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时间:2019-09-09
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1、第7章辅助元器件和系统7辅助元器件和系统7.1触发控制器7.2过电流保护和过电压保护7.3开关器件的开通、关断过程及安全工作区7.4缓冲器7.5电感(电抗器)、方波变压器和脉冲变压器7.6滤波器7.7散热系统7.8控制系统和辅助系统小结电力电子变换器中,周期性地改变开关的通、断状态,可实现DC/DC、DC/AC、AC/DC、AC/AC电力变换和控制。电力电子变换器中除开关电路外,还必须有一些辅助元器件和系统,如触发驱动器、过流过压保护系统、缓冲器、电感、电容、变压器、滤波器、散热系统、辅助电源、控制系统等。本章介绍这些辅助元器件和系统7.0辅助元器件和系统电力电子变换器系统框图示例7.1
2、触发控制器触发控制器从控制系统接收控制信号,经过处理后输出触发驱动电压(电流),开通或关断元器件,不同的开关器件,不同的应用情况,要求不同的触发驱动器,已有各类开关元器件的触发驱动器可供选用。7.1触发控制器7.1.1晶闸管SCR触发驱动器7.1.2GTO的触发驱动器7.1.3BJT的驱动器7.1.4P-MOSFET、IGBT的驱动器图7.1有隔离变压器的SCR驱动器SCR只要求有脉冲电流触发其开通,脉冲电流Ig上升沿要陡,强触发数值要足够大(脉冲足以使SCR立即开通)7.1.1晶闸管SCR触发驱动器7.1.1晶闸管SCR触发驱动器(续1)由发光二极管LED和光控晶闸管LAT组成光电耦合
3、隔离较变压器隔离电磁干扰小,但光控晶闸管LAT必须能承受电路的高压快速光耦响应时间可小于1.5μs高压电力系统、直流输电等用的SCR触发器大都采用光纤电缆传送驱动信号7.1.2GTO的触发驱动器GTO要求有正值门极脉冲电流+Ig触发其开通,负值脉冲电流-Ig使其关断MOS管M1、M2接收从控制系统输入的高频互补式方波电压后,向GTO输出+Ig触发其开通,并使C充电。要关断已处于通态的GTO(M1、M2已无输入信号)时,需触发开通SCR,C放电形成-Ig,关断GTOBJT理想驱动条件及理想波形7.1.3BJT的驱动器基极驱动电流的波形:晶体管开通的瞬间,驱动电流应有足够陡的前沿和比稳态
4、驱动电流大得多的前沿峰值电流,以保证晶体管迅速进入饱和状态;基极电流的稳态值:应使晶体管处于饱和或临界饱和状态,以降低通态损耗;驱动电流后沿加一个较大的负电流:以保证迅速地将晶体管b-e之间的结间存储电荷抽出,加快关断过程,降低开关损耗,并有利于提高开关频率。基极驱动电路必须隔离,响应快,波形不失真。有过流或晶体管进入放大区工作的保护功能。7.1.3BJT的驱动器(续1)BJT要求有正值基极电流+IB强触发开通,并要求有持续的较小的驱动电流,保持其通态。最好有-IB使其关断时间缩短,有较小的负基极电流维持其可靠的断态与R并联的C提供了强触发+IG输入端P为低电平时,TR1通,TR2通,有
5、+iG驱动BJT输入端为高电平时,TR1断,TR3通,C经TR3放电,形成BJT关断所需的-iBP点有输入信号时,反相器输出VB=0,光耦驱动器TL1导通使A点为高电位,经R1使T1导通,为BJT提供+IB当P点无输入信号时,VP=0,光耦驱动LT2导通,使A点为低电位,T2导通,C经T2、R2放电,为BJT提供关断电流-IB7.1.3BJT的驱动器(续2)BJT除了上面讲到的那些驱动器外,还有这样的一些驱动电路7.1.3BJT的驱动器(续3)7.1.4P-MOSFET、IGBT的驱动器一般选取正UGE=12~15V,关断过程中,为尽快使栅极输入电容放完电,并将P-MOSFET或IGB
6、T置于反偏的最大安全工作区,应施加一负偏压UGE,但它受IGBT的GE间最大反向耐压限制,一般取-2~-10V7.1.4P-MOSFET、IGBT的驱动器(续1)P-MOSFET、IGBT等都是电压型驱动器件,要求有持续的电平+VG使其开通并保持其通态;关断时最好加持续的负电平-VG,并维持其可靠的断态P有正信号输入时,AM截止,开通P-MOSFET;P=0时,AM开通,C放电,P-MOSFET截止7.1.4P-MOSFET、IGBT的驱动器(续2)P有正信号输入时,放大器输出A点正电位使T1导通,P-MOSFET开通,并保持通态P无信号输入时,A点为负电位,T2导通,稳压管DZ两端电压
7、抽出C电荷,并在P-MOSFET管上栅-源极加负压,使其关断并保持断态7.2过电流保护和过电压保护7.2.1过电流保护7.2.2过电压保护7.2.3开关管串并联均压均流保护7.2.1过电流保护可同时采用多种过流(过载、短路)保护,各尽所能协调配合,实现可靠地选择性保护。电子保护:动作阈值高,延时小,封锁脉冲,停机快速熔断器:既可作短路保护又可作过载保护SCR被触发导通,烧断熔断器,切断电路开关管设死区延时开通,防止直通7.2.2过
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