《电工电子学》期末复习题下篇应用文

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1、《电工电子学》期末复习题(下篇)本复习题使用说明:复习题内容是按照知识点编写的非按章节编写请同学们阅读时注意!第II大部分：下篇一.客观题(选择题)单项选择题部分：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(一)、二极管三极管1、17、电路如图所示，二极管DrD2为理想元件，则在电路屮((a)5起箝位作用，D?起隔离作用(b)D］起隔离作用，D?起箝位作用(c)DPD?均起箝位作用(d)D］、D?均起隔离作用VOoV2o-r6一VI22、45.电路如图所示，二极管DPD2,D3均为理想元件，则输出电压u°=()0(a)0

2、V9-18V(b)-6V(c)-18V61423、51、电路如图所示，二极管D”D?均为理想元件，则电压UA0=()o(b)OV(c)-15V(a)12V4、33、电路如图所示，二极管为理想元件，S二6sinerv,U二3V,当a)t二二瞬间，输出电压Uo等于()。(a)0V(b)6V(c)3V5、35、电路如图所示，D为理想二极管，u=6sin毗V,则输出电压的最大值u0M=()o(a)6V(b)3V(c)?3V6、37、电路如图所示，二极管D为理想元件，当输入信号q二12sin°rV时，输出电压的最大值为()。(a)1

3、2V(b)-6V(c)0V(d)6V7、49、电路如图所示，DrD2均为理想二极管，当输入电压比>6V时，则17。二(40sin8、53、电路如图所示，Dx,D2均为理想二极管，设S

4、7、电路如图所示，D为硅二极管，根据断该管为((a)正偏+12V)。(b)反偏乔给出的电路参数判(C)零偏151G2CkQ1591(M211、71、1晶体管处于截止状态时,集电结和发)o(a)(c)发射结反偏，集电发射结.集电结均结正偏(b)(d)发射结、发射结12、73、已知某品体管处于放大状态,6V、9V和6.3V,则6V所对应的电极为((a)发射极(b)集电极13、77、当晶体管的集电极电流*超过其最大允许值/CM(a)晶体管一定损坏(b)不一定损坏、但0要下降(c)不一定损坏、但0要升高14、87、在计算低频小功率

5、晶体管输入电阻rbe三种方法，而且计算结果差别很大，请指射结的偏置情况为集电结均反偏正偏，集电结反偏三个极的电位分别为>(c)基极时，其后果为()0时，有三位同学用了£正确的表达式是(a)rbe=字(C)rbe=300Q+26mV^mA15.89、所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。（a）放大区（b）饱和区（c）截止区16、91、如果接在电路中某晶体管的基极与发射极短路，则（）o（a）管子深度饱和（b）管子截止（c）管子工作在放大状态17、93、根据图中已标出各品体管电极的电位，判断处于饱和状态的品体管是（）。24

6、V12V0Q0Vo-d4V00.3V(b)(c)品体管,95、工作在饱和状态的PNP型其三个极的电位应为（)o(a)%>%,%>%,%>%(b)%>%,%v%,%>%(c)%>%,%<%，%>%19、97、某工作在放大状态的晶体管，测出其三个极X,Y,Z的电位分别为：/x=-9V,V；=—3・8V,Vz=-4V,则（）。(a)X为基极，Y为集电极，Z为发射极(b)X为发射极，Y为基极，Z为集电极(c)X为集电极，Z为基极，Y为发射极20、99、，电路如图所示，晶体管处于（)0(a)饱和状态（b)放大状态(c)截止状态0+

7、12V21、101.电路如图所示，静态时晶(a)饱和状态(b)放大状态(c)体管处于()0截止状态+12V22、103电路如图所示，晶体管Se=0.7V,(a)放大区(b)饱和区+12V二50,则晶体管工作在()0(c)截止区3kQ6kQ-12V23、105、某电路如图所示，晶体管集数据判断该管处在()o(a)截止状态(b)放大状态电极接有电阻根据图中的(C)饱和状态（二）、分立元件基本放大电路1、2、如图示放大电路中接线有错误的元件是（）o(d)C22、4、下列电路«

8、'能实现交流放大的是图（O0—1+q(c)0—11H

9、Ho+Io+q(b)"Vc1+{+nJ114(d)3、7、电路如图所示，设晶体管工作在放大状态，欲使静态电流/c减小，则应(〕。(a)保持Ucc，&一定，减小Rc(b)保持Sc，Rc一定，增大Rb(C)保持Rq,Rc一定,增大Ucc4、10、放大电路如图所示，已知：Rq=240kQ,Rc=3kQ,晶体