半导体物理A卷模拟

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1、2010-2011学年第二学期《半导体物理学》课内考试卷（A卷）授课班号年级专业学号姓名得分评阅人一、选择题1.电子在晶体中的共有化运动指的是A.电子在品体中各处岀现的儿率相同B.电子在晶体元胞中出现的儿率相同C.电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同D.电了在晶体各元胞对应点冇相同的相位2.如果n型半导体的导带极值在［111］轴及对称方向上，当磁场沿［110］方向时，测的共振吸收峰的个数是oA.1个B.2个C.3个D.4个3、某一半导体掺施主杂质浓度Nd=5xlO^Vcm3,当温度为500K时，m二7x1014/cm3.则电子和空穴的浓度分别近似为oA.n（）=1.2

2、xlO'Vcm3po=lx1015/cm3C.no=5x10l4/cm3po=lx1015/cm3B.D.p0=4x10H/cm3p（＞=5xlO'Vcm*n0=lx1014/cm3po=7x10l5/cm34.有效复合中心的能级通常都是靠近A.EcB・EvC.EjD.Ef5.简并半导体是指的半导体。A.（Ec・Ef）或（Ef・Ev）W0B・（Ec・Ef）或（Ef・EQ20C.能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度D.导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子6.在GaAs中熔入GaP可使其A.禁带变宽C.禁带变窄B.增加电子陷阱D.增加空穴陷阱河海大学常州校区考试试卷第1页（

3、共5页）题号二三四五总分审核题分得分7.木征半导体是指的半导体。A.不含杂质与缺陷B.电子密度与空穴密度相等C.电阻率最高D.电子密度与本征载流子密度相等8.若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定oA.不含施主杂质B.不含受主杂质C.不含任何杂质D.处于绝对零度9・若浓度为Ni的复合中心掺入本征硅，设其能级位于禁带中央，起电子和空穴的俘获系数分别为&和—，则小注入寿命为OA.1/NtfpB.1/NtrnC.l/Ntrp+i/NtrnD.l/Ng10.半导体中的载流了的扩散系数决定于其中的cA.散射机构B.复合机构C.杂质浓度梯度D.表面复合速度11.重空穴

4、指的是oA.质量较大的原子组成的半导体中的空穴B.价带顶附近Illi率较人的等能面上的空穴C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D.自旋一轨道藕合分裂出來的能带上的空穴12.硅中掺金的工艺主要用于制造的器件。A.高可靠性B.高反压C.高频D.大功率13.根据费米分布函数，电了占据（Ef+KT）能级的几率oA.等于空穴占据（Ef+KT）的几率B.等于空穴占据（Ef-KT）的儿率C.大于电子占据Ef的儿率D.大于空穴占据Ef的几率14.公式U=qT/m*中的T是载流子的oA.渡越吋间B.寿命C.平均自山吋间D.扩散系数15.3个硅样品的掺杂情况如下：甲.含掾1x1017/

5、cm3乙.含磷1x1O^/cm3丙.不掺杂这些样品在室温下费米能级由底到高的（以Ev为基准）的顺序是。A.卬乙丙B.甲丙乙C.乙丙甲D.丙甲乙得分评阅人1、有效质量的意义是填空题2.半导体的状态密度意义为3.影响半导体散射的两种机制为及4.半导体中载流子电场作用下的运动称为,由浓度梯度引起的载流了运动称为5.爱因斯坦关系为最有效的复合中心能级在6.PN结被击穿的三种方式为,,。7.扩散长度是指o8.半导体势垒电容是由于而产牛的扩散电容是由于09.载流子复合放出能量的方法有哪三种,,o10.计算半导体中载流子浓度时，不能使用玻耳兹曼统计代替费米统计的判定条件是，这种半导

6、体被称为O得分评阅人三、简答题（4题共56分）1•简述热平衡状态下的p-n结的形成的物理机理及其用途。2.以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。3.以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。4.定性解释如图硅电阻率和温度的关系。APC>T硅电阻率与温度关系示意图5、定性解释如图n型Si屮导带电子浓度和温度的关系。T(K>n型Si屮导带电子浓度和温度的关系曲线6、定性解释如图S冲不同掺杂浓度条件下费米能级与温度的关系。Si屮不同掺朵浓度条件下费米能级与泪度的关系