06电力电子技术基础-B卷答案

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1、诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《电力电子技术基础》试卷注意事项：1.考前请将密封线内填写清楚；座位号2.所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)；3．考试形式：闭卷；4.本试卷共大题，满分100分，考试时间120分钟。题号一二三四五总分得分评卷人一．选择题（单选，共10分）1．关于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，下面说法错误的是()专业A．IGBT相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大B．IGBT是由MOSFET和GTR复合而制成的C．IGBT工作在开关状态时，是

2、在正向阻断区和饱和区之间转换D．开关频率介于GTR和MOSFET之间2．三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，其移相范围是())A．90°B．120°C．150°D．180°题3．单相桥式全控整流电路中，由于变压器漏感造成的换流压降为()答2不A．XBIdB．XBId学院内13C．XID．XI线BdBd2封4．下列电路中，不可以实现有源逆变的是()_____________________密A．单相双半波可控整流电路B．单相桥式半控整流电路(C．单相桥式全控整流电路D．三相桥式全控整流电路5．

3、下列可控整流电路中，输出电压谐波含量最少的是()………………………………封………………………………………线……………………………………A．三相半波B．单相双半波C．三相桥式D．十二相整流6．电压型逆变电路的特点不包含()A．直流侧接大电感B．交流侧电流接正弦波C．直流侧电压无脉动D．直流侧电流有脉动7．斩波电路实现调压的方法是()A．改变开关频率B．改变开关周期C．改变占空比D．改变负载电流学号8．三相桥式全控整流电路，阻感负载，采用同步信号为锯齿波的触发电路，同步信号正弦波落后于加于晶闸管的相电压

4、()A．90ºB．120ºC．180ºD．240º9．交－交变频电路的最高工作频率为（）11A.电源频率的2倍到3倍B.电源频率的倍到倍23C.和电源频率相同D.电源频率的整数倍姓名《》试卷第1页共6页………………………………………………………密………………线………………………………………10．SPWM的电路基波是()A．正弦波B．三角波C．锯齿波D．方波二．是非判断题（共10分）1．“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。…………()2．达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关

5、管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管属电压驱动型开关管。……………………………………………()3．对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电流、单相半波可控整流电流和单相双半波直流电路。……………………………()4．导致开关损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障。…………………()5．对于三相半波整流电路，电阻性负载，当Id一定时，流过晶闸管的电流有效值IT随控制角α的增加而增加。…………………………………………………………()6．对于三相半波整流电路电

6、阻性负载，当α＝45º，u100V时，输出电压平均值约2为85V。…………………………………………………………………………()7．在SPWM控制的逆变电路中，载波频率越高，谐波频率也就越高，高次谐波也就越容易滤除。………………………………………………………………………()8．在GTR的驱动电路设计中，为了使GTR快速导通，应尽可能使基极驱动电流大些。……………………………………………………………………………()9．尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可作为晶闸管的门极控制信号。……………()10．在有

7、源逆变电路中，当某一晶闸管发生故障，失去开通能力，则会导致逆变失败。……………………………………………………………………………()三．填空题（每题3分，共15分）1．正弦脉宽调制（SPWM）技术用于电压型逆变电路中，当改变可改变逆变器输出电压幅值；改变可改变逆变器输出电压频率；改变可改变开关管的工作频率。2．三相桥式可控整流电路，若输入电压为u100sint，电阻性负载，设控制角230，则输出电压Ud＝。3．设DC-DC变换器的Boost电路中，U10.0V，D=0.7，则U＝。io4．

8、单相双半波（又称单相全波）可控整流电路，如VT1图1所示，该变压器直流磁化问题（填有无），在电阻性负载时，晶闸管承受的最大正向电压TuR2为，最大反向电压为。u15．在电力电子电路中，常设缓冲电路，其作用u是2VT2。图1《》试卷第2页共6页四．计算题（共35分）1．三相全控桥式整流电路，电阻性负载，U100V，R10，求302d时，Ud，Id和IVT的值，并画出电压ud的波形和通过VT1的电流波形。（20分）U332（U2.34Ucos，I1co