实验五用模拟法测绘静电场

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1、实验五用模拟法测绘静电场预习重点1.用稳恒电流场模拟法测绘静电场的原理和方法。2.预习两点电荷、同轴柱面、聚焦电极的电场分布悄况。实验目的1.学习用稳恒电流场模拟法测绘静电场的原理和方法。2.加深对电场强度和电位概念的理解。3.测绘点状电极、同心圆电极、聚焦电极的电场分布情况实验原理由于带电体的形状比较复杂，其周围静电场的分布情况很难用理论方法进行计算。同时仪表（或其探测头）放入静电场，总要使被测场原有分布状态发生畸变，不可能用实验手段直接测绘真实的静电场。本实验采用模拟法，通过点状电极、同心岡电极、聚焦电极产生的稳恒电流场分

2、別模拟两点电荷、同轴柱面带电体、聚焦电极形状的带电体产生的静电场。一、模拟的理论依据为了克服直接测量静电场的困难，可以仿造一个与待测静电场分布完全一样的电流场,用容易直接测量的电流场去模拟静电场。静电场与稳恒电流场本是两种不同的场，但是两者ZI'川在一定条件下具冇相似的空间分布，即两种场遵守的规律在数学形式上相似。対于静电场，电场强度在无源区域内满足以下积分关系WEds=0曲E•dl=0SI对于稳恒电流场，电流密度矢量/在无源区域内也满足类似的积分关系]Jj/•ds=0阳•dZ=0$/由此可见，E和丿在各自区域中所遵从的物理规

3、律冇同样的数学表达形式。若稳恒电流场空间均匀充满了电导率为/的不良导体，不良导体内的电场强度E'与电流密度矢SJZ间遵循欧姆定律：J=aEf因而，E和E’在各自的区域中也满足同样的数学规律。在相同边界条件下，由电动力学的理论町以严格证明：具有相同边界条件的相同方程，解的形式也相同。因此，可以用稳恒电流场来模拟静电场。二、模拟长同轴圆柱形电缆的静电场利用稳恒电流场与相应的静电场在空问形式上的一致性，只要保证电极形状一立，电极电位不变，空间介质均匀，则在任何一个考察点，均应有“U^=U,^”或“£稳恒二丽电”。以卜•以同轴圆柱形电

4、缆的静电场和相应的模拟场一一稳恒电流场来讨论这种等效性。U)图32.5.1同轴电缆及其静电场分布(b)如图2.5」（°）所示，在真空中有一半径为比的长圆柱形导休/和一个内径为®的长圆筒形导体它们同轴放置，分别带等量异号电荷。由对称性可知，在垂直于轴线的任一个截而S内，都有均匀分布的辐射状电力线，这是一个与轴向坐标无关而与径向坐标有关的二维场。取二维场中电场强度E平行于卩平面，则其等位面为一簇同轴岡柱面。因此，只需研究任一垂直横截面上的电场分布即可。距轴心。半径为尸处［见图2.5.1（b）］的各点电场强度为式中，几为4（或B）的

5、电荷线密度。其电位为UM；Ed=U厂走忙(2.5.1)若尸厲时U尸5=0,则有代入式（2.5.1）得(2.5.2)距中心，•处电场强度为(2.5.3)若上述圆柱形导体力与圆筒形导体B之间不是真空，而是均匀地充满了一•种电导率为＜7的不良导体，且/和B分别与直流电源的正负极相连（见图2.5.2）,则在/、B间将形成径向(a)(b)图25.2同轴电缆的模拟模型电流，建立起一个稳恒电流场E；。可以证明不良导体中的稳恒电流场E：与原真空中的静电场&是和同的。取高度为f的圆柱形同轴不良导体片来研究。设材料的电阻率为二1/力，则从半径为r

6、的岡周到半径为M的岡周Z间的不良导体薄块的电阻为半径r到心之间的圆柱片电阻为27rt'r17Ctr由此可知，半径心到®Z间圆柱片的电阻为(2.5.4)(2.5.5)若设UZ则径向电流为距中心厂处的电位为Ug")5(也)则稳恒电流场E；为"辽亘Ldrln^r可见式(2.5.4)与式(2.5.2)具有相同形式，说明稳恒电流场与静电场的电位分布函数完全相同，即柱面Z间的电位U,•与血均为直线关系，并.0.Ur/Ua即和対电位仅是朋标的函数，与电场电位的绝対值无关。显而易见，稳恒电流场E与静电场E的分布也是相同的。三、模拟条件用稳恒电

7、流场模拟静电场的条件可以归纳为下列三点。（1）稳恒电流场中的电极形状应与被模拟的静电场中的带电体几何形状相同；（2）稳恒电流场中的导电介质应是不良导体且电导率分布均匀，并满足"电扱＞"导电质才能保证电流场中的电极（良导体）的表而也近似是一个等位而。（3）模拟所用电极系统与被模拟静电场的边界条件相同。四、静电场的测绘方法市式（2.5.3）式可知，场强E在数值上等于电位梯度，方向指向电位降落的方向。考虑到E是矢量，而电位（/是标量，从实验测量來讲，测尬电位比测尬场强容易实现，所以可先测绘等位线，然厉根据电场线与等位线正交的原理，画

8、出电场线。实验仪器本实验用DZ-2型静电场描绘仪来测量电流场中各点电位。描绘仪分为电源、电极架、同步探针和水槽电极等几部分。见图2.5.3一、仪器介绍1.电极架电极架分为上、下两层。上层用来放记录纸，下层放待测水槽电极。2.水槽电极水槽电极是将不同形状的金属电极固定在有机玻璃