模电第五版康华光复习大纲

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1、模拟电子技术基础复习大纲高等教育出版社康华光（第五版）书中有关符号的约定大写字母、大写下标表示直流量。如，VCE、IC等。小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如，vCE、iB等。小写字母、小写下标表示纯交流量。如，vce、ib等。上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如，V、I等。ceb第一章绪论电压放大模型RsRo++++V1.输入电阻RiVsViRiAVOViVoRLiIi––––反应了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。输入电压信号，Ri越大，Vi越大。输入电流信号，Ri越小，Ii越大。IT放外加测试信

2、号VT++大VRTiIVTVTRi电T––路2.输出电阻Ro放++大Ro决定放大电路带负载能力。电AVOViVoRL路––输出电压信号时，Ro越小（相对RL），RL对VO影响越小，输出电流信号时，Ro越大（相对RL），RL对IO影响越小。输出电阻的计算：ITVoRRRoLL++VoVs=0放大电路VT––VTRoVs0RoIT3、频率响应20lg

3、AV

4、/dB上、下限频率；带宽603dB频率失真（线性失真）40带宽幅度失真20非正弦信号相位失真0220210221032104f/HzfLfH非线性失真饱和

5、失真正弦信号截止失真第三章二极管及其基本电路1、理解半导体中有两种载流子电子空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴2、理解本征半导体和本征激发本征半导体——化学成分纯净的半导体•两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p）•外电场作用下产生电流，电流大本征激发的特点——小与载流子数目有关•导电能力随温度显著增加3、理解杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力）N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子，但半导体呈中性(掺五价元素)P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但半导体呈中

6、性(掺三价元素)少数载流子是由电子—空穴对（本征激发）产生而来，多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。4、熟练掌握PN结形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运动，达到动态平衡。单向导电性——不外加电压，扩散运动=漂移运动，i=0D加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的漂移运动形成反向电流特性方程：i=I（eVo/VT-1）DS特性曲线：正向导通：死区、导通区反向截止：截止区、击穿区5、理解二极管单向

7、导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同主要参数：最大整流电流I、反向击穿电压V、反向电流I、FBRR极间电容、最高工作频率分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型二极管电路的分析计算：导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。6、特殊二极管——稳压管（工作在反向击穿区）反向偏置且V＞VIZ稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，使输出电压稳定第四章双极型三极管及放大电路基础1、理解半导体三极管①类型：

8、结构、材料硅管（VBE=0.7V）、锗管（VBE=0.2V）②电流控制器件i=βiCBi=(1+β)iEBi+i=iBCE③三个工作区特性曲线输入：输出：饱和区：发射结、集电结均正偏，V=0.7V,V=0.3VBECES放大区:发一正,集一反,V=0.7遵循i=βiBECB截止区:发射结、集电结均反偏V＜0.5V时已进入截止区BE④放大条件发射极正偏,集电极反偏发射区杂质浓度大，集电区杂质浓度低，基区窄，杂质浓度低。c、e不能互换；根据各电极对地电位和各电极电流判断管子类型⑤参数集电极最大允许电流I、集电极最大允许功耗P、反向CMCM击穿电

9、压V（BR）CEO、表：晶体管的三种工作状态及电流特点工作状PN结偏置情况电位条件各电极电流特点态截止发射结、集电结NPN：UBUE，路UB>UC放大发射结正偏、集NPN：IC≈βIB，ic=βib电结反偏UEUE，UCE=UCES，IC基本不受均正偏UB>UCIB的控制，集电极与发射PNP：UB

10、法①放大条件、交流参数交流通路：AV、Ri、RO、最大输出电压幅度—图解法、模型法求Q点直流负载线交流负载线分析非线性失真饱和失真静态点过高（NPN，底）了解图解法截止失真静态