补充半导体物理学

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1、常识补充（面试平常需要训练以下）面试时被老师被问到不熟悉，或者压根没有任何头绪的问题，正确的姿势是：停顿思考几秒，好好组织一下语言，然后再说“这个问题我不太了解”，在表示对问题不太懂Z后，可以说“虽然不了解，但就我FI前所掌握的知识來说，这个问题应该...”，依靠自己的专业敏感度对问题做出一定的尝试性回答，如果导师偏离你的擅长，你完全可以给老师一些暗示，把话题引到自己擅长的问题（领域）上来。本科课程：微电子封装、微电子器件可靠性、电子封装材料、半导体物理学、半导体器件物理、集成电路工艺原理、材料科学基础。原子实：原子中，原子核及除价电子以外

2、的内层电子组成原子实。Nmos:N-MetaI-Oxide-Semiconductoro意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管（transistor）oMOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路（integratedcircuit）,由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS（CompIementaryMetaIOxideSemiconductor）电路

3、。物理电子学：是极化材料（PolarmateriaI）与器件的主要学科专业，研究信息功能材料和器件中的电子电荷及自旋的物理规律。极化（polarization）,指事物在一定条件下发生两极分化，使其性质相对于原来状态有所偏离的现象。以介电材料（属于电介质）为例，真空平板电容间放一块电介质，加上外电场，那么在正极板附近的介质表面上就会感应出负电荷，负极板附近感应出正电荷，这种感应出的表面电荷就称为束缚电荷，电介质在外场作用下产生束缚电荷的现象就称为电介质的极化。电极化强度：就是分子表面电荷密度主要研究方向01铁电/铁磁/半导体电子学铁电体：具

4、有特异介电性的晶体在外加电场作用下，其极化强度随外加电场的变化呈现非线性变化，电滞回线变化，这种电滞回线与铁磁体的磁滞回线相似，所以把具有这种性质的晶体称为铁电体。02半导体量子结构中的自旋量子调控量子：在微观世界，电子能量是一份一份的，必不是连续的，为形象所以叫量子，量子不是粒子，它代表最小单位的能量。量子态：电子处于什么状态需要用电子的自由度来表征。一维自由电子只有一个自由度，所以只要一个参量来表示就可以了，一般用电子的动量来表征。束缚在原子中的电子则需要4个物理量来表征，分别是n（壳层），I（轨道），lz（磁量子数m）,s（自旋）。原

5、子中电子除了以极高速度在核外空间运动之外，也还有自旋运动。电子有两种不同方向的自旋。磁量子数：磁量子数m是描述原子轨道或电子云在空间的伸展方向，同一亚层（I值相同）的几条轨道对原子核的取向不同。角量子数I的取值0（s亚层）1（p亚层）2（d亚层）3（f亚层）黴量子数m的取值00,±10,±1,±20,±1,±2,±3轨道数135703高性能铁电薄膜单晶材料的制备以及铁电极化和光热电转换规律及其调控机制04凝聚态光电子学与新能源科学技术凝聚态，指的是由大量粒子组成，并且粒子间有很强相互作用的系统。室温下，本征硅载流子浓度为1.0*101°cm

6、-3,杂质浓度比它至少大一个数量级时，才保持以电离杂质为主。杂质浓度大于1018cm'3为重掺杂，此时发生简并，必有Nd大于等于Nc。室温下，纯硅电子迁移率为1450cm7Vs,空穴迁移率为500cm7Vs;纯错电子迁移率为3800cm2/Vs,空穴迁移率为1800cm2/Vs;纯碑化傢电子迁移率为8000cm2/Vs,空穴迁移率为400cm2/Vs;第一章1、金刚石型结构（共价键〉：硅、错金刚石型结构的结晶学晶胞可以看作是两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线互相位移了四分之一的空间对角线长度套构而成。沿晶胞的［门1］方向看，就是正四面体结

7、构：每个原子和周围四个原子组成以sp?杂化轨道形成且夹角皆为109°28’的共价键。闪锌矿型结构（混合键）：III（傢锢〉-V（磷碑）族化合物如碑化傢、磷化傢、磷化钿等闪锌矿型结构的结晶学晶胞可以看作是两类原子各自组成的面心立方晶胞沿立方体的空间对角线互相位移了四分之一的空间对角线长度套构而成。沿晶胞的［1门］方向看，就是正四面体结构：每个原子被四个异族原子包围，每个原子和周围四个原子组成以sf杂化轨道形成的共价键，但这种结合的性质具有不同程度的离子性，又称这类半导体为极性半导体。在共价结合占优时，这种化合物倾向于构成闪锌矿型结构。在离子性

8、结合占优时，这种化合物倾向于构成纤锌矿型结构。川（镣锢〉-V（磷碑〉族化合物半导体能带结构的异同：A.价带极大值稍许偏离布里渊区的中心，价带在布里渊区中心是简并的，具有一个重空穴