半导体复习参考精彩试题

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1、实用标准一、填空题1.自由电子的能量与波数的关系式为（），孤立原子中的电子能量（大小为的分立能级），晶体中的电子能量为（电子共有化运动）所形成的（准连续）的能带。2.温度一定时，对于一定的晶体，体积大的能带中的能级间隔（小），对于同一块晶体，当原子间距变大时，禁带宽度（变小）。3.玻尔兹曼分布适用于（非简并）半导体，对于能量为E的一个量子态被电子占据的概率为（），费米分布适用于（简并）半导体，对于能量为E的一个量子态被电子占据的概率为（），当EF满足（）时，必须考虑该分布。4.半导体材料中的（能带结构（直接复合））、（杂质和缺陷等复合中心（间接复合））、（样品形状和表面状态（表面复合））等会影

2、响非平衡载流子的寿命，寿命值的大小反映了材料晶格的（完整性），是衡量材料的一个重要指标。5.Si属于（间接）带隙半导体。导带极小值位于布里渊区的（<100>方向）上由布里渊区中心点Г到边界X点的（0.85倍）处，导带极值附近的等能面是（长轴沿<100>方向的旋转椭球面），在简约布里渊区，共有（6）个这样的等能面。6.Ge属于（间接）带隙半导体。导带极小值位于布里渊区的（<111>方向）上由布里渊区边界L点处，导带极值附近的等能面是（长轴沿<111>方向的旋转椭球面），在简约布里渊区，共有（4）个这样的等能面。7.GaAs属于（直接）带隙半导体。导带极小值位于布里渊区中心点Г处，极值附近的等能面

3、是（球面），在简约布里渊区，共有（1）个这样的等能面。在布里渊区的（<111>方向）边界L点处，存在高于能谷值0.29eV的次低能谷，简约布里渊区一共有（8）个这样的能谷。8.Si、Ge和GaAs能带结构的共同点：1)禁带宽度具有负温度系数2)价带顶位于布里渊区中心，k=0处，等能面不是球面，有轻重空穴之分。9.有效质量是（半导体内部势场）作用的概括。由于晶体内部的各向异性，在空间的三个主轴上，有效质量可以表示为（、、文档大全实用标准，一般情况下，，，是不等的）。在能带底部，为(正)值，即；在能带顶部，为(负)值，即。在关系的拐点处，（），说明此处电子（不受外电场作用，电子从外场获得的能量，全

4、部释放给晶格）。内层电子形成的能带（窄），曲线曲率（小），（小），所以（大）。外层电子能带（宽），（大），所以（小），共有化运动强，在外力作用下，可以获得更大的加速度。10.一种晶体中导带底电子能量E与波矢K的关系为，其中为导带底能量，A是常数，则电子的有效质量：（）。11.一维晶体中电子能量E与波矢K的关系为，其中和B是常数，则电子速度：（）。12.半导体的陷阱中心使其中心光电导灵敏度（提高），并使其光电导衰减规律（延长衰减时间）。13.当系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统（每增加一个电子）所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级。费米能级标志了（电子填

5、充能级）的水平。它主要受（掺杂浓度）、（掺杂种类）和（温度）的影响。在绝对零度时，的能级（没有）电子占据；而的能级（完全被）电子占据。随着温度的升高，电子占据的能级概率（增大），空穴占据的能级概率（增大）。二、选择题1.施主杂质电离后向半导体导带提供（B），受主杂质电离后向半导体价带提供（A），本征激发后向半导体提供（AB）。A.空穴B.电子2.室温下，半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3，费米能级（B）；继续掺入浓度为1.1×1015cm-3的磷，费米能级（A）；将该半导体升温至570K，费米能级（C）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm-3，570K时，ni≈2×1017cm-3

6、）A.高于EiB.低于EiC.约等于Ei3.对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致禁带宽度（C），本征流子浓度（A），多子浓度（B），少子浓度（A）。A.变大B.不变C.变小文档大全实用标准4.最有效的复合中心能级位置在（D）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（C）附近。A.EAB.EDC.EFD.Ei5.扩散系数反映了载流子在（A）作用下运动的难易程度，迁移率反映了载流子在（B）作用下运动的难易程度。A.浓度梯度B.电场C.光照D.磁场6.最小电导率出现在（B）型半导体。A.nB.pC.本征7.电子在晶体中的共有化运动是指（C）。A.电子在晶体中各处出现的几率相同。B.电子在晶体原胞中各

7、点出现的几率相同。C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同。D.电子在晶体各原胞对应点的相位相同。8.本征半导体是指（D）的半导体。A.电子浓度等于本征载流子浓度B.电阻率最高C.电子浓度等于空穴浓度D.不含杂质与缺陷9.II-VI族化合物中的M空位Vm是（C）。A.点阵中的金属原子间隙B.一种在禁带中引入施主的点缺陷C.点阵中的点阵中的金属原子空位D.一种在禁带中引入受主的位错10.若某半导体导