相变存储器PCM应用智能电表设计方案

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1、P5Q提供P5Q解决方案优势现今存储系统1011较少电迪/容量IBilAlUfADU0101aS?相变存储器PCM应用智能电表设计方案5月初，美光斥资12亿美元收购恒忆，完成收购后美光成为同时拥有DRAM、"AND以及NOR技术的记忆体晶片大厂。对于这么大的收购举动，有传言，是英特尔在后面起到的推动作用，因为三星的快速崛起，不想一家独大的局而在存储市场出现。当然，也有传言，美光收购恒忆的动机是为了满足诺基＜（Nokia）等客户的一站式购足需求。无论如何，着眼技术创新方面，记者本人认为这种收购的出现，是能够起到推

2、进作用的。在收购后不久，我们有幸在第十五届IICCHINA±邀请了，美光亚洲区嵌入式业务部的刘群先生，就相变存储技术未来发展的状况，做精彩的演讲。随着世界各国尤其是屮美两国在智能电网上的实质性启动，智能电表市场也在起步腾飞。智能电表担负着存储客户使用信息和网络信息的作用，同吋在不远的将来更多的功能也将被加入进来，如绿色能源的双向接入，终端的用户也可以把自家屋顶太阳能产生的电力传输到电网上。由于上述需求的推动，对智能电表的存储系统就提出了更高容量，成本降低控制和可靠性提高的要求。相变存储器即是英文PhaseCha

3、ngeMemory—PCM的缩写。就是一种利用六族与第四、五族的化合物作为存储材料的存储器。该种化合物是一种相态可逆变的物质。可以在有序结构（晶态-低阻）和无序结构（非晶态-高阻）之间变化。Micron®Omneo™P5Q相变存储器市场应用实例智能电表通过图片可以看出，电流电压曲线图是从一个PCM的存储单元获得。读取操作是工作在电压500毫伏且电流小于100微安以下的区间内，所以没有对GSt产生加热的效应。晶态和非晶态的存储状态也就没有变化。当电压大于500毫伏旦电流大于500微安吋，电阻加热器就会融化GST材

4、料。此时晶态和非晶体的状态就会发生变化。基于相变技术的存储器具有三个特性，包括位修改（直接写入），高写入次数，工艺和成本的可延续性。下面图片是对现在流行的存储•器之间的比较。相变存储器的性能♦读操作IV（电阻）曲线与物质状态有•关17二二riinni•写操作高斥/鬲电流产牛•热焦尔效应・使物质状态发生变化£帶总器SSZ:刑•低压和低电流对产品带来这么多特性的PCM相变存储器，那么具体的应用乂如何?刘群先生表示，现在目前智能能电表的存储系统采用NVRAM,EEPROM等方案，但是这些解决方案都存在有成本高、容量小

5、、设计复杂等缺点，而运用PCM相变存储器设计的智能电表可以很好地规避这些缺点。由于PCM具有位改写，成本和工艺的可持续性，高擦写次数，从而可以很好的整合原有的存储系统。只使用一颗PCM相变存储器就可以整合NORflash,EEPROM,NVRAM,从而提供更低的成本，更加环保，更加可靠，以及更大的容量。特性非易失性成本读範連度耳入速度存储器技术比较■■■■■■■■■■■■II上■■UEHI■相变存储器与“非易失性RAM存储器”相比较针对采用相变存储器的智能电表设计，刘群也谈到，作为存储器的重要生产厂商，为满足客

6、户的需求，美光也推出了两款代号为“omneo"的相变存储器。分别是：P8P■高速并行接口，128Mb容量，100万次的写入次数。P5Q-高速SPI接口，支持1、2,4位输入输出，也是128Mb容量，高达66Mhzo100万次的写入次数。Omneo给嵌入式提供了一种更快写入速度，更高的写入次数的存储器。从而拓展了客户对存储系统的设计。并且在本次西安站1ICCHINA展览会现场,观众可以参观样品展示。同期，在西安站技术研讨会上，除了美光公司带來的精彩演讲外，还有ADT公司资深应用工程师薛睿带来的关于使用性能观测器来

7、测量和改善嵌入式系统的性能、TriQuint公司关于讨论最新技术和TriQuint中国区总经理熊挺提供的集成式方案、以及有国际电子商情主分析师陈路带来的关于2011年中国汽车电子市场商机的精彩演讲。