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1、标准文档光电综合设计学院：理学院专业：应用物理学姓名：学号：年月日～年月日实用大全标准文档目录一、课题1：半导体中载流子浓度的计算分析11.1.课题任务要求及技术指标11.2.课题分析及设计思路11.3.系统设计（建模）11.4.仿真结果与结果分析3二、课题2：光电探测器光电流的计算62.1.课题任务要求及技术指标62.2.课题分析及设计思路62.3.系统设计（建模）72.4.仿真结果与结果分析8三、课题3：半导体激光器静态特性的计算103.1.课题任务要求及技术指标103.2.课题分析及设计思路103.3.系统设计（建模）113.4.仿真结果与结果分析12四、课程设计小结16
2、实用大全标准文档一、课题1：半导体中载流子浓度的计算分析1.1.课题任务要求及技术指标设计任务：若锗中含有一定数量的杂质元素Sb，试根据要求分析杂质浓度与电离度以及电离温度之间的关系：（1）当Sb浓度分别为和时，计算杂质99％，90％和50％电离时的温度各为多少？（2）根据一定杂质类型和杂质浓度，画出电离度和温度的关系图线，并确定半导体处于强电离区（电离度>90％）的温度范围。设计要求：（1）具有友好输入输出界面；（2）调整输入数据，得出相应结果，并进行分析。1.2.课题分析及设计思路本题是已知掺杂一定数量杂质的半导体，分析其杂质浓度、电离度及电离温度之间的关系，并且在已知杂质
3、浓度的条件下根据电离度计算温度。由固体电子导论中载流子浓度的知识，随着温度升高，电离程度加大，载流子浓度也增加，但温度进一步升高后，杂质全部电离，此时以本征激发为主，载流子浓度迅速增加，本题中锗中掺Sb时，形成n型半导体，任务是要作出一定掺杂浓度下电离度和温度的关系曲线，计算公式如下：浓度为1014时电离度与温度的关系式为：D=1-exp(116./T)*10^(14)/10^(15)./T.^(1.5)浓度为1017时电离度与温度的关系式为：D=1-exp(116./T)*10^(17)/10^(15)./T.^(1.5)1.3.系统设计（建模）gui_Singleton=1
4、;gui_State=struct('gui_Name',mfilename,...'gui_Singleton',gui_Singleton,...'gui_OpeningFcn',OpeningFcn,...'gui_OutputFcn',OutputFcn,...'gui_LayoutFcn',[],...'gui_Callback',[]);ifnargin&&ischar(varargin{1})gui_State.gui_Callback=str2func(varargin{1});实用大全标准文档endifnargout[varargout{1:nargout}]
5、=gui_mainfcn(gui_State,varargin{:});elsegui_mainfcn(gui_State,varargin{:});endfunctionpushbutton1_Callback(hObject,eventdata,handles)globala;globalb;c1=solve('116/T=1.5*log(T)-2.3');c2=solve('116/T=1.5*log(T)-9.2');c3=solve('116/T=1.5*log(T)');c4=solve('116/T=1.5*log(T)-6.9');c5=solve('116/T
6、=1.5*log(T)+3');c6=solve('116/T=1.5*log(T)-3.9');switchacase1ifb==1set(handles.text1,'String',double(c1));elseifb==2;set(handles.text1,'String',double(c3));elseifb==3;set(handles.text1,'String',double(c5));end;case2ifb==1set(handles.text1,'String',double(c2));elseifb==2;set(handles.text1,'St
7、ring',double(c4));elseifb==3;set(handles.text1,'String',double(c6));end;endglobalab;c3=solve('116/T=1.5*log(T)');c4=solve('116/T=1.5*log(T)-6.9');ifa==1T=17.58:0.1:40;D=1-exp(116./T)*10^(14)/10^(15)./T.^(15);plot(T,D);xlabel('¿ªÊÏζÈK');ylabel('µç
