[工学]金属化膜电容器发热的计算与分析

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1、学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名:年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保障、使用学位论文的规定,同意学校保留并向有关学位论文管理部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权省级优秀学士学位论文评选机构将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论

2、文。本学位论文属于1、保密口,在年解密后适用本授权书。2、不保密口。(请在以上相应方框内打“丁”)导师签名:作者签名:年月曰年月FI毕业设计[论文]题目:电介质薄膜发热的计算与分析Title:TheThermalRatingandAnalysisofDielectricFilm院系:电气与电子工程学院专业:电气工程及其自动化姓名:指导教师:20XX年X月X日摘要:金属化膜电容器在电场作用下,电容器电极电阻和介质损耗(即等效串联电阻)的存在而使电容器发热。其中一部分热量散发到周围环境中去。另一部分热量则使电容器内部的温度升高。这就可能导致电容器的

3、电学性能发生变化。同时,长期受热可使介质加速老化,缩减寿命,严重时可发展为热击穿,导致电容器损坏。另外在脉冲放电下,金属化膜电容器的发热述会影响通流能力和耐压能力,对相关设备的稳定运行有极大的影响。金属化膜电容器的热计算主要是对既定的产品结构,计算其在一定的运行条件下的温升,通常指电容器达到热平衡后,材料各关键部位到环境的温升,特别是介质最热点到外壳和外壳到环境的温升。本文首先探讨了金属化膜电容器发热的来源以及影响金属化膜电容器发热的因素,以及在重复频率脉冲的作用下的来源和主导因素;第二步通过建立重复频率脉冲模型;第三步通过构建金属化膜电容器的

4、结构模型来确定传热计算的模型从而运用相应的传热学理论来计算内部温升和外部散热;第四步运用一些典型的具体数值来计算一些具体的金属化膜电容器的发热问题;最后通过对比分析计算结果以及研究已有的资料数据得出有关金属化膜电容器发热的一些基本结论。关键词:金属化膜电容器温升散热发热功率传热系数Abstract:Whenametalizedfilmcapacitorisoperatingunderelectricfield,capacitorwillbeheatedbecauseoftheelectroderesistanceanddielectriclos

5、s(equivalentseriesresistance).Onepartoftheheatdissipatestotheoutside,theotherpartcontributesthecapacitorinternaltemperaturerise.Thismayleadtochangesintheelectricalpropertiesofcapacitors.Long-termheatmakesmediaaccelerateaging,reduceslifeexpectancy・Whenserious,itmaydeveloptoth

6、ermalbreakdownandresultindamageofcapacitors.Heatingofmetalizedfilmcapacitorshasagreatimpactonthethrough-flowcapacityandvoltageresistancecapacity,andalsothestableoperationoftheequipment.Thethermalratingofametalizedfilmcapacitorismainlyforestablishedproductstructure・Underspeci

7、ficoperatingconditions,thetemperatureriseisoftenreferredtothatthecapacitorhasreachedthermalequilibrium,thetemperatureriseofthethekeypointstotheenvironment,andinparticularthetemperatureriseisthemedia'shottestspotstothehousingandthehousingtotheenvironment.Thisarticlefirstlydis

8、cussesheatingsourcesandfactorsofmetalizedfilmcapacitorsthataffecttheheatofm

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