2019年度高新技术发展及产业化重点研发

2019年度高新技术发展及产业化重点研发

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1、附件22019年度高新技术发展及产业化重点研发项目申报指南(该指南在线填写“四川省重点研发项目申报书”)2019年,高新技术发展及产业化重点研发项目分为高新技术发展及产业化重点项目、高新技术发展及产业化面上项目和军民融合科技创新重点研发项目三类。—、资金支持方式专项资金采取前补助支持方式。二、支持类型和经费按照高新技术发展及产业化重点项目、高新技术发展及产业化面上项目和军民融合科技创新重点研发项目进行分类支持。(一)高新技术发展及产业化重点项目。根据我省产业发展实际,围绕贯彻落实《中共四川省委关于深入学习贯彻习近平总书记对四川工作系列重要

2、指示精神的决定》和《中共四川省委关于全面推动高质量发展的决定》,构建“5+1”产业体系,为全省形成“一干多支、五区协同”发展格局提供科技支撑,加快打造一批具有国际领先水平和区域辐射带动力的现代产业集群,以企业为主体,鼓励产学研联合,支持在高新技术产业区、产业化示范基地和各市(州)布局的重大产业化项目。除特别说明外,经费支持额度一般不超过50万元,具体见指南有关说明。(二)高新技术发展及产业化面上项目。面向高等院校、科研院所和科技型中小企业,围绕《中共四川省委关于深入学习贯彻习近平总书记对四川工作系列重要指示精神的决定》和《中共四川省委关于

3、全面推动高质量发展的决定》,以增强自主创新能力为核心,发挥省级科技计划的引导作用,注重解决当前和未来一段时间市场需求和产业升级的新技术、新材料、新产品、新工艺等应用研究和集成示范,注重与应用基础研究的衔接,注重和扩大在创新中科技人员的自主权和鼓励自由探索,形成一批面向高新技术产业领域、促进经济高质量发展的科技成果。高等院校、科研院所申报的项目,支持经费不超过20万元;高新技术企业、科技型中小企业申报的项目,支持经费不超过30万元。(三)军民融合科技创新重点研发项目。军民融合科技创新重点研发项目。面向高等院校、科研院所和科技型军民融合企业,

4、根据科技部、中央军委科技委《科技军民融合重点专项实施方案》《四川省“十三五”科技创新规划》《四川省“十三五”军民融合发展规划》要求,深入贯彻落实省委十一届三次全会精神,结合四川省军民融合发展的重点技术、重点方向和优势领域,以科技军民融合自主创新为核心,发挥省级科技计划的引导作用,重点支持当前和未来一段时间符合四川省军民融合发展方向的新技术、新材料、新产品、新工艺等,着力形成一批面向军民融合产业领域的科技成果,为构建军民科技协同创新体系提供科技支撑。高等院校、科研院所申报的项目,支持经费不超过30万元;企业申报的项目,支持经费不超过50万元

5、。三、实施周期一般为两年,2019年1月至2020年12月。四、支持重点(一)高新技术发展及产业化重点项目。高新技术发展及产业化重点项目的支持对象为相关行业龙头骨干企业、高新技术企业、创新型企业等。推荐立项时,已有在研项目,未完成验收的,不予立项(中央在川企业、川省100家大企业大集团除外)。1.电子信息。有关说明:要求企业(含转制科研院所)牵头,鼓励产学研联合申报;支持经费不超过50万元;牵头企业注册资金不低于800万元或上年度营业收入不低于1000万元,自筹与申请经费比例不低于l:lo重点方向:(1)宽禁带硅基氮化铢高压功率集成技术与

6、关键工艺研究。研究硅基氮化铢高压功率器件结构设计与关键制备工艺,开发低导通电阻增强型与耗尽型硅基氮化铢高压功率器件、氮化铢高压功率器件专用驱动电路。(2)航天级毫米波收发核心芯片关键技术研究。研究超低功耗高集成度芯片设计、多通道高精度信号相位加权控制、多通道高精度信号幅度加权控制、多波束信号合成与分发、抗辐照芯片加固设计关键技术,开发毫米波收发核心芯片。(3)高性能LED芯片关键技术研究与应用。研究LED晶片封装设计技术,攻克晶片支架封装关键技术,研制散热快、功效高、亮度高、寿命长的大功率灯珠,并实现批量生产。(4)磁集成贴装磁屏蔽功率电

7、感器关键技术研究及应用示范。研究铁氧体外壳材料与金属磁粉芯材料配方及制备工艺,突破磁集成贴装磁屏蔽功率电感器关键制备技术,研制磁集成贴装磁屏蔽功率电感器。⑸IPv6网络前沿技术研究与应用。研究IPv6新型网络体系结构、编址路由、网络虚拟化、网络智能化、IPv6安全可信体系等关键技术,研发IPv6环境下软硬件系统并开展应用示范。(6)5G通信系统关键器件开发。研究5G通信系统中低成本硬件设计关键技术,开发毫米波多功能收发滤波集成磁性器件、5G终端MIMO天线或5G网高速率光传输连接器,并在5G网络环境中进行应用不范。(7)自主可控分布式数据

8、库及开发工具。研究动态、自适应与扩展能力的分布式数据库架构技术,研制支持国产芯片硬件平台的TB至PB级国产自主可控数据库,研发相应的安全高效应用快速开发框架和集成开发环境。(8)高密度、高频电

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