实验六变容二极管调频

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1、实验六变容二极管调频实验一、实验目的1.掌握变容二极管调频电路的原理。2・了解调频调制特性及测量方法。3・观察寄生调幅现象，了解其产生及消除的方法。二、实验内容1.测试变容二极管的静态调至特性。2.观察调制波波形。3.观察调制信号振幅吋对频偏的影响。4.4.观察寄牛调幅现象。三、实验原理及电路1・变容二极管工作原理调制即为载波的瞬间频率受调制信号的控制。其频率的变化量与调制信号成线性关系。常用变容二极管实现调频。变容二极管调至电路如图所示。DW1100KR2广47KC93K5.1R3n2K104丄CIO一lOOuR611OKR8100Kr>l

2、680KIDW3C2001丄y3OK1

3、0P35乍772P3/00$T5K2—一O1C5IH20PC65/2°fLIr>433uhJC3/3300PR7100KCl20P3Q41K3R5/10100K51KPR5310K固定电感_12VRFC1DW24〈Fyf>COUT使变容二极管的瞬吋反向偏置电压在静态反向偏置电压的基础上按调制信号的规律变化，从而使振荡频率也随调制电压的规律变化，此时从J1处输出为调频波(FM)oC15为变容二级管的高频通路，J为音频信号提供低频通路，J和C23可阻止高频振荡信号进入调制信号源。图2-3-8表示出了当变容二极管在低频正弦调制信号作用情况下，电容和振荡频率的变化示意图。在图2-3-8(a

4、)屮，5是加到变容二极管的直流电压，当u=U°吋，电容值为Coo是调制电压，当必为正半周时，变容二极管负极电位升高，即反向偏压增人，变容罚电曲■!帼压关糸町扁测淖与压关系二极管的电容减小；当UQ为负半周时，变容二极管负极电位降低，即反向偏压减小，变容二极管的电容增大。在图2-3-8(a)中，対应于静止状态，变容二极悖的电J=I容为Co,此时振荡频率为f。。因为细0,所以电容小时，振荡频率高，而电容人时，振荡频率低。从图2-3-8(a)中可以看到，由于C-u

5、11

6、线的非线性，虽然调制电压是一个正弦波，但电容随时间的变化是非f=_!_正弦波形，但是由于2jfJ£C,f和c的关系也是非

7、线性。不难看出，c-u和f-c的非线性关系起着抵消作用，即得到f・u的关系趋于线性，见图2-3-8(c)o1、变容二极管调频器获得线性调制的条件设回路电感为L,回路的电容是变容二极管的电容C(暂时不考虑杂散电容及其它与变容二极管相串联或并联电容的影响)，则振荡频率为/2^[LC(2.3.17)为了获得线性调制，频率振荡应该与调制电压成线性关系，用数学表示为式屮A是一个常数，由以上二式可得将上式两边平方并移项可得c=(2.3.18)这即是变容二极管调频器获得线性调制的条件。这就是说，当电容C与电压u的平方成反比时，振荡频率就与调制电压成正比。2、调频灵敏度调频灵敏度号定义为每单位调

8、制电压所产牛的频偏。设回路电容的C・uIlli线町表示为C=Bu*(2.3.19)式屮B为一管子结构即电路串、并固定电容有关的参数。将上式代入振荡频率的表示式(2.3.17)中，可得调制灵敏度当n=2吋&U4X-JZB(2321)(2.3.22)设变容二极管在调制电压为零时的直流电压为U。，相应的回路电容量为Co,振荡频率为由(2318)有则有(2-3-23)上式表明，在n=2的条件下，调制灵敏度与调制电压无关（这就是线性调制的条件），而与中心振荡频率成止比，与变容二极管的直流偏压成反比。它给我们一个启示，为了提高调制灵敏度，在不影响线性的条件下，直流偏压应该尽可能低些，当某一变容

9、二极管能使总电容C・u特性曲线的n=2的直线段愈靠近偏压小的区域时，那么，采用该变容二极管所能得到的调制灵敏度就愈高。当我们采用串联和并联固泄电容以及控制高频振荡电压等方法來获得C・u特性n=2的线性段时，如果能使该线性段尽可能移向电压低的区域，那么对提高调制灵敏度是有利的。由式（2.3.21）可以看出，如果对调频器的调制线性没有要求，n值愈人，调制灵敏度越高。因此，选用n值大的变容管，电路不外接串联或并联固定电容，就可以获得较高的调制灵敏度。四、实验步骤1.静态调制特性测量（参见模块二课题一图2-1-21,图2-1-22）将电路接成压控振荡器，J2端不接音频信号，将频率计接于J1

10、处，调节电位器W”记下变容二极管D】、D?两端电压和对应输出频率，并记于下表小。VD1(V)6.25.67865432Fo(MHz)4.424.444.464.54384.364.344.44.42四、实验仪器1、高频实验箱1台2、双踪示波器1台3、万用表1块