半导体物理复习题二

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1、1•与半导体相比，绝缘体的价带电了激发到导带所需要的能量（A）oA.比半导体的大B.比半导体的小C.和半导体的相同2.受主杂质电离后向半导体提供（B）,施主杂质电离后向半导体提供（C）,本征激发向半导体提供（A）oA.电了和空穴B.空穴C.电子3.室温下，半导体Si掺磷的浓度为1014cm同时掺有浓度为1・1X1015cm-3的硼，则电子浓度约为（B），空穴浓度为（D）,费米能级为（G）；将该半导体由室温度升至570K,则多子浓度约为（F）,少子浓度为（F）,费米能级为（I）o（已知:室温下，ni^l.5X1010cm3,570K时,ni^2X101W3）

2、A、10l4cm3B>10Hcm3C、1.1X1015cm3D、2.25X10W3E、1.2X1015cm-3F、2X1017cm'3G、高于EiII、低于EiI、等于Ei4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（B）有关A.杂质浓度和温度B.温度和禁带宽度C.杂质浓度和禁带宽度D.杂质类型和温度5.MIS结构发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（B）oA.相同B.不同C.无关2.空穴是（B）oA.带正电的质量为正的粒子B.带正电的质量为正的准粒子C.带正电的质量为负的准粒子D.带负电的质量为负的准粒子2.碑化稼的能带结

3、构是（A）能隙结构，硅和错的能带结构是（B）能隙结构。A.直接B.间接&将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起（B）杂质作用。A.施主B.受主C.陷阱D.复合中心9.在热力学温度零度时，能量比Ef小的量子态被电子占据的概率为100%,如果温度人于热力学温度零度时，能量比E”小的量子态被电了占据的概率为（A）。A.大于1/2B.小于1/2C.等于1/2D.等于1E.等于010•金属和半导体接触分为：（B）oA.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D.非整流

4、的肖特基接触和非整流的欧姆接触11.如图所示的P型半导体MIS结构的c・v特性图中，CD段代表（A.多子积累C.少子反型B）oB.多子耗尽D.平带状态12.—块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止以后，非平衡载流子衰减为原来的1/e,则光照忽然停止的时间t等于（B）oA.0B.tC.2tD.3t13•载流了的扩散运动产生（B）电流，漂移运动产生（A）电流。A.漂移B.扩散C.热运动14.对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（B）。A.声学波散射和光学波散射B.声学波散射和电离杂质散射C.光学波散射和电离杂质散射D.光学波散射15.证

5、明题对于某P型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。即EfpvEr。证明：对于n型半导体5<心即nrek（）r

6、半导体17•室温下，本征错的电阻率为47。•沏，试求本征载流子浓度。若掺入磷原子，掺杂浓度为4.4X10%〃严，计算室温下电子浓度和空穴浓度(设杂质全部电离)。试求该掺杂错材料的电阻率。设=3600c7n2/V-5,=1700c/n2/V-5且认为不随掺杂而变化。解：(1)p=——7—!,»=—7!=2.5x10I3c?h-3“宓+“』內必+“〃丿(2)Nd=4.4xlOl6cm-32杂质全部电离n0=ND9Pq=—=1.42x1010cm-34)(3)p==0.04/2-cm18•画出金属和N型半导体接触能带图(叱”〉叱，且忽略间隙)，并分别写出金属一边的

7、势垒高度和半导体一边的势垒高度表达式。解:（Ws-Wm）/q=V半导体一边的势垒高度为qVD=-qv=wm.ws金属一边的势垒高度是J盒■rEvqg「qVD+E产-qV+End忽略间隙=WI

8、?=g万，cr=cr0+Apq{/Jn+“〃），p=