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《DB37T3142-2018小径管焊接接头相控阵超声检测技术规程》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、ICS77.040.01N77DB37山东省地方标准DB37/T3142—2018小径管焊接接头相控阵超声检测技术规程TechnicalregulationofPhased-arrayUltrasonicTestingforweldedjointsofsmalldiameterpipe2018-02-13发布2018-03-13实施山东省质量技术监督局本标准按照GB/T1.1所给出的规则起草。本标准由山东省质量技术监督局提出并归口。本标准起草单位:中国电建集团山东电力建设第一工程有限公司、山东丰汇工程检测有限公司、山东省特种设备协会、神华国能山东建设集团有限公司、中国石化总公司济南炼油厂、华
2、电国际电力股份有限公司邹县发电厂、山东科捷工程检测有限公司、武汉中科创新技术股份有限公司。本标准主要起草人:王耀礼、杜传国、顾显方、张波、郭怀力、苏敏、张勇、徐学塑、郭相吉、丁成海、齐高君、梁玉梅、魏玉忠、李向前、徐祇宏、苑广存、林光辉、戴宪洲、鞠焕强、王敬昌。小径管焊接接头相控阵超声检测技术规程1范围本标准规定了钢制承压设备小径管焊接接头相控阵超声检测方法及质量评定。本标准适用于外径32mm〜89mm,壁厚为4nun〜20mm钢制承压设备全熔化焊小径管焊接接头的检测。对厚度大于或者小于以上范围的工件,若经过工艺验证试验,能够满足检测灵敏度要求的,可参照木标准内容。2规范性引用文件下列文件对
3、于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T9445无损检测人员资格鉴定与认证GB/T12604.1无损检测术语超声检测GB/T29302-2012无损检测仪器相控阵超声检测系统的性能与检验GB/T32563-2016无损检测超声检测相控阵超声检测方法NB/T47013.3—2015承压设备无损检测DL/T820管道焊接接头超声波检验技术规程JB/T11731—2013无损检测超声相控阵探头通用技术条件JJF1338-2012相控阵超声探伤仪校准规范3术语和定义下列术语和定义适用于
4、本标准。3.1坐标coordinates规泄检测起始参考点0点以及X、Y和Z坐标的含义,如图1所示。0:设定的检测起始参考点Y:沿焊缝宽度方向的坐标X:沿焊缝长度方向的坐标Z:沿焊缝片度方向的坐标3.2扫查面seanningsurface放置探头的工件表面,超声波声束从该面进入工件内部。如图1中的X0Y面。3.3相关显示reIevantindication由缺陷引起的显示为相关显示。3.4非相关显示non-relevantindication由于工件结构(例如焊缝余高或根部)或者材料冶金结构的偏差(例如金属母材和覆盖层界面)引起的显示为非相关显示。3.5聚焦法则focaIIaw通过控制激发品
5、片数量,以及施加到每个品片上的发射和接收延时,实现波束的偏转和聚焦的算法或相应程序。3.6角度增益修正angIecorrectedgain使扇形扫描角度范围内不同角度的声束检测同一深度相同尺寸的反射体冋波幅度等量化的增益补偿。也称做角度修正增益或ACG。3.7时间增益修正timecorrectedgain对不同声程处相同尺寸反射体的冋波进行增益修正,使之达到相同幅值,也称做TCG。3.8相控阵超声检测phasearrayultrasonictesting将按一定规律排列的相控阵探头中多个压电元件(晶片),按预先规定的设置(延吋、增益、振幅等)激发,利用被激发晶片发射(或接收)的偏转和聚焦声束
6、检测工件中的缺陷,并対缺陷进行成像。在一定范围内,相控阵超声能有效控制发射(或接收)声束在材料中的偏转和聚焦,为确定缺陷的形状、大小和方向提供了比单个探头系统更强的检测能力。3.9扇形扫描sectorscanning采用特定的聚焦法则激发相控阵探头中的部分相邻或全部晶片,使激发晶片组形成的声束在设定的角度范围内以一定的步进值变换角度扫过扇形区域。也称作变角度扫描或S扫描。3.10线性扫查Iinearscanning/(((((((((((((b)采用两个相控阵探头的线性打查线性扫查是指探头在距焊缝边缘(或焊缝屮心)一定距离的位置上,平行于焊缝方向进行的直线移动,也叫沿线扫查,如图2所示。Q)
7、采用一个相控阵探头的线性打查图2线性扫查3.11栅格扫查multiplescan多次沿线扫查,探头按照栅格式的轨迹行进,以实现对检测部位的全面覆盖或多重覆盖。3.12主动孑L径activeaperture主动孔径(A)是相控阵探头激发晶片数的有效长度。主动孔径长度按照公式仃)计算,如图3所示。A=nxe+gx(n-l)式中:A—主动孔径n—晶片数量e—晶片宽度g—晶片间隙P9AA—主动孔径g—相邻晶片之间的间
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