模电基本知识

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1、模拟电子技术基础知识1-6第一章半导体器件填空1.弄清半导体基本概念：本证半导体、在杂质半导体、N型半导体、P型半导体、多子、少子、扩散运动、漂移运动。2.本征半导体中自由电子浓度（等于）空穴浓度。杂质半导体多数载流子的浓度取决于（杂质浓度）。N型半导体、P型半导体均（呈中性）。3.当PN结正向偏置时，多子扩散运动（大于）少子漂移运动。反向偏置时，多子扩散运动（小于）少子漂移运动。4.当PN结正向偏置时，空间电荷区（变窄），呈现的电阻性能（变小）。PN结反向偏置时，空间电荷区（变宽），呈现的电阻性能（变大）。PN结中的内电场方向是（N区指向P

2、区）。5.当PN结正向偏置时，内电场（减弱）。当PN结反向偏置时，内电场（增强）。6.二极管的死区电压（即开启电压）的大小与环境温度及材料有关，硅二极管的死区电压约为（0.5V）。锗二极管的死区电压约为（0.1V）。7.锗材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压UD为（0.2V）。硅管为（0.7v）。8.处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是（）。测到三极直流电位，介于中间的为（基极），与基极相近的为（射极），剩余的为（集电极）。1.处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的电位关系是（）。测到三极直流电位，介于中间的为（基极），与基极

3、相近的为（射极），剩余的为（集电极）。2.测得工作在放大区的晶体管，各极对地电位分别为2.7V，3V，6.8V；9V，8.3V，2V；－10V，－6V，－6.2V，则对应的三个电极分别是（发射极，基极，集电极）；（发射极，基极，集电极）；（集电极，发射极，基极）。3.在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（NPN锗管）。某一正常工作的晶体三极管测得三个管脚对“地”的电位分别为：－10V，－6V，－6.2V，则该三极管为（PNP锗管）。4.BJT管是（电流控制电流）器件。测得晶体管

4、三个电极的静态电流分别为0.06mA、3.66mA和3.6mA。则该管的β值为（60）。5.某硅半导体三极管各电极对地的电压值为VC＝6V，VB＝0.7V，VE＝0V，晶体管工作在（放大区）。6.某硅半导体三极管各电极对地的电压值为VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V，晶体管工作在（放大区）。1.当温度升高时，半导体三极管的参数将发生的变化是（β增加，Iceo增加，减小）。温度升高时，BJT的输出特性曲线（上移）。2.根据晶体管的工作状态不同，可以将输入输出伏-安特性曲线分为(放大区、饱和区、截止区)三个区。3.某工作在放大状态的三极管，当

5、基极电流由60μA降低到40μA时，集电极电流由2.3mA降低到1.5mA，则此三极管的动态电流放大系数β为（40 ）。4.晶体管能够放大的内部条件是（发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大）。5.某晶体管发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则集电极电流为（0.98）mA。6.场效应管是（电压控制电流）器件。7.N沟道JFET正常工作时，栅极与源极间所加电压的极性为（负）。8.场效应管的三个工作区域包括（可变电阻区、恒流区、夹断区）。9.N沟道JFET符号为（）。10.对于结型场效应管，栅、源极之间的PN结（

6、必须反偏）。1.某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（耗尽型NMOS）场效应管。2.当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导将（增大）。3.N沟道增强型MOSFET符号为（）4.MOSFET是利用栅源电压的大小来控制（漏极）电流的大小。判断1.半导体导电机理与导体导电机理一样，都是仅仅由于自由电子的定向移动形成。（N）2.温度对本征半导体的导电性能几乎没有影响。（N）3.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（Y）4.稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在正向导通状态。（N）5.半导体共价键中的价电子获得足够的能量挣脱

7、共价键的束缚成为自由电子的现象称为本征激发。（Y）6.在本征半导体中，自由电子与空穴总是成对出现的。（Y）7.在本征半导体中掺入少量5价元素杂质，可以构成N型半导体。（Y）1.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（Y）2.PN结正偏时，内电场与外电场方向相反。（Y）3.PN结正偏时，内电场与外电场方向相同。（N）4.在电场力作用下，载流子的运动称为扩散运动。（N）5.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电；P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（N）6.稳压二极管的稳定电流是稳压管工作在稳压状态时的参考电流，

8、只要不超过额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。（Y）7.稳压二极管的动态电阻愈大，稳压管的稳压特性愈好。（N）8.稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，称这个电阻为