无线充电发射芯片

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1、规格说明书SGD5020无线充电发射芯片版本1.0SGD5020无线充电发射芯片目录1.概述...............................................................................................................................32.特性.............................................................................

2、..................................................33.应用...............................................................................................................................34.引脚说明..................................................................

3、......................................................45.功能模块框图.................................................................................................................56.封装尺寸图.......................................................................

4、.............................................57.应用电路图....................................................................................................................68.电气参数...............................................................................

5、.........................................79.修改记录........................................................................................................................7Page2of7SGD5020无线充电发射芯片1.概述目前此款无线充电发射芯片，集成功率驱动，频率控制，外围器件非常精简，采用COMS宽电压制程工艺，具有精度高稳定性好特点

6、。在无线感应充电、供电管理系统应用中可靠性能高和灵活。内部集成高电压低内阻的功率NMOSFET，产品上应用更加有优势和效率更高。2.特性©内置的PWM发生器和功率级技术©宽工作电压：3V至15V©集成60V85mΩNMOSFET，确保高效率与低功耗©单片式无线功率发送器©外围器件非常简单，只需几个普通外围器件©PWM频率精度高稳定性好3.应用©电隔离设备©防水产品©美容美肤产品©电动剃须刀©成人用品©鱼缸©手持式仪器©数码产品Page3of7SGD5020无线充电发射芯片4.引脚说明管脚序号管脚名称功能描

7、述1VDD芯片的电源偏置电路设置端口，外接电阻，电阻越小2INR1偏置电流越大谐振频率控制端口，与INC端口电容决定3INR2谐振频率谐振频率控制端口，与INR2端口电阻决4INC定谐振频率，计算公式为：F=1/(2.7*R*C)内置功率管的漏端，外部连接并联LC谐5/6SW振发射线圈7/8GND芯片的地Page4of7SGD5020无线充电发射芯片5.功能模块框图VDDBandGapBiasINR1SWINR2OSCDRIVERINCGND6.封装尺寸图SOP8Page5of7SGD5020无线充电发射

8、芯片7.应用电路图VCCC110U18VDDGND27INR1GND36D1INR2SW45INCSWR3R1R21N5819C4SGD50200R10K20K100PC3C2L110U10315UH1、C3电容采用耐压100V以上的NPO电容或者涤纶电容，薄膜电容。2、L1是发射线圈，尽量采用多股线绕制以便减小谐振内阻，根据接收端线圈尺寸去绕制对应尺寸和形状3、C1电容尽量靠近芯片，到芯片VIN和AGND的走线尽量短和粗4、