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1、三极管参数说明 VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。VDSO,漏源击穿电压。ICM,集电极最大允许电流。IDSM,最大漏源电流。PCM,集电极最大耗散功率。PDM,漏极最大耗散功率。IC,集电极电流。ID,漏极电流。hFE,共发射极静态放大倍数。gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。fT,特征频率。td,延迟时间。tf,下降时间。一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---
2、结（极间）电容，三极管参数说明 VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。VDSO,漏源击穿电压。ICM,集电极最大允许电流。IDSM,最大漏源电流。PCM,集电极最大耗散功率。PDM,漏极最大耗散功率。IC,集电极电流。ID,漏极电流。hFE,共发射极静态放大倍数。gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。fT,特征频率。td,延迟时间。tf,下降时间。一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势
3、垒电容Cj---结（极间）电容，三极管参数说明 VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。VDSO,漏源击穿电压。ICM,集电极最大允许电流。IDSM,最大漏源电流。PCM,集电极最大耗散功率。PDM,漏极最大耗散功率。IC,集电极电流。ID,漏极电流。hFE,共发射极静态放大倍数。gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。fT,特征频率。td,延迟时间。tf,下降时间。一、半导体二极管参数符号及其
4、意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，三极管参数说明 VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。VDSO,漏源击穿电压。ICM,集电极最大允许电流。IDSM,最大漏源电流。PCM,集电极最大耗散功率。PDM,漏极最大耗散功率。IC,集电极电流。ID,漏极电流。hFE,共发射极静态放大倍数。gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。fT,特征频率。td,延迟时间。tf,下降时间。一、半导体二
5、极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半
6、波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH---恒定电流、维持电流。Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL
7、---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；
8、硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp---反向恢复电流Iz---
