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1、问题1:背景：镁基储氢合金(以镁和Mg2Ni为代表)具有储氢容量高和价格低廉的优点，镁和Mg2Ni的理论储氢容量分别是7.6%(质量)、3.6%(质量)，远高于其它几类储氢合金:LaNi5H6(1.37%)、TiVZ(2.6%)、TiFe(1.89%),被认为是极具应用前景的一类储氢材料。但缓慢的吸放氢动力学性能和高的工作温度限制了镁基储氢合金的实际应用，如镁的氢化反应至少需要350-400°C的高温，完全氢化需要数小时。Mg2Ni的氢化反应温度稍低，但也要250°Co导致镁基储氢合金动力学性能差的原因主耍有三个：一是镁的表面容易形成
2、一层氧化物或氢氧化物，通常氧化物层会阻碍氢的扩散，从而减慢氢化反应的速率。因此镁基储氢合金在吸氢前都需要进行活化处理，去除或破碎表面的氧化物层。活化过程通常是在氢气或真空条件下进行多次高温退火(350-400°C)o尽管经过了活化处理，镂的氢化反应仍需要3MPa氢压、400弋高温的苛刻条件。另一个原因是洁净的镁表面不利丁氢分子的离解，氢分子在镁表面的离解率只有10-6o为了降低氢分了的离解能金，通常在镁表面镀上一层催化金属Pd或Ni(通常是薄膜形态)。还有一个原因是氢在己形成的镁的氢化物层内的扩散速率非常缓慢，氢化动力学研究结果表明，
3、氢化物的生长受镁与氢化物Z间的接口缓慢的迁移速率控制。当镁的氢化物层厚度达到30—50屮“时，剩余的镁就难以氢化完全。这些因索都阻碍了镁基储氢合金的实际的应用。问题：如何解决以上描述的问题？1.采用M(M=Al,Zr,Ti,V,Ca,Re等)部分取代Mg2Ni屮的A侧元索Mg获得的新型Mg2_xMxNi系储氢合金，虽然控制着储氢量的Mg所占的比例缩小，导致合金储氢容量的下降，但是，合金的吸放氢性能则得到明显改善，如降低了氢化物的生成热和放氢温度，提高了合金循环稳定性等。2.采用M(M=Cu,Pd,Cr,Zr,Fc,Mn,Co,Zn,W
4、,Ti,V等)部分取代B侧元素Ni,获得Mg2NihxMx型合金。生成的红化物为单斜结构相，其单胞体积越大，氢化物越不稳定，而口氢化物的分解恰和分解温度随单胞体积的增大而降低,以Cr,Mn和Co部分取代Mg2Ni中的Ni,可以降低氢化物分解平台压，Ti和Cu则使平台压升髙。3.另外，也可对Mg2Ni系合金的A,B侧同时进行元索取代改性。问题二：背景：LED(lightemittingdiode,发光二极管)已有近30年的发展历程。20世纪70年代，最早的GaP、GaAsP同质结红、黄、绿色低发光效率的LED已开始应用于指示灯、数字和文
5、字显示。从此，LED开始进入多种应用领域，包括宇航、飞机、汽车、工业应用、通信、消费类产品等，遍及国民经济各个部门和T•家万户。目前被认为能取代传统照明方式的白光LED的光效和寿命不高,述远远不能达到家庭日常照明的需求，为了提高口光LED的性能，-•方而其发光芯片的效率有待提高；另一方面，口光LED的封装技术也需改善。在LED产业链接中，上游是LED衬底品片及衬底生产，中游的产业化为LED芯片设计及制造生产，下游归LED封装与测试。研发低热阻、优界光学特性、高可靠的封装技术是新型LED走向实用、走向市场的产业化必经之路，从某种意义上讲
6、是链接产业与市场的纽带，只有封装好的才能成为终端产品，才能投入实际应用，才能为顾客提供服务，使产业链坏坏相扣，无缝畅通。在封装技术的研究方面，HP公司于20世纪90年代初推出“食人鱼”封装结构的LED,并于1994年推出改进型的“SnapLED”，有两种工作电流，分別为70mA和150mA,输入功率可达0.3W。接着OSRAM公司推岀“PowerTOPLED”。Z后一些公司推出多种功率LED的封装结构。这些结构的功率LED比原支架式封装的LED输入功率提高几倍，热阻降为几分之一。W级功率LED是未来照明的核心部分，所以世界各人公司投入
7、很犬力量，对W级功率LED的封装技术进行研究开发。单芯片W级功率LED最早是由Lumileds公司于1998年推出的LUXEONLED，该封装结构的特点是采用热电分离的形式，现可提供单芯片1W、3W和5W的大功率LEDoOSRAM公司于2003年推出单芯片的“GoldenDragon"系列LED,其结构特点是热沉与金属线路板直接接触，具有很好的散热性能，而输入功率可达1W。多芯片组合封装的大功率LED,其结构和封装形式较多。美国UOE公司于2001年推出多芯片组合封装的Norlux系列LED,其结构是采用六角形铝板作为衬底。Lanin
8、aCeramics公司于2003年推出了采用公司独有的金屈基板上低温烧结陶瓷(LTCC-M)技术封装的大功率LED阵列。松下公司于2003年推出由64只芯片组合封装的大功率门光LEDo问题：针对白光LED封装工艺存在的问
