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1、楷体，3号1・5倍行距,段前0行，段后0.5行单层膜巨磁阻抗效应的研究现状与进展注：红色字体部分为'课题名称，应根据所选课题做相应的改动'注：黑色字体部分可'根据所选课题做适当的改动，如直接采•的文献综述等。黑体加粗，5号1.5倍行距学生姓名：徐晓锦指导教师：陈卫楷体，4号单倍行距摘要：木文简要介绍了巨磁阻抗效应及其理论研究概况，阐述单层膜横向各迥冕—率和外加肓流磁场方向对巨磁阻抗效应的影响，并介绍其研究发展趋势。'宋体，5号1.5倍行距、段前0行，段后0行键词：巨磁阻抗效应；单层膜；趋肤效应T宋体，5号1.5倍行距煲体加粗，5号J1T课题査暑、段前0行，段后0行'标题1：大纲级别
2、1,黑体，4号，单倍、山在FeCoSiB非晶丝中首次发现亠’_.行距，段前1行，段后1行自从1992年，由日入巨磁阻抗效应以来，巨磁阻抗效应材料受到材料科技工作者的高度重视。材料的阻抗随外加直流磁场的变化而变化的现象称为巨磁阻抗效应(Gaintmagneto-impedanceeffect),简称GMI效应⑴。该效应具冇高灵敏度、低饱和场、响应快、无磁滞、稳定性好的优点，在磁记录和磁传感器⑴勺等方面有着巨大的应用前景，成为现代磁电子学领域中的研究热点之一⑵。正文：首行缩进2字符,宋体，小4号，1.5倍行距,段前0行,段后0行2.研究现状大纲级别1,黑体，4号，单倍行距，段前1行，段
3、后1行从理论上讲，薄膜的巨磁阻抗效应可以利用经典电动力学和铁磁学进行解释。GMI效应是一种经典电磁效应。在高频下，外加直流磁场通过改变材料的有效磁导率来改变高频电流的趋肤深度，从而间接改变材料的阻抗。642O642O&二Z/ZV)8-4自1992年K.Mohri等人在FeCoSiB非品丝中发现巨磁阻抗效应至今仅十几年时间，所以目前对它的研究仅仅处于起步阶段。人们对GMI效应的研究从Co基和Fe基非晶及纳米晶软磁合金细丝、薄带和薄膜，扩大到复合丝、三明治带和多层膜材料。随着现代信息技术的发展，促使电子领域小的器件向微型化，集成化方向发展。因为薄膜的制备与集成电路工艺具有兼容性，所以具
4、有巨磁阻抗效应的软磁薄膜在集成电路和传感器等技术领域具冇广阔的应用前景。而单层膜的研究更是因为在工艺和测试上存在巨大的困难而进展缓慢。这导致科学工作者对它的研究仍将继续深入下去。目询对于单层膜巨磁阻抗效应的物理本质仍不十分清楚，解决这一问题的关键在于建立能清晰和有效描述磁导率与外磁场之间关系的物理模型，而这一工作无疑具有很大的难度和挑战性。/另起一页题目：参考文献Timesnewroman,5号，1.5倍行距，段前（）行，段后（）行endentimpedentspectraof大纲级别1,黑体，4号，1.5倍行距,段前1.5行,段后1.5、行[1JR.S.Beach,A.E・Ber
5、kowit乙Sensitivefieldandfrequency-amorphousFeCoSiBwireandribbon[J].J.Appl.Phys.,1994,（76）,6209-6211.[2]陈卫平，萧淑琴，王文静，刘宜华.沉积态(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03软磁合金薄膜的磁性和巨宋体,5号,1.5倍行距段前0行，段后0行磁阻抗效应[J]・金属学报，2004,(12),1295-1296.说明：1、与论文中的参考文献格式保持一致；2、所列参考文献要与任务书所列的参考文献有连贯性。1专著著录格式(宋休/TimesNewRoman,五号)[序号]著者.书名[M]
6、.版本(第一版不写).出版地：出版者，出版年.起止页码例：11]孙家广，杨长青.计算机图形学[M].北京：清华大学出版社，1995.26〜28[2]SunJiaguang,YangChangqing.Computergraphics[MJ.Beijing:TsinghuaUniversityPress,1995.26〜28(inChinese)例：⑶SkolinkMI.Radarhandbook[M].NewYork:McGraw-Hill,19902期刊著录格式[序号]作者.题名[J]・刊名,出版年份，卷号(期号):起止页码例：14]李旭东，宗光华，毕树主，等.生物工程微操作机器
7、人视觉系统的研究[J].北京航空航大大学学报，2002,28(3):249〜252[5]LiXudong,ZongGuanghua,BiShusheng,etal.Researchonglobalvisionsystemforbioengineering-orientedmicromanipulationrobotsystem[JJ.JournalofBeijingUniversityofAeronauticsandAstronautics,2002,28(3):24
