毕业设计--英文翻译

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1、本科毕业论文英文翻译Englishtranslation学生学号:学生姓名:专业班级:指导教师姓名:指导教师职称:2014年3月无损接口模式在两个周期性介电结构之间的边界光塔姆状态是无损的接口模式在周围介质呈指数衰减。我们证明它们可以被形成在2周期性介电结构,具有周期接近1之间的边界处到的光的波长,另一种具有周期接近的波长的两倍。顺序层界面处对塔姆状态有决定性影响。的面内分散这些状态是抛物线与有效质量为TE和TM偏振略有不同,两者的10-5的顺序自由电子的质量。表面波是一种特定类型的波,是被限制在两个不同媒体之间的界限。他们用于波长显微镜、分子化学、癌症研究等[1-3]。最受欢迎

2、的类型的表面波是一个边界等离子体形成的金属介质媒体。最近,组织无损的可能性表面波在两种介质之间的界面已经被讨论了。Artigas和Torner[4]提议使用特别设计的二维光子晶体进行观察所谓的Dyakonovmodes[5]本地化的表面的晶体。光子结构起到的作用单轴的电介质在可控的折射指数对普通和特殊光模式。在这简短的报告,我们提出另一种类型的无损耗接口模式,我们称之为光学OTSs都状态通过与著名的比喻都为电子晶体的边界[6]。波导管表面模式[7]相反和Dyakonov模式,都保持本地化任何平面波矢量的价值包括零波向量。OTSs内形成“光锥”有限由一个k=w/c条件,k的波矢量光

3、和频率。与电子相反都州,光都无法形成表面,但只有在两个光子之间的界面结构有重叠的带隙。我们提出一个简单的平面多层结构允许OTSs的观察。十年前,我们开发了一种理论,都半导体电子承压边界的两个超晶格[8]。现在我们有扩展的方法来描述OTSs。我们表明,它们可以形成的之间的接口两个周期性介电结构不同的时期。OTS在于光学停止的两个部分的结构。其平面分散是抛物线的有效质量的顺序10−5自由电子质量。TE和TM极化都之间的分裂州增加与平面波矢量构造。我们提出基于多孔现实的多层结构硅让OTSs的观察。让我们考虑两个期刊介质之间的界面结构由双层厚度、和折射率,注在右边的接口和厚度,提单和指数

4、,左边的界面图1。图1布洛赫定理允许代表本征模光无限期刊作为期刊布洛赫振幅的产品结构和包络函数,要么是平面波或真正的指数函数的坐标。光能量的波段形式成倍增长被称为阻带衰落或增加信封在光子结构完整的类比与能量差距在固体晶体。在我们的模型结构,两个不同的半无限周期子结构有共同接口。我们的目标是在这找到光的模式本地化OTSs接口。显然,他们的精力应该在于停止子结构的波段。在OTS他们每个恰逢本征模也成倍增加或成倍减少。在接口、连续性的平面组件电场和磁场的这些模式必须得到保证。自BornandWolf后[9],我们引入转移矩阵和描述矢量的转移。整个时期的左翼和右翼子结构,这里E和H平面组

5、件的电力和磁场。2x2这些矩阵的元素依赖于厚度和折射率层、频率、平面波矢量和极化光。周期性的光学模式的色散方程结构为(1)其中q是布洛赫光导向的伪波失常量,d为平面距离,T11,T12为结构周期。阻带是由给定的条件(2)及在两者之间的界面结构要求(3)让XL_和XR+是本征值对应于这些模式的转移矩阵,以便和。表达的组成部分通过特征值和两个矩阵的特征向量的元素,。很容易地从(3)获得(4)方程(4)产生的OTSS和在平面内的能量这些国家的分散。为了找到OTSS,应求解方程(4)的两个部分的带隙内的结构。什么样的结构可以表现出塔姆状态?为了得到关于它的想法,让我们表达的电场和磁场式。

6、(1)通过反射系数入射的光向左(向右)左侧的接口端(右端)的一部分的结构。在垂直入射,(5)在阻带内,反射系数写入(6)(7)由于我们的左,右子结构是半无限大,在其阻带的重叠部分解决式。(3)与使用方程的(5)-(7)可以得到等式为OTSS的以下形式的本征频率:(8)这个方程是相对易于分析的各阶段周期性结构的反射系数是众所周知的[10]。由于它的右边是一个有限的负数,二在左侧部分切线应采取相反的值签署但同样的顺序。让我们强调这一点,即在一维光子晶体的光学间隙可以无论是出现在中心或在布里渊边界区,即,在任q=0时或q=π/D。反射的相位该结构的系数等于0处的中心停带在q=0时,可以

7、是0或π在该中心阻带在Q=π/D依赖于是否在第一层该结构具有比更低或更高的折射率第二层。在所有情况下,相位是一个缓慢光的频率的增函数。显然,这是不可能兼得和接近π,具有介意,不一定在一个子结构的第一层高折射率和在另外一个第一层具有低折射率。另一方面,有可能兼得和接近于0,这是如果,比如说,并且在q=0的左侧下部重叠的间隙与在Q=π/D右子结构的差距。可以实现这种重叠的,例如,间第一站带一个完美的布拉格反射镜的,有和几乎两倍的结构的第二止动带较大的层所在的布拉格条件几乎是满意的,为

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