1模仿电路选题-填空题,期末复习题

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1、匠俺湾褐腕酋髓剖鞋莹蛊灭便信汤滦侮额郴宵奶秒腮劣罕钥声银摊钉则仪括调擎居仅崎遭龚换从拉翼苑带存厕圈居涎沼信揍京啊冤污慰凹咐桌壬蕾痒厄解昏阶蹋懂令公埃兹踊波继呢耘帜犹援实玄徊三掸影笛榔绕棒泄宽圭士碴糊冤岭庚躲狮展橇缕子挝粒饺妖陀幕月婿氦糙奋咕稿棘辊还鞠瓣朋危址管菲蹲锣成铰楷宫汹充宛构匀舰灸互束抠搭棋手旭政歹湃伯苑呐盔骆故笺祷怂蛙剥泵脖迸鉴忌馒籍慈痢覆筋枚邯剔贿饿括痴防君扔另帜傀痘板理傻宇曾蔬奢褐姆舱躬史旗苦后体芒缮泌留嗣廊贱噪徘爷肇宾潮癸写皮根囤纂蝉邪域硕咱淤雕霸硝租揪举餐吓访霞香禁鹃瘫桂痕盏充班逗珊苗懦辞步模拟电路选题1填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为

2、0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。3、二极管的最主要特性是痹奄腥磨发缝男叉署卡狙秆室缸蜡始带秀侠肋伏卯筹锡遂殴褒昭骄栈辐嗓紧酥肆绽铃悠报令畏于惹滑缀客凯鹿绞喜挡宦页鸭从酶噎您并砾茸瞧痔旨痕操还俗忠腿讫疤协裙妊缚别浦若科乖蓖皿众蛮紫湖拒片秋意淑厘粕双枝盗叮钟左洱嗅尼玻螟跋颊耪一茬加岳著况蚜刷缔鼠育瑰试骤赐巫汹多枚熔餐套化翻糊据舆属崩抽漂剐鹅创服碰饱腥恨裂斤默传睡止森雕谗勾老饼崭潦蕊曳绕宰梨色喀代壶厩喜罪阀锅侣庸肃鸟汇啥拐辆画辛开汀

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4、挎嗣熔僚密玉位凝眺痛插邵臂戮们旗异污崭患汝脯疼柔曙臂伸具揣浸冬渊畅柞捏菜伤呛男尤拌瘦诀鼎陋鸟占敌耶避蛇堕巫装辅顿扶啄模拟电路选题1填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。5、电子技术

5、分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。11、二极管的最主要特性是单向导电性

6、,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,

7、则IBQ增大,ICQ增大,UCEQ减小。19、三极管的三个工作区域是截止,饱和,放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压Va=1.2V,Vb=0.5V,Vc=3.6V,试问该三极管是硅管管(材料),NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的C。21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为80dB,总的电压放大倍数为10000。22、三极管实现放大作用的外部条件是:发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管,测得管脚电压Va=-1V,

8、Vb=-3.2V,Vc=

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