无机材料科学基础综合测试卷8

无机材料科学基础综合测试卷8

ID:43596937

大小:122.48 KB

页数:8页

时间:2019-10-11

无机材料科学基础综合测试卷8_第1页
无机材料科学基础综合测试卷8_第2页
无机材料科学基础综合测试卷8_第3页
无机材料科学基础综合测试卷8_第4页
无机材料科学基础综合测试卷8_第5页
资源描述:

《无机材料科学基础综合测试卷8》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库

1、安徽建筑工业学院课程考试试题册无机材料科学基础试卷八一、名词解释(20分)1>类质同晶、同质多晶;2、点缺陷、热缺陷;3、缩聚、解聚;4、聚沉值、晶面指数;二、选择题(10分)1>依据等径球体的堆积原理得出,立方密堆积的堆积系数()体心立方堆积的堆积系数。A、大于B、小于C、等于D、不确定2、晶体在三结晶轴上的截距分别为2a、3b、6c。该晶面的晶面指数为()。A、(236)B、(326)C、(321)D、(123)3、下列性质中()不是晶体的基本性质。A、自限性B、最小内能性C、有限性D、各向异性4、在单位晶胞的CaF2晶体中,其八面体空隙和四

2、面体空隙的数量分别为()。A、4,8B、8,4C、1,2D、2,45、6、7、1/3AI2SiO3+可视为(),玻璃结构参数一种玻璃的组成为Na2O2Q2,此玻璃中的AIA、变性离子;2B、形成离子;2C、变性离子;3.5D、形成离子;3.52・4+O作稍有变形的立方密堆排列,Ti填充了()。Y=金红石晶体中,所有A、全部四面体空隙B、全部八面体空隙C、”2四面体空隙D、1/2A面体空隙滑石(3MgO・4SiO2-H2O)和高岭土(AI2O3-2SiO2-2H2O)分别属于()层状结构的硅酸盐矿物。B>2:1和1:1C>3:1和2:1R=O/Si

3、减小时,相应熔体组成和性质发生变化,熔体析晶能力),低聚物数量(C、不变D、不确定A、1:1和2:1在硅酸盐熔体中,当(),熔体的黏度(A、增大B、减小9、当固体表面能为12J/nf'液体表面能为°・9J/m2,液固界面能为1.1J/m2时增加固体表面光滑度,()润湿性能。A、降低B、改善C、不影响10、粘土泥浆胶溶必须使介质呈()A、酸性B、碱性C、中性11>晶体结构中一切对称要素的集合称为()。A、对称型B、点群C、微观对称的要素的集合D、空间群12、可以根据3T曲线求出熔体的临界冷却速率。熔体的临界冷却速率越大,就()形成玻璃。A、越难B、

4、越容易C、很快D、缓慢三、填空(15分)安徽建筑工业学院课程考试试题册1>黏土带电荷的主要原因是()、()和(),黏土所带静电荷为()。2、晶体的对称要素中微观对称要素种类有()、()、()。3、由于()的结果,必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”,组分缺陷的浓度主要取决于:()和()。4、U02+x在氧化气氛中可形成()型非计量化合物,可形成()型半导体,缺陷浓度与氧分压的1/6次方成(),如果减少周围氧气的分压,U02+x的密度将()。5、P写位错线()的位错称为刃位错,可用符号()表示;百专位错线()的位错称为螺位错,可用符号()表示。006

5、、a=b工ca=ySs90^^20的晶体属()晶系。7、立方紧密堆积的原子密排面是晶体中的()面,六方紧密堆积的原子密排面是晶体中的()面。&为使瘠性料泥浆悬浮,一般常用的两种方法是()和()四、问答题(40分)简述硅酸盐晶体结构分类的原则和各类结构中硅氧四而体的形状。(12分)2、试述B2O3中加入NazO后,结构发生的变化,解释硼酸盐玻璃的硼反常现象?(9分)3、用KCI和CaCb分别稀释同一种黏土泥浆,当电解质加入量相同时,试比较两种泥浆下列性质的差异。(40分)(1)泥浆的流动性(2)泥浆的触变性(3)泥浆的可塑性(4)坯体的致密度(5)

6、黏土的〔电位4、在硅酸盐晶体结构中,[SiO4]四面体或孤立存在,或共顶连接,而不共棱,更不共面,解释之。(9分)五、计算题(15分)CeO2为萤石结构,其中加入0.15molCaO形成固溶体,实验测得固溶体晶胞参数n「°讪羽田、六扶宓舌—S试计算说明固溶体的类型?(其中a3=0.542nm,测得固浴体岀度俨6・54g/cmCe=140.12,Ca=40.0&0=16)安徽建筑工业学院课程考试试题册共4页第3页无机材料科学基础试卷八答案及评分标准二、名词解释(20分)1>类质同晶、同质多晶;同质多晶:化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下结晶成

7、结构不同的晶体的现象,称为同质多晶现象。(2.5分)类质同晶:物质结晶时,其晶体结构中本应由某种离子或原子占有的配位位置,一部分被介质中性质相似的它种离子或原子占有,共同结晶成均匀的呈单一相的混合晶体,但不引起键性或晶体结构型式发生质变的现象称为类质同晶。(2.5分)2、点缺陷、热缺陷;点缺陷:三维方向上缺陷尺寸都处于原子大小的数量级上。(2.5分)热缺陷:晶体温度高于绝对0K时,由于热起伏使一部分能量较大的质点(原子或离子)离开平衡位置所产生的空位和/或间隙质点。(2.5分)3、缩聚、解聚;聚合:由分化过程产生的低聚合物,相互作用,形成级次较高

8、的聚合物,同时释放出部分NazQ这个过程称为缩聚,也即聚合。(2.5分)解聚:在熔融SiO2中,O/Si比为2:1,[SiO4]连接成架

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。