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《GBT8446.1-2004 电力半导体器件用散热器 第1部分:铸造类系列 - 下载地址.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、ICS31.080一一K46瀚黔中华人民共和国国家标准GB/T8446.1-2004代替GB/T8446.1-1987电力半导体器件用散热器第1部分:铸造类系列Heatsinkforpowersemiconductordevice-Part1:Castingkindseries2004-02-04发布2004-08-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局.*.www.bzxzk.com.小ha、菌攀辈犷花瞥撞筐豁荟发布GB/T8446.1-2004前F勺GB/T8446((电力半导体器件用散热器》分为三个部分:—第1部分:铸造类
2、系列;—第2部分:热阻和流阻测试方法;—第3部分:绝缘件和紧固件。本部分为GB/T8446的第一部分。本部分代替GB/T8446.1-1987《电力半导体器件用散热器》。本部分与GB/T8446.1-1987相比主要变化如下:—标准依据的编写规则变化较大,GB/T8446.1-1987依据的是GB1.1-1981,本部分依据的是GB/T1.1-2000;—按GB/T1.1-200。要求,增加了前言、“范围”和“规范性引用文件”两章,删去了附加说明,目次中增加了“条”层次;—适用范围扩大,由原仅适用于铸造类散热器,扩大为还适用于型材类散热
3、器(1987年版的适用范围和1.1;本版的第1章和4.1);—原作为附录C的《术语解释)(参考件),现作为第3章《术语和定义》,并补充了术语的英文名称和作了一些文字处理(1987版的附录C;本版的第3章);—增加了SF18(A),SS15和SS16三种散热器及相应的尺寸、参数指标(本版的4.3,5.3,5.4和6.3);—删去自冷片形散热器SP系列及相应的尺寸、参数指标等内容(1987年的1.3,2.1和3.3.3);—SF系列和SS系列的导电排表面粗糙度最大允许值,由原10um改为6.3t.m(1987年版的图10至图12;本版的图9
4、至图11);—散热器台面的表面粗糙度最大允许值由原2.5ttm改为1.6lim(1987年版的图3.1.3;本版的6.1.3);—SF17和SF17A的D:尺寸由原150mm改为140mm(1987年版的2.3的表10;本版的5.3的表9);—SF系列和SS系列散热器的原H:尺寸与器件高度有关,现改为一件散热体的高度尺寸(1987年版的2.3和2.4;本版的5.3和5.4);—原“SZ和SL系列的尺寸”条包括八个分条,现修改为“SZ和SL系列的导电片尺寸”和“SZ和SL系列的散热体尺寸”两条,并各有三个分条和四个分条(1987年版的2.
5、2;本版的5.1和5.2);—平板形散热器阴阳极间的绝缘耐压,由原风、水冷散热器均为8kV,修改为SS系列5W,SF系列8kV(1987年版的3.3.1和表14;本版的6.3.1和表12);—平板形散热器的“安装尺寸”参数,原为“可安装的最大管壳台面直径”D,,现修改为“可安装的器件最大直径”D.x(1987年版的3.3.3的表13;本版的6.3.3的表11);—周期检验的周期由二年改为三年(1987年版的4.2.1;本版的7.2.1);—周期检验原抽样方案(13,1),(11,1),(9,1),现统一修改为(3,0),同时删去原注①、
6、注②(1987年版的4.2.2;本版的7.2.3);—按有关标准,还做了下列编辑性修改:.www.bzxzk.com.1)“本标准”一词改为“本部分,’;GB/T8446.1-20042)螺栓形散热器导电片尺寸的符号,+8”改为H,,H:或H3(1987年版的2.2.1-2.2.3;本版的5.1.1-5.1.3);3)原图10-1和图10-2改为图9和图10;4)原SL17B和SL18B两规格型号勘误为SL17A和SL18A,明确给出SZ17A规格型号(1987版的表2、表5、表6和图7;本版的表2、表5、表7和图7);5)标准封面左上
7、角的原国际文献分类号(UDC),现改为国际标准分类号((ICS).GB/T8446是电力半导体器件用各类散热器标准和散热器选用导则构成的系列标准之一。该系列标准还包括:—JB/T5781电力半导体器件用型材散热器技术条件—JB/T8175电力半导体器件用型材散热体外形尺寸—JB/T8757电力半导体器件用热管散热器—JB/T9684电力半导体器件用散热器选用导则本部分的附录B为规范性附录,附录A为资料性附录。本部分由中国电器工业协会提出。本部分由西安电力电子技术研究所归口。本部分起草单位:江阴可控硅附件有限公司、温州市祥博电力电子有限公
8、司、襄樊仪表元件厂、盐城彩阳电器阀门有限公司、北京浙东电气制造公司、北京协利电子器件厂、西安电力电子技术研究所。本部分主要起草人:夏献忠、夏波涛、张军、桑春、黄志宏、陆正柏、秦贤满。本部分于1979年7月首
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