电镜设备仪器

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1、1、X-射线衍射仪设备名称：X射线衍射仪（XRD）设备型号：SmartLab基本参数：输出功率：3KW；角度范围：-3-160°；角度重现性：万分之一；铜靶。半导体阵列器；主要功能：多晶体材料物像分析样品要求：块状和不具有挥发性的粉末状样品，块状样品高度不大于2cm2、差热分析仪 设备型号：SDTQ-600。基本参数：温度范围：室温—1500°C主要功能：测量与材料内部的转变和反应相关的热流和重量变化。所提供的信息分为不含重量变化的吸热事件和放热事件（例如，熔化和结晶）和包含重量变化的吸热事件和放热事件（例如，降解）样品要

2、求：不适合用于测量加热时体积急速膨胀外溢的样品。3、场发射扫描电镜设备名称：扫描电子显微镜（SEM）设备型号：S4800基本参数：加速电压 0.5-30KV，最高分辨率 1.4nm，放大倍率20X-80万X主要功能：材料微观组织形貌观察、微区成分分析样品要求：样品需无磁性，表面清洁、无易挥发的有机物及腐蚀性成份存在。4、傅里叶红外光谱仪设备名称：傅立叶红外光谱仪（FTIR）设备型号：BrukerOPUS80V基本参数：光谱范围：近红外光谱：11000-4000cm-1；中红外：4000-400cm-1；远红外400-40c

3、m-1。主要功能：红外吸收光谱、红外反射光谱、红外发射光谱测量及分析。样品要求：块状样品厚度不大于1mm，表面平整，粉末样品需压片后进行分析，所有样品应无易挥发及腐蚀性成份存在。5、霍尔效应测试仪设备型号：HMS-3000。基本参数：测量温度：常温、77K低温；电阻率：10-4-107(Ω.㎝)；载流子浓度：107–1021(1/cm3)；主要功能：测量半导体材料的迁移率、载流子浓度、霍尔系数、电阻率等电学参数以及低温条件下上述参数。样品要求：样品保持干燥状态，无腐蚀性成分存在。6、拉曼光谱仪设备型号：AdvantageN

4、IR。基本参数：波数分辨率5cm-1，波数覆盖范围：200-2000cm-1。主要功能：用于固体及液体样品的拉曼光谱测定，可以分析物质的组成，张力应力分析，晶体对称性和取向分析等。样品要求：样品无腐蚀性成分存在。7、全自动物理化学吸附分析仪设备型号：AutosorbiQ。基本参数：主要功能：可以测量材料的比表面积；微孔，介孔，大孔的孔径分布；微孔的孔体积和微孔面积；CO2，H2等不腐蚀性气体吸附。同时还可以测量材料化学吸附（TPR,TPO,TPD,TPS）及材料解析出气体的质谱分析。样品要求：待测样品必须保持干燥，无易挥发

5、及腐蚀性成分存在。8、瞬态稳态光谱仪基本参数：光谱范围：200-850nm，荧光寿命测量范围：100ps-100μs，磷光寿命范围：1μs-1s。主要功能：用于液体及固体样品的稳态荧光光谱测定，包括发射光谱和激发光谱。同时还可以测量瞬态荧光/磷光寿命和量子效率。样品要求：样品无腐蚀性成分存在。9、台式扫描电镜设备型号：G2pro。基本参数：放大倍率：光学20-120倍，电子光学80-45000倍；仪器分辨率： <25nm；加速电压：5kV主要功能：观察样品的表面形貌。样品要求：待测样品必须保持干燥，无磁性，无易挥发有机物及

6、腐蚀性成分存在。10、荧光分光光度计设备型号：F-7000。基本参数：光谱范围200-850nm。主要功能：用于液体及固体样品的荧光光谱测定，包括发射光谱和激发光谱。样品要求：样品无腐蚀性成分存在。11、原子力显微镜设备名称：原子力显微镜（AFM）设备型号：Agilent5500基本参数：扫描范围：90m，最高粗糙度范围：6m。主要功能：材料表面微观形貌的观察、粗糙度测量、力曲线测量、分析。样品要求：样品表面微观粗糙度不大于7m，样品高度小于5mm，无易挥发及腐蚀性成份存在。12、震动样品磁强计设备名称：震动样品磁强计（V

7、SM）设备型号：Lakeshore7407基本参数：电磁铁极头间距可调，最大磁场可达到30kOe。主要功能：测量磁滞回线、初始磁化曲线、直流剩磁、交流剩磁、磁化数据的时间函数。样品要求：样品形态可为块状或粉末状，其中块状样品体积不大于2mm3，所有样品应无易挥发及腐蚀性成份存在。13、紫外-可见分光光度计设备型号：U-3900H。基本参数：波长范围：190-900nm。主要功能：用于固体及液体样品的紫外可见光谱的测定，包括吸收光谱、透射和反射光谱及动力学研究。样品要求：样品无腐蚀性成分存在。