multisim元器件参数详解

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1、电阻模型参数R     电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数C       电容倍率因子VC1   线性电压系数VC2   二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数L       电感倍率因子IL1   线性电流系数IL2   二次电流系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数二极管模型参数IS     饱和电流RS   寄生串联电阻N     发射系数TT   渡越时间CJO 零偏压PN结电容VJ   PN结自建电势M     PN结剃度因子EG   禁带宽度XT1 IS的温度指数FC   正偏耗尽层电容系数BV  

2、 反向击穿电压（漆点电压）IBV   反向击穿电流（漆点电流）KF     闪烁躁声系数AF     闪烁躁声指数双极晶体管（三极管）IS传输饱和电流EG禁带宽度XTI（PT）IS的温度效应指数BF正向电流放大系数NF正向电流发射系数VAF（VA）正向欧拉电压IKF（IK）正向漆点电流ISE（C2）B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流BR反向电流放大系数NR反向电流发射系数VAR（VB）正想欧拉电压IKR 反向漆点电流ISCC4 B-C漏饱和电流NC B-C漏发射系数RB 零偏压基极电阻IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻CJE 零

3、偏发射结PN结电容VJEPE 发射结内建电势MJEME 集电结剃度因子CJC   零偏衬底结PN结电容VJCPC 集电结内建电势MJCMC 集电结剃度因子XCJCCbe 接至内部Rb的内部CJSCCS   零偏衬底结PN结电容VJSPS 衬底结构PN结电容MJSMS 衬底结剃度因子FC 正偏势垒电容系数TF 正向渡越时间XTF TF随偏置变化的系数VTF TF随VBC变化的电压参数ITF 影响TF的大电流参数PTF 在F=1/（2派TF）Hz时超前相移TR 反向渡越时间XTB BF和BR的温度系数KF I/F躁声系数AFI/F躁声指数Is=14.34f  反向饱和电流。X

4、ti=3  饱和电流的温度指数Eg=1.11   硅的带隙能量Vaf=74.03 正向欧拉电压Bf=255.9  正向电流放大系数Ne=1.307  B--E极间的泄漏饱和发射系数+ Ise=14.34f   B--E极间的泄漏饱和电流Ikf=.2847 正向BETA大电流时的滑动拐点Xtb=1.5 电流放大系数的温度系数Br=6.092   理想反向电流放大系数Nc=2   B--C间的泄漏发射系数Isc=0  Ikr=0  反向BETA（R）大电流时的滑动拐点Rc=1  集电极电阻+ Cjc=7.306p  B-E结零偏压时的耗尽电容。Mjc=.3416   B-C结

5、指数因子Vjc=.75   B-C结内建电势Fc=.5   正向偏压时的耗尽电容系数Cje=22.01p  B-E结零偏压时的耗尽电容Mje=.377  B——E结指数因子Vje=.75   B-E结内建电势+ Tr=46.91n  反向渡越时间Tf=411.1p   正向渡越时间Itf=.6  正向渡越时间随VBE变化的参数Vtf=1.7  Xtf=3Rb=10)  正向渡越时间随偏置变化的参数三极管参数中文字符号英文对照Pcm集电极最大耗散功率Icm集电极最大允许电流V(br)cbo发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压V(br)ceo基极开路时，集电极与发射极间反

6、向击穿电压V(br)ebo集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压Icbo发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流Iceo基极开路时，集电极与发射极间反向漏电流Iebo集电极开路时，发射极与基极间反向漏电流Vce(sat)基极与发射极间的正向饱和压降Vbe(sat)集电极与发射极间的反向饱和压降hFE共发射接法时静态电流放大系数（简称放大数）Ft特征频率（共发射极电流放大系数下降到1时的频率）Cob共基极输出电容Nf嗓声系数Fa共基极截止频率Hre共发射极交流输入开路时的电压反馈系数Gp共基极时功率增益Kp共发射极时功率增益Vf正向降压Vr反向降压Typ典型值Max最大值M

7、in最小值If正向电流Ir反向电流Toff关闭时间共发极交流输入开路时的输示Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容Cce---发射极接地输出电容Ci---输入电容Cib---共基极输入电容Cie---共发射极输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cieo---共发射极开路输入电容Cn---中和电容（外电路参数）Co---输出电容Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe---共发射极输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Cre---共发射极反馈电容Cic---集电结势垒电容CL-