发射光电子（PE-PhotoEmission）光电竹②光电子倍堆1打拿极倍增(Dynode)光电借增ff(PMT-PhotoMultiplierTube)通ill电子倍iti(MCP-MicrochannelPlates)像增强管(imageint

4、ensifiers)内光电效应（D光电导（本征和非本征）（PC-Photoconductive）光孑竹成光敏电SIphotoconductor②光生伏特（PV-PhotoVoltaic）PN结和PIN结（事僞）PN结和PIN结（反偏）肖待墓势金（SBD-SchottkyBarrierPt光电池Solarcoll(photocell)光电二极管PhotoDiode您崩光电二极(APD-AvalanchePhotoDiode)lotoDiode)肖待里势伞光电二极管③光电磁（PEM・photoelectromagnetic）

5、光电磁探测器（4）光子卒引（photondrageffective）（光子牵引蟀淒器«（b）光热效应分类相应的探测器辐电电导测负正flmIOOI但•I•1cC②温差电（seebeckeffect）③热释电④其他辐射度参翼光度佥蠹复的名称■的符号量的定义单位符号（单位名亦）量的名称的号*符嚴的定义单位符号（单位名你）福能QuJ［焦（耳〉］光量Qvlm*s〔减（明）秒］辐通It（辐功率）叭岛_dQeW［瓦（特）］光通量（光功率）5lm［流（明刀辐岀度MeW/m光谱效率函数，光谱光视效能km①”一«〃亠尹⑷普朗克定律（普朗克辐

6、射公式）。描述黑体光谱辐射出度与波长、绝对温度Z间的关系:［瓦〈转〉每平方米］光出度MvM七lxn/m2「淹（明1M乎方米1辆强度人iednW/sr［瓦（特）每球面度］发光强度/v_dCv人一dD—cd[(坎:徳拉]辐亮度Le£—人SdAcos^一环W/（sr・m‘）〔瓦（特）毎球面度平方米］光亮度■Lv.二JvcLAcosad2®cd/m2［（坎）徳拉毎平方米］dHcLAcos^dOdAcos^辐照度氏E*SdAW/m2［瓦（特）每平方米〕光照度EvF_処EvdAbe［勒（克司）］細照履He匕=J：EdJ/m2［焦（耳

7、）每平方米］曝光量H.訂;Edlx«s［勒（克司）秒：2/rhc2才(严"_1)黑体峰值辐出度…=.2862x10计叶T式中，M.b（hT）黑体光谱辐射岀射度，W-cm'•pnT：；A—指定的辐射波长（pm）：T——黑体的热力学温度0K；h——普朗克常数・人=(6・6256±O.0005)X10-J4W-s*；k——波尔兹曼常数^=(1.38054±0.00018)X10-nW•s・K"；c——光在真空中的传播速度Y=2・99793X10%m・s*:ci——第一辐射常数，g=(3.7415±0.0003)X104W•pi

8、n?•cm3C——第二辐射常数虫2=(1・43879±0.00019)X104pm•K。3、求黑休的总辐射出度，即斯蒂芬■波尔滋蔓定律:几_28984、韦恩位移定律：黑体最大光谱辐射出度的峰值波长与绝对温度Z间的关系：Tnm1、光电探测器的性能参数（普遍而言）2、有关响应方面的性能参数（乂叫灵敏度）:■定义：光电探测