模电期末复习提1

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1、期末复习提纲注：*理解，**掌握，***重点第二章半导体二级管及其基本电路§2-1半导体的基本知识*一、本证半导体、空穴及其导电作用1、本证半导体（1）概念：一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。（2）本征激发：由于热激发而产生自由电子的过程。2、空穴：电子空穴对产生过程。**二、杂质半导体1、P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素形成的半导体，三价元素原子能接受电子,叫受主原子。多数载流子:空穴，少数载流子:电子。2、N型半导体:在本征半导体中掺入五价元素形成的半导体，五价元素原子能产生电子,叫施主原子。多数载流子：电子，少数载流子：空穴。3、N型和P

2、型半导体都呈电中性。§2—2PN结的形成及特性*一、PN结的形成**二、PN结的单向导电性1.PN结外加正向电压PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极，N区接电源的负极，这种电压叫正向偏置,简称正偏。2.PN结外加反向电压它的接法与正向相反，即P区接电源的负极，N区接电源的正极，这种电压叫反向偏置，简称反偏。3.PN结V—I特性VDiD=Is(eVTjt=—^=1.38xlO-23J//r,<7=1.6xlO-,9CqT=300K时，吟=0.026V,/5=10-8〜lO^A—反向饱和电流§2—3半导体二极管*一、半导体二极管的结构1、点接触型：三价

3、元素金属丝与半导体通过很大瞬时电流熔接在一起，特点:PN结面积小，极间电容小，不能承受高压，用作小电流整流。2、面接触型：PN结面积大，极间电容大，可承受较大电流，用于整流，不宜用于高频。3、符号：—^―*二、二极管的伏安特性1、正向特性：门坎电压匕（或死区电压）:图2-3-2：特性曲线。2、反向特性：反向饱和电流Is，图2・3-2：特性曲线。3、反向击穿特性：图2-3-2：特性曲线。*三、二极管的参数1、最穴整渝电渝G指営于长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。2、反向击穿电压Vbr：指管子反向击穿时的硅管:0.5V,错管:O.lVoP40：电压值，

4、一般规定：最高反向工作电压为反向击穿电压的一半。3、反向电流Ir（或Is）：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，单向性越好。二极管导通后，管压降为恒定•硅管为0.7v4、极间电容：由于电压的变化将引起电荷的变化，从而出现电容效应，PN结内部有电荷的变化，因此它具有电容效应，它的电容效应有两种：势垒电容和扩散电容。§2-4二极管基本电路及其分析方法种一、二极管正向V・I特性建模二极管V・I特性：指数模型豈、、>ID=IS（e一1）乙适用情况：外电阻比较大时，正向偏置：阻值为0,VD=0,导通；反向偏置:阻值为8,截止。2、恒压降模型适用情况：电流大于1mA

5、时V>0.7v阻值为0管压降为0.7v导通V<0.7v阻值为-截止3、折线模型适用情况：外电压较小，电流较小对恒压降模型的修正更精确。V>0.5v导通后其阻值为常数IV<0.5v截止当二极管导通电流为1mA,管压降为0.7V时T鼻證€虹严二、模型分析方法应用典型习题P2.4.3,P2.4.6,P2.4.8§2—5特殊二极管*一、齐纳二极管（稳压管）*二、变容二极管：结电容随外加电压明显变化的二极管。在高频技术有较多应用。*三、光电子器件1、光电二极管：工作在反偏状态，反向电流与光的照度成正比。应用：将光信号转换为电信号，硅光电池。2、发光二极管：通电后会

6、发光，应用：各种显示器件；将电信号转换为光信号。3、激光二极管：可产生单色的相干光信号激光，应用:计算机的光驱、光打印机的打印头。第三章半导体三极管及放大电路基础*一、BJT的结构和类型1、结构及符号：三区：发射区、基区、集电区；三极：发射极e、基极b、集电极c；二结：发射结、集电结。2、类型：NPN型、PNP型*二、BJT的电流放电作用：1、电流放电条件：发射结正偏，集电结反偏。NPN：岭>叫>匕”处>0.5V,PNP:VE>叫>VC,V^>0.1V2、电流分配关系Ie=Ic"b3、电流放大作用-aa、［3—电流放人系数三、BJT的特性曲线（共射极接

7、法）1、输入特性：5=八％）心数2、输出特性：/c=/（^ce）

8、%二常数它的输出特性可分为三个区：（如图（5）的特性曲线）临界点:^CC~VcE〜^CCf_【cs_^ccr—〜兀皿一万一殛⑴截止区：IbWO时，此时的集电极电流近似为零，管子的集电极电压等于电源电压，两个结均反偏，Vbe<0.5V（2）饱和区：此时两个结均处于正向偏置，UceW0・3V,Ib>Ibs（3）放大区:此时Ic=BIb,Ic基本不随Uce变化而变化，此时发射结正偏，集电结反偏oIr

9、"e2、极间反向电流（1）集电极一基极反向饱和电流ICBO:发射极开路，集电极、