VASP计算方法

《VASP计算方法》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、VASP计算方法总结1静态计算计算方法：IBRION=-1NSW=02结构优化计算方法：①只进行离子弛豫IBRION=2ISIF=2②块体晶格参数优化IBRION=2ISIF=3③二维材料晶格参数优化方法一（需编译）方法二方法三IBRION=2IBRION=2IBRION=2ISIF=3ISIF=4ISIF=3OPTCELL写入110高精度计算高精度计算高精度计算加超大真空层13表面能计算方法：1)块体晶体晶格参数优化；静态计算；得能量Eb2)优化的块体切slab；静态计算；得Es13)将slab模型离子弛豫；静态计算；得Es24)γ=（Es1–N*（Eb

2、/n））/2A+（Es2–Es1）/A计算步骤：1strustatic表面能2slab3optislabstatic4功函数计算方法：1)块体晶格参数优化；切slab模型；离子弛豫2)修改INCAR（LVHAR=.TRUE.）；静态计算3)W=Ve-EF2计算步骤：1strustatic表面能2slabstatic3optislabworkfunction5吸附能计算方法：1)块体和二维材料(D)晶格参数优化2)块体切slab；构建slab吸附模型3)slab吸附模型去slab；二维材料离子弛豫；静态计算4)slab吸附模型去二维材料；slab离子弛豫；静

3、态计算5)slab吸附模型离子弛豫；静态计算6)Eabs=Emetal-D–Emetal–ED计算步骤：1strustatic吸附能2slabstatic3slabDstatic36差分电荷密度计算方法：1)完成吸附能计算2)Slab吸附模型静态计算时得ρab3)Slab吸附模型CONTCAR去slab；二维材料静态计算得ρa4)Slab吸附模型CONTCAR去二维材料；slab静态计算得ρb5)△ρ=ρab–ρa–ρb计算步骤：1strustatic2slabstatic吸附能Dcharge3slabDstaticslabcharge7DOS计算方法：1

4、)模型优化完成2)自洽计算得到CHGCAR（DOS文件夹下）ISMEAR=-5LCHARG=.TRUE.4小密度k点（总k点>4）3)非自洽计算得到vasprun.xml（PDOS文件夹下）ISMEAR=-5ISTART=1ICHARG=11LORBIT=11NEDOS=1000大密度k点计算步骤：DOSPDOS8能带计算计算方法：1)模型优化完成2)自洽计算得到CHGCAR（同上）ISMEAR=-5LCHARG=.TRUE.小密度k点（总k点>4）53)非自洽计算得到vasprun.xml（BAND文件下）a)INCARISMEAR≠-5ISTART=1

5、ICHARG=11LORBIT=11NEDOS=1000大密度k点NBANDS可适当增大b)KPOINTS写syml文件（用pand.x时，E-fermi得重写）；gk.x一下计算步骤：PDOSDOSBAND6