黑龙江省大庆铁人中学2018_2019学年高二物理下学期期中试题(含解析)

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1、黑龙江省大庆铁人中学2018-2019学年高二下学期期中考试物理试题一、选择题:1.下列说法中正确的是()A.物质是由大量分子组成的,分子直径的数量级是10-15mB.物质分子在不停地做无规则运动,布朗运动就是分子的运动C.在任何情况下,分子间的引力和斥力总是同时存在的D.物体的温度随着科学技术的发展可以降低到绝对零度【答案】C【解析】【详解】物质是由大量分子组成的,分子直径的数量级是10-10m,故A错误;布朗运动是悬浮在液体中小颗粒做的无规则的运动,故B错误;分子间的相互作用力是引力和斥力同时存在,并且都随距离

2、的增大而减小,引力减小的快.故C正确;绝对零度是一切低温物体的极限,不可能达到,故D错误,故选C2.温度都是0℃的10克冰和10克水比较,它们的()A.质量相同,温度相同,内能也相同B.就分子的平均动能而言,水分子较大C.冰的分子势能大D.分子数相同,分子无规则运动的平均动能也相同【答案】D【解析】【详解】0℃的10克冰和10克水,温度相同,平均动能相同,但冰吸热融化为水,故内能不相同,故A错误;温度是平均动能的标志,温度相同,分子无规则运动的平均动能也相同,故B错误;由于冰吸热融化为水,所以0℃的10克水比10克

3、冰的内能大,在平均动能相等的情况下,水的分子势能大于冰的分子势能,故C错误;0℃的10克冰和10克水,温度相同,平均动能相同,由于质量相等,所以分子数也就相等,故D正确;故选D3.如图所示,一定质量的理想气体由状态A沿平行于纵轴的直线变化到状态B,则它的状态变化过程是( )A.气体的温度不变B.气体的内能增加C.气体分子的平均速率减少D.气体分子在单位时间内与器壁在单位面积上碰撞的次数减小【答案】B【解析】【详解】从图象看出气体的体积不变,压强变大,根据理想气体状态方程,气体的温度升高,故A错误;气体的温度升高,分

4、子热运动平均动能增加,理想气体的分子间无势能,故气体的内能增加,故B正确;温度是分子热运动平均动能的标志,气体的温度升高,分子热运动平均动能增加,故气体分子的平均速率增大,故C错误;气体压强与气体分子数密度和平均动能有关,分子数密度不变,平均动能增加,故气体分子在单位时间内与器壁在单位面积上碰撞的次数增加,故D错误;故选B4.在一小型交流发电机中,矩形金属线圈abcd的面积为S,匝数为n,线圈总电阻为r,在磁感应强度为B的匀强磁场中,绕轴以角速度ω匀速转动,产生的感应电动势随时间的变化关系如图所示,矩形线圈与阻值为

5、R的电阻构成闭合电路,下列说法中正确的是()A.从t1到t3这段时间内穿过线圈磁通量的变化量为零B.从t3到t4这段时间通过电阻R的电荷量为C.t4时刻穿过线圈的磁通量的变化率大小为E0D.t4时刻线圈处于中性面位置【答案】B【解析】【详解】由于磁通量是双向标量,在t1到t3这段时间穿过线圈磁通量的变化量△Φ=2Bs,故A错误;通过电阻的电荷量,所以t3到t4这段时间通过电阻R的电荷量,又 ,故,故B正确;由于最大值面产生的电动势最大,所以磁通量时间图象中,在最大值面上磁通量的斜率最大,即E0=nK,所以,故C错误

6、;t4时刻电动势最大,所以此时磁通量应该最小为零,所以线圈处于与中性面相垂直的位置,故D错误;故选B5.如图所示,边长为2L的正方形虚线框内有垂直于纸面向里的匀强磁场,一个边长为L的正方形金属导线框所在平面与磁场方向垂直,导线框和虚线框的对角线共线,每条边的材料均相同.从t=0开始,使导线框从图示位置开始以恒定速度沿对角线方向进入磁场,直到整个导线框离开磁场区域.导线框中的感应电流i(取逆时针方向为正)、导线框受到的安培力F(取向左为正)、导线框中电功率的瞬时值P以及通过导体横截面的电荷量q随时间变化的关系正确的是

7、(  )A.B.C.D.【答案】A【解析】试题分析:导线框进入磁场时,导体切割磁场的等效长度均匀增加,所以电流均匀变大,当导线框全部进入后的一段时间内,由于磁通量不变,则电流为0,最后导线框出磁场时,导体切割磁场的等效长度是均匀减少,所以电流均匀减小,A正确;因为导线框全部进入磁场时不受安培力,B错误;由,在进入磁场和出磁场的过程中导线框中电功率变化的,C错误;而,所以q与t不是线性关系,D错误。考点:法拉第电磁感应定律、安培力、闭合电路的欧姆定律及电功率。6.如图甲所示,两根电阻忽略不计的导轨平行放置,导轨左端接

8、电阻R1,右端接小灯泡L,导体棒AB垂直放置,电阻R1、导体棒AB和小灯泡L的电阻均为R(不计灯泡电阻随温度的变化),虚线MN右侧有垂直导轨的磁场,当导体棒AB从距MN左侧某处匀速向右运动时开始计时,磁感应强度随时间变化如图乙所示,若导体棒AB从开始运动到穿越磁场的过程中,灯泡的亮度始终不变,则导体棒AB在穿越磁场前后电阻R1上消耗的功率之比是(  )A.2

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