场效应管查新报告

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1、场效应管查新报告1场效应管综述场效应管与普通晶体管相比具有输人阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件，有与电子管相似的传输特性，因而在高保真咅响设备和集成电路屮得到了广泛的应用。场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样，要比普通晶体管简单得多，场效应管只是单纯地利用外加的输人信号以改变半导体的电阻，实际上是改变工作电流流通的通道大小，而晶体管是利用加在发射结上的信号电压以改变流经发射结的结电流，还包括少数载流子渡越基区后进人集电区等极为复杂的作用过程。场效应管

2、的独特而简单的作用原理赋予厂场效应管许多优良的性能。场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点，场效应管具有双向对称性，即场效应管的源和漏是可以互换的（无阻尼），一般的晶体管是不容易做到这一点的，电子管根本不可能达到这一点。1.1场效应管的特点1）高输人阻抗容易驱动，输人阻抗随频率的变化比较小。输人结电容小（反馈电容），输岀端负载的变化对输人端影响小，驱动负载能力强，电源利用率高。和晶体管相比场效应管具有更好的热稳定性和较大的动态范围。2）场效应管的噪声非常低，噪声系数

3、可做到ldB以下，现在大部分的场效应管的噪声系数为0.5dB左右，这是一般晶体管和电子管难以达到的。3）由丁普通晶体管｝一作时一输人端（发射结）加的是正向偏压，因此输人电阻是很低的，场效应管的输人端（栅与源之间）工作时可以加负偏压即反向偏压，也可以加正向偏压，因此增加了电路设计的变通性和多样性。通常在加反向偏压时一，它的输人电阻更高，高达100A/Q以上，场效应管的这一特性弥补厂普通晶体管及电子管在某些方面应用的不足。4）场效应管转换速率快，高频特性好。场效应管的电压与电流特性曲线与五极电子管输

4、出特性曲线十分相似。输出为输人的2次幕函数，失真度低于晶体管,比胆管略大些，场效应管的失真多为偶次谐波失真，听感好，高中低频能量分配适当，声音有密度感，低频潜得较深，声场较稳，透明感适中，层次感、解析力和定位感均有较好表现，具有良好的声场空间描绘能力，对音乐细节有很好表现。5）场效应管的防辐射能力比普通晶体管高十倍左右。1・2场效应管的分类场效应管的品种较多，大体上可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两类，且都有N型沟道（电流通道）和P型沟道两种，每种乂有增强型和耗尽型共四类。绝缘栅场效应管又称金

5、属（M）氧化物（0）半导体（S）场效应管，简称M0S管,按其内部结构又可分为一般M0S管和V-M0S管两种，每种又有N型沟道和P型沟道两种、增强型和耗尽型四类。V-M0S场效应管全称为V型槽M0S场效应管，是在--般M0S场效应管的基础上发展起来的新型高效功率开关器件，它不仅继承厂M0S场效应管输人阻抗高决丁100MQ）,驱动电流小（0.1M左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（l・5〜100A）、输出功率高（1〜250V）、跨导线性好、开关速度快等优良特性目前已在高速开关、电压放

6、大（电压放大倍数可达数千倍）、射频功放、开关电源和逆变器等电路中得到广泛应用。由丁它兼有电子管和晶体管的优点，用它制作的高保真音频功放，音质温暧甜润而又不失力度，倍受爱乐人士青睐，因而在音响领域有着广阔的应用前景。V-M0S管和一般M0S管一样，也可分为N型沟道和P型沟道两种、增强型和耗尽型四类，分类特征与一般的M0S管相同。V-M0S场效应管有以下特点。1）输人阻抗高，由丁栅源之间是SiO,层，栅源之间的直流电阻基木上就是■SiQ绝缘电阻，一般达100MQ左右，交流输人阻抗基本上就是输人电容的

7、容抗。2）跨导的线性较好，有较大的线性放大区域，与电子管的传输特性十分相似,较好的线性就意味着有较低的失真。尤其是具有负的电流温度系数，即在栅极与源极之间电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在二次击穿所引起的管子损坏现象。因此，V-M0S管的并联得到自广泛的应用。3）驱动电流小，由丁输人阻抗高，V-M0S是一种压控器件，一般有电压就可以驱动，所需的驱动电流极小。4）结屯容无变容效应，V-M0S管的结电容不随结电压而变化，无一般晶体管结电容的变容效应，可避免由变容效应招致的失真。5

8、）开关速度快，由丁没有少数载流子的存储延迟时间，V-M0S场效应管的开关速度快，可在20〃内开启或关断几十安培电流。6）频率特性好，V-M0S场效应管的多数载流子运动属丁漂移运动，且漂移距离仅3.5则,不受晶体管那样的少数载流子基区过渡时间限制，故功率增益随频率变化极小，频率特性好。1.3场效应管的主要参数及选用场效应管的参数多达几十种，为了正确安全运用场效应管，防止静电、误操作或储存不当而损坏场效应管，必须对场效应管主要参数有所厂解和掌握。现将主要参数及含义列于表1,作为参考。场效应管的选用应