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时间：2019-09-10
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1、sGDP型衬底图161N沟道增强型MOSFET的结构示虑图和符号sGD卩用时眦八：穴・电『<300PVHlt(a)(b)图162栅源电压对沟道的影响lllllIlli(a)(b)(c)(c)P竹他(b)图163漏源电压“Ds对沟道的影响预来断轨迹电5152^(a)输出特性曲线图164漏极输出特性曲线和转移特性曲线(a)结构示意图(b)符号(c)转移特性曲线图165N沟道耗尽mMOSFET的结构和转移特性llll线SO(a)结构D(b)符号图166结型场效应晶体管的结构与符号si°2(=£^^p-NP*(a)(b)(c)图167%s对沟道控制作用的示意图N—!预夹断(b)图
2、168漏源电压对沟道的控制作用预夹断区(c)
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