荧光灯电子镇流器工作原理再细探

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1、SISemiconductorsCO.,LTD荧光灯电子镇流工作原理再细探深圳深爱半导体有限公司叶文浩这几年来，电子镇流荧光灯行业持续大发展，产品水平不断提高，中国在世界上作为节能灯大国的地位已经确立；中国还要进一步成为节能灯强国，这就需要对产品技术和相应的技术基础理论进行进一步的探索。在对灯用三极管损坏机理的深入研讨中，笔者感到这以前对荧光灯电子镇流工作原理的描述越来越满足不了需要，甚至其中还有谬误之处，有必要对其进行更深入仔细的研究探讨。为避免复杂的数学推导，本文用较多的实测波形图加以说明。电子镇流

2、器工作最基本的原理是把50HZ的工频交流电，变成20-50KHZ的较高频率的交流电，半桥串联谐振逆变电路中上下两个三极管在谐振回路电容、电感、灯管、磁环的配合下轮流导通和截止，把工频交流电整流后的直流电变成较高频率的交流电。但是，具体工作过程中，不少书刊上把谐振回路电容充放电作为主要因素来描述，甚至认为“振荡电路的振荡频率是由振荡电路充放电的时间常数决定的”。我们感到谐振回路电容充电和放电是变流过程中的一个重要因素，但是，振荡电路的振荡频率却不能说就是由振荡电路的充放电时间常数决定的，电路工作状态下可饱

3、和脉冲变压器（磁环）磁导率变化曲线的饱和点和三极管的存储时间ts是工作周期的重要决定因素。三极管开关工作的具体过程中，不少书刊认为“基极电位转变为负电位”使导通三极管转变为截止，”T1（磁环）饱和后，各个绕组中的感应电势为零”“VT1基极电位升高VT2基极电位下降”；我们认为实际工作情况不是这样的。一、三极管开关工作的三个重要转折点：1、三极管怎样由导通转变为截止——第一个转折点：不管是图1用触发管DB3产生三极管的起始基极电流Ib，还是基极回路带电容的半桥电路由基极偏置电阻产生三极管VT2的起始基极电

4、流Ib，三极管的Ib产生集电极电流Ic，通过磁环绕组感应，强烈的正反馈使Ic迅速增长，三极管导通,图1原理图图2磁环磁化曲线与三极管Vce、Ic、Ib那么三极管是怎样由导通转变为截止的？实践证明，三极管导通后其集电极电流Ic增长，其导通转变为截止的过程有深圳深爱半导体有限公司ShenzhenSISemiconductorsCO.,LTDE-mail:yewh@sisemi.com.cnPage1of1SISemiconductorsCO.,LTD两个转折点，首先是可饱和脉冲变压器（磁环）磁导率μ的饱和点

5、。图2中上面为磁环磁化曲线（B-H）及磁导率μ-H变化曲线，μ=B/H，所以μ就是B-H曲线的斜率，开始时μ随着外场H的增加而增加，当H增大到一定值时μ达到最大，其最大值为μ-H曲线的峰值即可饱和脉冲变压器磁导率的峰值。此后，外场H增加μ减小。在电子镇流荧光灯电路中，磁环工作在可饱和状态，它在每次磁化过程中其μ值必须过其峰值。在初期可饱和脉冲变压器（磁环）磁导率随着Ic的增长而增长（图2）；Ic增长到一定值，可饱和脉冲变压器的磁导率μ过图2中峰值点，磁环绕组感应电2压V环=－Ldi/dt，而磁环绕组电感

6、量L=μNS/ι（此公式还说明了磁环尺寸在这方面的作用），也就是说磁环绕组感应电压与可饱和脉冲变压器（磁环）磁导率μ成正比，磁环绕组感应电压V环过峰值（关于磁环绕组内电流的情况在本文后面说明，这里先以实测波形图说明），三极管基极电流Ib同步过峰值（图2、图3），图2下半部分为三极管Vce、Ic、Ib波形图，图2上半部分和下半部分有一根垂直的联线，把基极电流Ib的峰值点和可饱和脉冲变压器的磁导率μ的峰值点联系到了一起，这是外部电路改变三极管工作状态的重要信号点，也就是三极管由导通转变为截止的第一个转折点。

7、随着V环的下降Ib也下降，但这时基区内部的电压仍然是正的,当磁环绕组感应电压V环低于基区内部的电压时（基区外电路所加电压下降到低于基区内部的电压但仍然是正的），少数的载流子就从基区流出.基极电流反向为负值Ib2（图3红色曲线2）；图3显示了三极管基极电流Ib峰值（红色曲线2）和磁环绕组感应电压峰值（兰色曲线1）是同步的，过峰值后基极电流反向为负值。在这期间，基区电流(称为IB2)是负，但是VCE维持在饱和压降VCEsat（图4兰色曲线1），而IC电流正常流动（图4红色曲线2），这时期对应存储时间(Tsi

8、)。在这段时间Vbe始终是正的，但是基区电流(称为IB2)是负的。有的书上说导通管的关闭是因为其基极电位转变为负电位，也有的书上说“T1（磁环）饱和后，各个绕组中的感应电势为零”，这不符合实际情况，从波形图上我们可以清楚地看到这段时间Vbe始终是正的。导通管的基极电位转变为负电位是在Ic存储结束，流过磁环绕组的电流达到峰值－Ldi/dt等于零的时刻之后，而不是在Ic存储刚开始的时刻。图3磁环绕组感应电压V环及三极管基极电流Ib图4三极管电压