母线电容均压电阻的设计

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1、P1.C3–DCCapacitorNichicon450V/3300uF(3Series*4ParallelForOneBridge)*3*63300uF•4•3•2=264.mF38P1.C4–VoltageDividedResistor电容串联的不均压有两种解释：容量大公差造成了不均压――电容组被施加电压后，，原理上同一串联组内的各单体电容容量都相等，原理上同一串联组内的各单体电容容量都相等。。而容值的不同就导致了各电容电压的不同。而容值的不同就导致了各电容电压的不同...电介绝缘电阻公差造成了不均压――单体电容电压的分压等于按电阻分压方式得到的数

2、值。若只考虑容量公差，，则对于容量公差为，则对于容量公差为±±20%±20%20%的电容来说20%的电容来说，，以下应用就已经有过压的危险，以下应用就已经有过压的危险。VbusVbus=1200VVbus=1200V=1200V，=1200V，，三个，三个450V/3300uF电容(((容量公差(容量公差±±20%)±20%)20%)串联应用20%)串联应用。2.1V=1200V*=514VOvervoltageminimumcap0.8+0.8+1.29P1.C4–VoltageDividedResistor工程经验显示，，当选择的平衡电阻使得其支路

3、电流大约为其要平衡的，当选择的平衡电阻使得其支路电流大约为其要平衡的电容工作漏电流的的20的20倍时，，即可得到良好的平衡效果，即可得到良好的平衡效果。。即套用右边公式得到并联于单体电容的电阻值。即套用右边公式得到并联于单体电容的电阻值。1200V3/R==5.1Kohm.365mA*4*20Toomuchloss2(1200V)3/Ploss==107w5.1Kohm*10P1.C4–VoltageDividedResistorIc1+Ir1=Ic2+Ir2Vm=Ir1*R1Vm=(Ic2−Ic1+Ir*)2R1(V−Vm)Ir2=R2(Ic2−Ic

4、*)1R1*R2V*R1Vm=+(R1+R)2(R1+R)2中点电压由电容漏电流差（Ic2-Ic1），线路Bus电压和均压电阻（R1,R2））决定）决定，如果R1=R2，，则，则(Ic2−Ic*)1RVVm=+2211P1.C4–VoltageDividedResistor如果选取精度为±5%的电阻，R1=0.95R，R2=1.05R则则：则：(Ic2−Ic*)1R*.09975V*.095Vm1=+22(Ic2−Ic*)1R*.09975V*.105Vm2=+22假设两颗串联电容一颗漏电流最大为3.65mA，，另一颗为，另一颗为0mA，，若要使电容工

5、作在安全电压，若要使电容工作在安全电压范围内（（≤（≤450V），则则：则：V*.105800*.1052(*Vm−)2(*450−)22R=≤=2.4Kohm(Ic2−Ic*)1.09975.3(65mA*4−0mA*).09975R选择为3.5Kohm：则均压电阻电流为电容漏电流的8倍倍，倍，，串联电阻均压之后电容上电压最大值为，串联电阻均压之后电容上电压最大值为445V，R上损耗46w。12