磁阻传感器以和磁场测量

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1、...北航基础物理实验研究性报告各向异性磁阻传感器（AMR）与地磁场测量第一作者：13271138卢杨第二作者：13271127刘士杰所在院系：化学与环境学院2014年5月27日星期三参考学习...摘要物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应，磁阻传感器利用磁阻效应制成。磁场的测量可利用电磁感应，霍耳效应，磁阻效应等各种效应。其中磁阻效应法发展最快，测量灵敏度最高。磁阻传感器可用于直接测量磁场或磁场变化，如弱磁场测量，地磁场测量，各种导航系统中的罗盘，计算机中的磁盘驱动器，各种磁卡机等等。也可通过磁场变化测量其它物理量，如利用磁阻效应已制成各

2、种位移、角度、转速传感器，各种接近开关，隔离开关，广泛用于汽车，家电及各类需要自动检测与控制的领域。磁阻元件的发展经历了半导体磁阻（MR），各向异性磁阻（AMR），巨磁阻（GMR），庞磁阻（CMR）等阶段。本实验研究AMR的特性并利用它对磁场进行测量。关键词：磁阻传感器；磁电转换；赫姆霍兹线圈；车辆检测；罗盘参考学习...目录一、实验目的4二、实验原理4三、实验仪器介绍6四、实验内容81.测量前的准备工作82.磁阻传感器特性测量8a.测量磁阻传感器的磁电转换特性8b.测量磁阻传感器的各向异性特性93.赫姆霍兹线圈的磁场分布测量9a.赫姆霍兹线圈轴

3、线上的磁场分布测量9b．赫姆霍兹线圈空间磁场分布测量114．地磁场测量12五、实验数据及数据处理131.磁阻传感器特性测量13a.测量磁阻传感器的磁电转换特性13b．测量磁阻传感器的各向异性特性142．赫姆霍兹线圈的磁场分布测量15a．赫姆霍兹线圈轴线上的磁场分布测量15b．赫姆霍兹线圈空间磁场分布测量163．地磁场测量17六、误差分析与思考题171、误差分析172、思考题18七、实验中注意事项及改进方法191、注意事项192、实验改进19八、总结与收获20九、原始数据照片20参考学习...一、实验目的1．熟悉和了解AMR的原理2．测量磁阻传感器

4、的磁电转换特性和各向异性特性3．测量赫姆霍兹线圈的磁场分布4．测量地磁场磁场强度，磁倾角，磁偏角二、实验原理各向异性磁阻传感器AMR（AnisotropicMagneto-Resistivesensors）由沉积在硅片上的坡莫合金（Ni80Fe20）薄膜形成电阻。沉积时外加磁场，形成易磁化轴方向。铁磁材料的电阻与电流和磁化方向的夹角有关，电流与磁化方向平行时电阻Rmax最大，电流与磁化方向垂直时电阻Rmin最小，电流与磁化方向成θ角时，电阻可表示为：R=Rmin＋(Rmax－Rmin)cos2θ在磁阻传感器中，为了消除温度等外界因素对输出的影响，

5、由4个相同的磁阻元件构成惠斯通电桥，结构如图1所示。图1中，易磁化轴方向与电流方向的夹角为45度。理论分析与实验表明，采用45度偏置磁场，当沿与易磁化轴垂直的方向施加外磁场，且外磁场强度不太大时，电桥输出与外加磁场强度成线性关系。无外加磁场或外加磁场方向与易磁化轴方向平行时，磁化方向即易磁化轴方向，电桥的4个桥臂电阻阻值相同，输出为零。当在磁敏感方向施加如图1所示方向的磁场时，合成磁化方向将在易磁化方向的基础上逆时针旋转。结果使左上和右下桥臂电流与磁化方向的夹角增大，电阻减小ΔR；右上与左下桥臂电流与磁化方向的夹角减小，电阻增大ΔR。通过对电桥的

6、分析可知，此时输出电压可表示为：参考学习...U＝Vb×ΔR/R（1）式中Vb为电桥工作电压，R为桥臂电阻，ΔR/R为磁阻阻值的相对变化率，与外加磁场强度成正比，故AMR磁阻传感器输出电压与磁场强度成正比，可利用磁阻传感器测量磁场。商品磁阻传感器已制成集成电路，除图1所示的电源输入端和信号输出端外，还有复位/反向置位端、补偿端两个功能性输入端口，以确保磁阻传感器的正常工作。复位/反向置位端的作用是：当AMR置于超过其线性工作范围的磁场中时，磁干扰可能导致磁畴排列紊乱，改变传感器的输出特性。此时按下复位/反向置位端，通过内部电路沿易磁化轴方向产生强

7、磁场，使磁畴重新沿易磁化轴方向整齐排列，恢复传感器的使用特性。补偿端的作用是：当4个桥臂电阻不严格相等，或是外界磁场干扰，使得被测磁场为零而输出电压不为零时，此时可调节补偿电流，通过内部电路在磁敏感方向产生磁场，用人为的磁场偏置补偿传感器的偏离。三、实验仪器介绍参考学习...磁阻传感器盒传感器轴向移动锁紧螺钉传感器绕轴旋转锁紧螺钉传感器水平旋转锁紧螺钉赫姆霍兹线圈传感器横向移动锁紧螺钉线圈水平旋转锁紧螺钉信号接口盒仪器水平调节螺钉图2磁场实验仪实验仪结构如图2所示，核心部分是磁阻传感器，辅以磁阻传感器的角度、位置调节及读数机构，赫姆霍兹线圈等组成

8、。本仪器所用磁阻传感器的工作范围为±6高斯，灵敏度为1mV/V/Guass。当磁阻电桥的工作电压为1V，被测磁场磁感应强度为1高斯时，输