CMOS运算放大器的设计与仿真

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1、中文摘要通过CMOS运算放大器设计与仿真这一课题的研究，能更深刻的理解其构造，工作原理，以及各电性指标的意义和测试方法。进一步的掌握在不同放大电路中所选用的运算放大器的特性。选择放大器在今天是一个相当复杂的事情。其部分原因在于，系统设计要求的多样性，以及电路配置的多重性，不同的放大器产品根据应用领域的不同需要在性能上进行折衷。每一种应用都是一个不同技术指标的组合体，所以其使用的放大器数量也将不断增加才能满足其要求。与原來的运算放大器相比,今天的产品扩展了带宽、降低了电源电压、减小了功耗电流、节省了PCB面积而且降低了成本。随着对信噪比(SNR)要求的增加，以及实际信号处理在家用电器和工业设备中

2、得到越来越广泛的应用，这种趋势还将继续发展。关键词:电性指标测试方法放大特性ABSTRACTCMOSoperationalamplifiersthroughthedesignandsimulationstudyofthistopictoadeeperunderstandingofitsstructure,workingprinciple,aswellasthesignificanceofelectricalindicatorsandtestingmethods.Furtherinthehandsofthedifferentselectionofamplifierintheop-ampchara

3、cteristics.Choiceofamplifiersintodayisaverycomplexissue.Partofthereasonliesinthefactthatthediversityofsystemdesignrequirements,aswellasmultiplecircuitconfigurations,differentamplifierproductsinaccordancewiththedifferentneedsofapplicationsonacompromiseinperformance.Eachapplicationisadifferentcombinat

4、ionoftechnicalindicators,sotheuseoftheamplifierwillcontinuetoincreasethenumbertomeetitsrequirements.Withtheoriginalop-ampascomparedtotoday'sproductextendsthebandwidthandreducethesupplyvoltagereducesthepowerconsumptioncurrent,savingPCBspaceandreducescosts.Asthesignaltonoiseratio(SNR)increaseindemand,

5、aswellastheactualsignalprocessinginhomeappliancesandindustrialequipmenthavebeengrowingawiderangeofapplications,thistrendwillcontinuetodevelop.Keyword：electricalindicatorstestingmethodsamplifierop-ampcharacteristics.第1章引言1第2章MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）22.1N沟道增强型MOSFET22.1.1结构特征：32.1.2工作原理：32.1.3输出特性曲线：62.

6、1.4转移特性曲线:iD二f%）

7、VD5二常数62.2N沟道耗尽型MOSFET82.2.1结构与原理：82.2.2静态特性曲线92.3FET的偏置电路112.3.1偏置电路的作用:112.3.2FET偏置电路的共同规律：112.3.3FET放大偏置规律:112.3.4自给偏压电路：122.3.5混合偏压电路142.4FET交流参数与小信号模型152.4.1交流参数152.4.2FET的小信号模型162.5FET基本放大器182.5.1共源CS放大器：解题方法182.5.2共漏放大器（源极输出器）212.6FET和BJT的比较262.6.1三个电极的对应关系:26第3章HSPICE272.1HS

8、PICE简介273.2HSPICE的特点与结构272.3HSPICE的输入与输出文件303.3.1文件名的后缀302.3.2输入网表文件312.3.3输岀列表文件312.3.4数值比例因子322.4直流工作分析语句332.4.1直流工作点分析・0P333.4.2直流扫描分析・DC342.4.3直流灵敏度分析.SENS353.4.4直流小信号岀数函数分析・TF363.4.5极/零点分析.PZ363.