电子逸出功与荷质比的测定

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1、西北工业大学近代物理实验报告班级：11051401姓名：刘沛宇学号：2014302882日期：2016.10.25实验6电子逸出功与荷质比的测定一、实验目的1、了解热电子发射的基本规律，验证肖脱基效应；2、学习用理查森直线法处理数据，测量电子逸出点位；3、了解磁控原理，利用磁控法测定荷质比。二、实验仪器（名称、型号及参数）LB-MEP-PC金属电子逸出功测定仪。仪器内附有12位A/D转换器的计算机接口，经过计算机接口处理，运行“逸出功”或“荷质比”的实验软件，在计算机屏幕上将所测得的电流、电压等变化曲线实时显示。实验测量线路原理如下图1所示：图1实验测量线路图三、实验原理基础概念：热电子

2、发射：在一个真空玻璃管中装上阴极和阳极，阴极由金属丝做成。在阴极上通过电流使之加热，在阳极上加以高于金属丝的正电位，这样在连接着两个电机的外电路中就有电流流过。电子可以从加热了的金属丝中逸出，这就叫做热电子现象。一、电子逸出功的测量根据量子论，原子内电子的能级是量子化的。在金属内部运动者的自由电子遵循类似的规律：①金属中自由电子的能量是电子化的；②电子具有全同性，即各电子是不可区分的；③能级的填充状况太符合泡利不相容原理。由于金属表面存在一个电子-正电荷电偶层，阻碍电子从金属表面逸出，因此金属表面与外界之间有位能壁垒W。电子要从金属中逸出，就必须具有至少大于W的动能来客服电偶层的阻力作用

3、，这个功就叫做电子的逸出功。又因为电能能量分布服从费米-狄拉克分布，因此热电子发射可以用提高阴极温度的办法来改变电子的能量分布，服从S.Dushman公式如下：I为热电子发射的电流强度；S为阴极金属的有效发射面积；T为热阴极绝对温度；ke为玻尔兹曼常数；A为与阴极化学纯度有关的系数。对于各个量的处理方法，如下：A直接与金属表面对发射电子的反射系数有关，而反射系数又与金属表面的化学纯度有很大关系，其数值决定于位能壁垒。因金属表面不够洁净，并且金属表面粗糙，因此A和S两个量很难测定。由上式可以看出，做出图线，由直线的斜率可以定出φ的值，lgAS只改变直线的截距，不影响直线的斜率。在阳极和阴极

4、之间外加一个加速场E，使电子一旦逸出，就可以迅速飞往阳极，热电子发射电流与外加速场的有如下关系：二、磁控法测电子荷质比在理想二极管中，阴极和阳极为一同轴圆柱系统，当阳极加油正电压使，从阴极发射的电子流手电场的作用将做径向运动。如果在理想二极管外面套一个通电励磁线圈，则原来沿径向运动的电子在轴向磁场的作用下，运动将发生弯曲。若进一步加强磁场，这时电子运动到阳极附近，电子所受到的洛伦兹力减去电场力后的合力恰好等于电子沿阳极内壁圆周运动的向心力，此时电子流运动的轨迹也将沿着内壁作圆周运动，此时成为临界状态。若设阳极内半径为a，而阴极半径不计，不同阳极电流在不同阳极电压下随着励磁电流变化的曲线如

5、下图：图2励磁电流-阳极电流曲线找到临界电流后，就可以利用一下公式计算电子的荷质比：四、实验内容与方法一、准备1.检查实验测量线路的连接是否正确，测量完成后不要拆线。2.各电源输出调至最小，接通电源预热10分钟。二、电子逸出电位的测定1.功能选择键至逸出功，灯丝加热电流从0.650-0.800A，每隔0.050A，测定加速电压与阴极发射电流的关系，列表记录数据；2.根据所测数据作出UlgI直线，求出不同灯丝加热电流亦即不同温度下的lgIaee值。1Ie3.由lgI个T值，作出lg直线，从直线斜率求出逸出电位值。e2TT三、磁控法测荷质比1.各输出调节最小，功能选择键至荷质比；2.

6、灯丝电流一定，选择不同阳极电压，测定励磁电流I和阳极电流I的关系，直到阳Sa极电流I降到接近零为止，列表记录数据。a3.根据所测数据作出II直线，求出不同阳极电压下的I值；aSC24.做出UI图线，确定两者之间的关系，利用相关公式求出荷质比，并与理论值比aC较。四、关机将各输出调节为最小，关断电源，不能拆除接线。五、实验数据记录与处理（列表记录数据并写出主要处理过程）一、电子逸出电位的测定表1灯丝电流为0.650A条件下的实验数据I1617171818181919elgI1.2041.2301.2301.2551.2551.2551.2791.279eUa162536496481

7、100121Ua4567891011表2灯丝电流为0.700A条件下的实验数据I5152535455565758elgI1.7081.7161.7241.7401.7481.7561.7631.771eUa162536496481100121Ua4567891011表3灯丝电流为0.750A条件下的实验数据I144148151154157160162165elgI2.1582.1702.1792.1882.1962.2042