模电各章重点内容及总复习

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1、《模电》第一章重点掌握内容:一、概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。2、半导体器件,主要是利用半导体材料制成,如陸和铉。3、半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺朵性。4、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、品格状的半导体。5、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。6、半导体中存在两种载流子:自由电了和空穴。7、P型半导体:在纯净半导体中掺入二价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能力大大加

2、强,此类半导体,空穴为多数载流了(称多了)而自由电了为少了。8、N型半导体:在纯净半导体屮掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。9、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止。所以正向电流主要曲多了的扩散运动形成的,而反向电流主要由仝子的漂移运动形成的。10、二极管按材料分有硅管佝管)和猪管G管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。11、二极管曲一个PN结组成,所以

3、二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。P6,图125二极管的伏安特性。P7,(121式)二极管方程其死区电压:Si管约0.5V,G。管约为0.1V。其导通压降:&管约0.7V,G管约为0.2Vo这两组数也是判材料的依据。10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的二极管。(压降为0.7V,)②加反向电压时截止,相当断开。③加反向电压并击穿(即满足U>Uz)时便稳压为Uz。11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(

4、门电路)等。12、三极管由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。(参考PG三个区:发射区——掺朵浓度很高,其作用是向基区发射电子。基区——掺朵浓度很低,其作用是控制发射区发射的电子。集屯区一一掺杂浓度较高,但面积最大,其作用是收集发射区发射的电子。两个结:集电区一一基区形成的PN结。叫集电结。(Jc)基区——发射区形成的PN结。叫发射结。(Je)三个极:从三个区引出的三个电极分別叫基极B、发射极E和集电极C。对应的三个电流分别称基极电流Ib、发射极电流Ie、集电极电流Ic。并有:Ie

5、=Ir+Ic13、三极管也有硅管和错管,型号有NPN型和PNP型。(注意电路符号的区别。可用二极管等效来分析。)14、三极管的输入电压电流用Ube、Ib表示,输出电圧电流用Uce、Ic表示。即基极发射极间的电压为输入电压Ube,集电极发射间的电压为输出电压Uce。三极管具有电流电圧放大作用.其电流放大倍数卩屯小(或Ic邙Ib)和开关作用.15、三极管的输入特性(指输入电压电流的关系特性)与二极管正向特性很相似,也有:死区电压:硅管约为0.5V,馅管约为0.1Vo导通压降:硅管约为0.7V,错管约

6、为0.2V。(这两组数也是判材料的依据)16、三极管的输出特性(指输出电压Uce与输出电流Ic的关系特性)有三个区:P15,图1.3.7①饱和区:特点是Uce<0.3V,无放大作用,C・E间相当闭合.其偏置条件Jc,Je都正偏.②截止区:特点是UbeWO,Ib=O,Ic=O,无放大.C-E间相当断开•.其偏置条件Jc,Jc都反偏.③放大区:特点是Ube大于死区电压,Uce>lV,Ic邙Ib・其偏置条件血正偏Jc反偏.所以三极管有三种工作状态,即饱和状态,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大

7、状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态.二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U。)2-7v2v*1-2.3v(a)(b)5v5v3v(e)2.7v+10VNV1HV2(G)UOov3VR―UO参考答案:a.因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。是硅管。b、二极管反偏截止。f、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通,(将二极管短路)使输出电压为U°=3VoG、因VI正向电压为10V,V2正向电压13V,使V2先导通,(将V2短路)使输出电压U0=3V,而使VI反偏截

8、止。h、同理,因VI正向电压10V、V2正向电压为7V,所以VI先导通(将VI短路),输出电压Uo=OV,使V2反偏截止。(当输入同时为0V或同时为3V,输出为多少,请同学自行分析。)三、书P36习题:1・13、1・14、1-15《模电》第二章重点掌握内容:一、概念1、当输入信号ii很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)(参考图P5&图2.4.12,单管共射放人屯路的等效电路)2、对放大电路的分析有佔算法和图解法估算法是:⑴先画出直流通路(方法是将电容开路,信号源短路,剩下的

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