模拟电子技术期中试卷(一)

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1、模拟电子技术期中试卷（一）一、选择题。（每题3分，共36分）1.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于_______。A.掺杂工艺B.温度C.杂质浓度D.晶体缺陷2.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，已量出由此可知对应电极①是______。A.发射B.基极C.集电D.不定3.晶体三极管用来放大时,应使发射结处于_______偏置,集电结处于_______偏置.A.正向,反向B.反向,正向C.反向,反向D.不定4.如果在电路中测出某NPN管三个电极对地电位分别为:则该管工作在______区。A.放大B.饱和C.截止D.击穿5.PNP型晶体三极

2、管处于放大状态时,各级电位关系正确的是______。A.<>D.<<6.在图示电路中,设C1、C2对交流信号的影响可以忽略不计,当输入f=1KHz的正弦电压信号后,用示波器观察和,则二者的相位关系为_______。4A.相差90ºB.相差45ºC.相同D.相差180º7.为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用。A．共射电路B.差动放大电路C．OCL电路（互补对称电路）D.共集电路8.在放大器中引入直流负反馈,说法正确的是______。A.稳定输出电压B.稳定输出电流C.性能不变D.静态工作点稳定性变好9．射随器适合作多级放大电路的输出级，

3、是因为它的（）A.电压放大倍数近似为1B.ri很大C.rO很小10.PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，______。A．其反向电流增大B．其反向电流减小C．其反向电流基本不变11.由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为_______。A.-12VB.+6VC.-6VD.+12V12.在甲乙类互补对称功放电路中，为了改善交越失真，应_______。A.适当提高电源电压B.适当增加负载电阻的阻值C.适当减小功放管静态参数D.适当增大功放管静态参数二、填空题。（每空2分，共12分）1.简单的差分放大器双端输出时，对（）信号有较强的抑制能力

4、,而对（）信号有较强的放大作用。2.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5mA，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则Av()AI()Ap()；3.零点漂移产生的因素很多，其中以()变化所引起的漂移最为严重。4三、分析判断下列各电路能否正常放大。（每题3分，共6分）1．2.VCCR1R2RLvivoVCCRCRBVs　　　　四、已知电路如图，ui=10sintv,Ε=5v,二极管正向导通电压忽略不计，试画出输出电压uo的波形。（5分）五、电路如图为分压式偏置放大电路，已知VCC=24V，RC=3.3KΩ，

5、RE=1.5KΩ,RB1=33KΩ,RB2=10KΩ,RL=5.1KΩ,β=66。试求：（1）静态值IB、IC和UCE；（2）计算电压放大倍数；（3）空载时的电压放大倍数；（4）估算放大电路的输入电阻和输出电阻。（20分）六、差分电路如图所示，已知Vcc=VEE=15V,RB=2k,Rc＝RE＝RL＝10k，T1，T2管的β＝100,rbe=3.8kΩ1.估算T2管的静态工作点ICQ2,VCEQ22.估算共模抑制比KCMR（10分）4七、由电流源组成的电流放大器如图所示，试估算电流放大倍数AI=Io/Ii（6分）八、已知如图：VＣＣ=12V，RB=100k

6、Ω，RW=400KΩ，RC＝４ＫΩ，β＝３７.5当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线（设UBE=0）（5分）RW+VＣＣ　　　　　　RＣ　　RＢC2Ｃ14