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时间:2019-10-04
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1、电子技术数字电路部分第七章半导体存储器1第七章半导体存储器§7.1概述§7.2只读存储器(ROM)§7.3读写存储器(RAM)§7.4存储器容量的扩展§7.5用存储器实现组合逻辑函数2存储器RAM(Random-AccessMemory)ROM(Read-OnlyMemory)RAM(随机存取存储器):1、在运行状态可随时进行读或写操作。2、一旦掉电,数据全部丢失。ROM(只读存储器):1、在正常工作状态只能读出信息。2、断电后信息不会丢失,常用于存放固定信息(如程序、常数等)。固定ROM可编程ROMPROMEPROME2PROMSRAM(StaticRAM):静态R
2、AMDRAM(DynamicRAM):动态RAM3只读存储器,工作时内容只能读出,不能随时写入,所以称为只读存储器。(Read-OnlyMemory)ROM的分类按写入情况划分固定ROM可编程ROMPROMEPROME2PROM按存贮单元中器件划分二极管ROM三极管ROMMOS管ROM§7.2只读存储器(ROM)ReadOnlyMemory4输出电路存储矩阵字线位线A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端W3W0W2W15000101111100110011001001地址A1A0D3D2D1D0内容A1A0A1A0A1A0
3、A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端给出任意一个地址码,译码器与之对应的字线变为高电平,进而从位线上便可输出四位数字量。字线位线图中存储器的内容如右表67结合电路图及上表可以看出:接有二极管的交叉点存1,末接二极管的交叉点存0。存储单元是存1还是存0,完全取决于只读存储器的存储需要,设计和制造时已完全确定,不能改变;而且信息存入后,即使断开电源,所存信息也不会消失。所以,只读存储器又称为固定存储器。存储内容8ROM的阵列图9接有三极管的交叉点存1,末接三极管的交叉点存0。10接有场效应管的交叉点存1,末接场效应管的交叉点存0。11存储矩阵的每个
4、交叉点是一个“存储单元”,存储单元中有器件存入“1”,无器件存入“0”两个概念:存储器的容量:“字数x位数”12掩模ROM的特点:优点:适合大量生产,简单,便宜,非易失性缺点:出厂时已经固定,不能更改。137.2.2可编程ROM(PROM)总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同147.2.3可擦除的可编程ROM(EPROM)总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同一、用紫外线擦除的PROM(UVEPROM)15总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同二、电可擦除的可编程ROM(E2PROM)16为提高集成度,省去T2(选通管)改用叠栅MOS管(类似SIMOS管)三、
5、快闪存储器(FlashMemory)17随机存储器又称读写存储器。读写存储器的特点是:在工作过程中,既可从存储器的任意单元读出信息,又可以把外界信息写入任意单元,因此它被称为随机存储器,简称RAM。RandomAccessMemory...RAM按功能可分为静态、动态两类;RAM按所用器件又可分为双极型和MOS型两种。§7.3随机存储器(RAM)18D1W3W2W1W0地址译码器读写及输入/输出控制I/O1I/O0CSR/WA0A1D1D0D0存储矩阵7.3.1静态随机存储器(SRAM)192、SRAM的静态存储单元WiDD符号VCCWiDDI/OR/W123T2T3
6、T4T5T6QQT1字线数据线数据线20介绍基本存储单元的工作原理:VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1字线数据线数据线VCCT2T1T3T4由增强型NMOS管T1、T2、T3和T4构成一个基本R-S触发器,它是存储信息的基本单元。而T5和T6是门控管,由字线Wi控制其导通或截止:Wi=1则导通,否则截止。21门控管T5和T6导通时,“读”、“写”操作由读写控制端R/W控制:R/W=0时,1、3门打开,数据由I/O端送入存储器,完成写操作;反之,R/W=1时,1、3门关闭,2门打开,数据由I/O线读出。VCCWiDDI/OR/W123T2T3T
7、4T5T6QQT1VCCT2T1T3T4数据线数据线字线123227.3.3RAM组件及其连接常用RAM组件的类型很多,以下介绍两种:RAM2114和RAM6116。RAM2114共有10根地址线,4根数据线。故其容量为:1024字×4位(又称为1K×4)RAM6116的容量为:2048字×8位(又称为2K×8)23容量为256×4RAM的存储矩阵存储单元1024个存储单元排成32行×32列的矩阵每根行选择线选择一行每根列选择线选择一个字列Y1=1,X2=1,位于X2和Y1交叉处的字单元可以进行读出或写入操作,而其余任何字单元都不会被选中。24地址的
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