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1、Cl—*—*5.=-(;+*)&2=牛红+")爲拧C+7)由倒格子基矢的定义:也2兀—(52x53)0,a亍a290,Cl2a2a3,a.xa.423£o2,u,aa2"29第一章晶体结构1、试说明空间点阵和晶体结构的区别。答:空间点阵是晶体中质点排列的几何学抽象,用以描述和分析品体结构的周期性和对称性,它是由几何点在三维空间理想的周期性规则排列而成,由于各阵点的周围环境相同,它只能有14种类型。晶体结构则是晶体屮实际质点(原子、离子或分子)的具体排列情况,它们能组成各种类型的排列,因此实际存在的晶体结构是
2、无限的。当晶格点阵川的格点被具体的基元代替后才形成实际的晶体结构。2、证明体心立方格子和面心立方格子互为倒格子证明:(1)面心立方的正格子基矢(固体物理学原胞基矢):<-4a2:.b,=2^x—x——1/4(2)体心立方的正格子基矢(固体物理学原胞基矢):由倒格子基矢的定义:b2兀尹“)7*(—i+n=—(~i+na-*t*b2=^~(i一j+k)同理可得:o即面心立方的倒格子基矢与体心立方的正格基矢相同。—2/r—一一伏=——(,+丿一幻a所以,面心立方的倒格子是体心立方。%=彳(-亍+屮)a2=^(i
3、-j+k)爲=彳@+了_£)a一TQ=a,.(a2x53)=;,a2’a2’a「2Cl2’a2a2a2a3一一2,a2xa3aClIkaa亍2aa2"~2•・・A牛(j+Q上CM)-2兀--b2=——(i+k)同理可得:a即体心立方的倒格子基矢与面心立方的正格基矢相同。-2龙一一伙=—(,+•/)aa-t所以,体心立方的倒格子是面心立方。-v37a-7J3:a二-ra=—a+—j9b=--ai4-—j9c=ck3、六角密堆结构的固体物理学元胞基矢为2222求其倒格基矢。解:晶胞体积为■■■Q=a.[Axf]
4、訐-["(曾三总加匕為=其倒格矢为■
5、胞的体积为:1.6628x10—28加彳1RFj•[a2xa3]=(6/i)•
6、/?(--i+j)x(ck)]=^6/Z?c倒格/原胞的体积为:2兀I二虬-[b.xbj=——(i+〒a733x竺(k)]=丁=1.4918x10'°加7cQ3cibc(3)根据倒格子矢量与正格子晶面族的关系可知,正格子(210)晶面族的面间距为:dh=K力
7、2b]+lb2+0bJ4/r1十2龙1=1.4412x10"%5、已知半导体GaAs具有闪锌矿结构,Ga和As两原子的最近距离d=2.45X10_10nio试求:(1)晶
8、格常数;(2)固体物理学原胞基矢和倒格子基矢;⑶密勒指数为(110)晶面族的面间距;⑷密勒指数为(110)秋111)磊面法向方向间的夹角。•—Ga原子O—As原子解:⑴由题意可知,GaAs的品格为复式面心立方晶格,其原胞包含一个Ga原子和一个As原子,其中Ga原子处于而心立方位置上,而As原子则处于立方单元体对角线上距离Ga原子1/4体对角线长的位置上,如左图所示:由此可知:444故Q=d=x2.45xIO'10m=5.59x10一山mV3a/3(2)由于GaAs的空间点阵为面心立方结构,故其固体物理学原胞
9、基矢为:a,=-(j+k)=2.795xlO~lo(j+k)a.=-(k+i)=2.795xlO-IO(k+i)-2a3=
10、(i+j)=2.795xlO-,o(i+j)其倒格子基矢为:b,=—(-i+j+k)=1.124xlO,o(-i+j4-k)ajr11、+l・b°+0•b3斜2.795皿%4龙4龙a屁+协⑷根据倒格子矢的性质可知,
12、密勒指数为(110)和(fTl)晶血法向方向间的夹角即为倒格子矢Kho和Km之间的夹角,设为Q,则有:(1b,+1b2+0b3)-(l-b1-l-b2+lb3)
13、l-b]+l-b2+0-b3
14、-
15、l-bl-l-b2+l-b3=arccos(-0.3015)=107.55°6、Si具有金刚石结构,其原子间距为0.235nm,原子量为28,计算的Si密度。解:Si为金刚石结构,为两个面心立方沿体对角线移动1/4,因此