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1、、填空题1、回旋共振实验中，电子的回旋频率Wc=^4,当交变叫电磁场频率等于回旋频率时，就发生共振吸收。2、当电子在能带与能带之间的跃迁所形成的吸收过程称为本征吸收,要发生这种吸收，光子能量必须满足一等于或大于禁带宽度仝。3、潜能级杂质在半导体中的主要作用是改变半导体的导电类型，而深能级杂质在半导体中则主要充当_复合中心。4、没有杂质和缺陷的半导体称为本征半导体，室温下，该类半导体硅、错的费米能级位于禁带中心位置附近。5、已知某半导体材料厚度为d,吸收系数为a,界面的反射系数为R。一束光强为人的光照射该半导体，可知反射光的光
2、强为竺，透过半导体的出射光光强为（1一r）h°6、金属一绝缘层一n型半导体构成的理想MIS结构，当半导体表面多子积累，表面势Vs为负（正、负），当半导体表面多子耗尽时,表面势Vs为正（正、负）。7、对pn结施加的反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然迅速增大的现象称为一PN结击穿基本原因是载流子数量迅速增大8、半导体中载流子在运动过程中遭到散射的根本原因是周期性势场被破坏。9、非平衡载流子的平均生存时间t称为非平衡载流子的寿命,已知某n型硅样品，t=20//5,Ap=iolocm-3,则该样品中非平衡载流子的复合率为5X
3、1O%、”3.Q。10、杂质原子进入半导体材料后，按照占据形式的不同,可分为间隙式和替位式O11、半导体硅中掺入杂质镣，杂质电离后，形成受主_杂质（施主或受主），导电一空穴（电子或空穴）增多，增强了硅的导电能力。二、选择题1、非直接跃迁过程中，电子不仅吸收光子，同时还和晶格交换一定的能量，放出或吸收（B）A、空穴B、声子C、原子D、激子2、下列选项中不属于MIS理想结构满足的条件是（D）A、金属与半导体间功函数差为零B、绝缘层内没有任何电荷且完全不导电C、绝缘体与半导体界面处不存在任何表面态D、半导体中没有杂质和缺陷3、pn
4、结加上反向电压时，势垒区电场（A）,漂移电流（A）扩散电流。A、增强大于B、增强小于C、减小大于D、减小小于4、载流子从高能级向低能级跃迁发生电子空穴复合时,把多余能量传给另一个载流子,使这个载流子被激发到能量更高的能级上去，这种复合是（A）A、俄歇复合B、直接复合C、光复合D、辐射复5、当半导体中载流子浓度np=tv2在（C）条件下成立。A、简并非平衡B、弱简并平衡C、非简并热平衡D、任何外加条件6、电子杂质散射几率Pi*M厂"2,若同时存在施主和受主杂质，杂质浓度分别为心、Na,且满足7>叫，则N尸（C）A、nd-NaB
5、、nd+NaC、D、Na7、体积为V的半导体，波矢空间中的电子态密度为（B）A、VB、2VC、4切（2加）％（£-&.）%//『D、4丹（2加）％偲8、半导体的陷阱中心使其光电导灵敏度（C）A、没有影响B、减弱C、增强9、补偿的杂质半导体材料中，Nd>N「电离杂质散射的散射几率为（B）A、Hoc（ND+NJT"B、Pioc（7VD-7VjT-3/2C、Pioc（nd4-njt3/2D、Pioc（7vD-^A）T3/210、/j=qT/m中的7■是载流子的（C）A、渡越时间B、寿命C、平均自由时间D、扩散系数1、解释何谓异质结
6、，以导电类型来分，异质结有哪几种类型，以Ge和G/As形成的异质结为例分别说明。（本题6分）2、简述理想MIS结构应满足什么条件？（本题3分）3、简述p-n结的电容效应。（本题5分）4、试简单说明pn结在外加正向偏压下（小注入），电子和空穴在pn结五个区域中的运动情况。（分析漂移和扩散的相对大小）5、试简单说明Wm>Ws的金属和n型半导体接触形成阻挡层的过程。6、如图，杂质半导体硅电阻率与温度的关系示意图。试分析低温区（AB段）、强电离区（BC段）、高温区（C区）电阻率随7、简述金属和半导体之间存在哪几种接触类型，并分别说明
7、。（本题6分）二、作图题1、金属和n型半导体接触，已知金属功函数小于半导体功函数。①作出接触前的能带图，标出真空能级、各自的费米能级和功函数;）作出紧密接触（忽略接触间隙）后的能带图，标出费米能级，说明接触面附近的电荷分布以及形成的电场方向。2、图中为n型材料和p型材料形成异质结前的能带图，（O在图中标注出两种材料的功函数和电子亲和能；（2）作出形成异质结后的能带图，并标注出费米能级、n区和p区的势垒高度以及在交界面处的突变。（不考虑界面态）真空能级EC2ECiEvi3、画出mn异质结能带图。（不考虑界面态）要求画出能带弯曲
8、方向，并标出功函数、电子亲和能、禁带宽度EV三、计算题（35分）1、掺有浓度lX10%nf3施主杂质和5X1014cm-3受主杂质的硅材料，分别计算：（l）300k,（2）500k时的多子浓度,少子浓度和费米能级的位置。（已知:300k时J^c=2.8xl019cm-3,^v=l.lxl
