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时间:2019-08-08
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1、小题:1.晶体分类:离子晶体,共价晶体,分子晶体,金属晶体。2.共价键特点:饱和性和方向性。3.硅属于间接能隙半导体。4.半导体分为本证半导体和杂质半导体,杂质填充方式有间隙和替位。5.P-N结正反向接法(辨别即可)6.晶向:晶列取向,通常用晶向指数来描述。晶胞中任取一格点作为原点,则任一格点位矢R=ma+nb+pc,那么该晶列晶向指数可表示为[mnp]。7.晶面:晶体中的原子可以看成是分布在一系列平行而等距的平面。平行的晶面组成晶面族密勒指数来描述晶面的方向。任选一格点为原点,以晶胞基矢a,b,c为
2、坐标轴,晶面在坐标轴上截距r,s,t的倒数比即为密勒指数,表示为(hkl)。8.峰瓦数:比如,一个1m2、转换效率为18%的太阳电池,在赤道附近它的输出功率为180Wp(1000W/m2×1m2×18%)9.太阳级多晶硅原料制备流程:冶金级多晶硅制造,SiHCl3制造与纯化,SiHCl3氢气还原。10.直拉(CZ)法单晶硅制造流程:加料、熔化;熔接;缩颈生长;放肩生长;等晶生长;收尾生长。11.直拉(CZ)法单晶硅制造中碳,氧杂质分布情况:K<1,意味着杂质在晶体中的浓度始终小于在熔体中的浓度,也就导
3、致随着晶体生长杂质含量越来越多。例如:碳杂质K=0.07K>1,意味着杂质在晶体中的浓度始终大于在熔体中的浓度,也就导致随着晶体生长杂质含量越来越少。例如:氧杂质K=1.27(换言之,就是氧杂质头部多尾部少,碳杂质头部少尾部多。)12.磷硅玻璃成份:,13.表面制绒:硅材料制绒方法可分为干法和湿法。干法有机械刻槽,反应离子刻蚀,光刻等。湿法是传统的刻蚀方法,又被称为化学腐蚀法。1)单晶硅碱制绒(碱制绒腐蚀液:NaOH和IPANaOH,IPA,NaSiO3NaOH,乙醇)2)多晶硅酸制绒(酸制绒腐蚀液:
4、HNO3,HF,HNO3作为氧化剂,HF是络合剂)14.减反射膜:减反射膜光学厚度为1/4入射光波长,折射率为外界介质与硅片折射率乘积的平方根。减反射膜材料的选择标准:减反射膜厚度及折射率是减反射膜制备的两个重要参数,除此之外,还需要考虑其他一些问题:减反射膜对光的吸收要小;物理化学稳定性;制备工艺难易及成本。15.电池片丝网印刷的三步骤:背电极印刷及烘干(浆料:Ag/Al浆);背电场印刷及烘干(浆料:Al浆);正面电极印刷及烘干(浆料:Ag浆)。7简答:1.什么叫太阳能电池,优缺点?优点:普遍,安全
5、,资源丰富,无污染。缺点:1)太阳能受气候、天气、昼夜甚至时间的影响较大。在太阳能资源贫乏地区不易推广太阳能利用。2)太阳能发电为直流电,在转变交流电时候会产生能量损失,而且要增加其他配套装置。这些因素都导致太阳能发电成本增加。3)由于太阳电池发电密度低,如果想产生相当量的能量必须要大面积安装。安装位置的选择以及视觉冲击都是一个需解决的问题。2.太阳电池表征参数短路电流:通过导线把电池的阴阳极直接相连,此时流过导线的电流即为短路电流,用ISC表示。开路电压:太阳电池阴阳极两端无导线相连,光生载流子只能
6、聚集在P-N结两端产生光生电动势,这时在电池两端测量所得电势差即为开路电压,用VOC表示最大输出功率:Pm=Vm×Im填充因子:衡量太阳电池整体性能的一个重要参数,代表太阳电池在最佳负载时能输出的最大功率的特性。转换效率:3.单晶硅,多晶硅优缺点?单晶硅电池优缺点:优点:结晶完整,自由电子与空穴在内部移动不受限制,产生电子空穴复合几率低,太阳电池效率高。缺点:将晶棒切割成晶柱的过程中,浪费一半的材料,成本高,价格昂贵。多晶硅电池优缺点:优点:通过较快速的方式让硅结晶,提升产出;减少切片时造成的浪费,生
7、产成本大大降低。缺点:由于多晶在结晶时速度较快,硅原子没有足够的时间形成单一晶格而形成许多颗粒,颗粒与颗粒间存在结晶边界,此结晶边界存在许多悬浮键,阻止自由电子移动或捕捉自己电子造成电流下降,效率因而降低。此外结晶边界也聚集许多杂质,也使自由电子不易移动。不完整的使硅原子与硅原子间的键结情况较差,容易因紫外线破坏化学键而产生悬浮键,随时间增加,悬浮键的数量会增加,造成光电转换效率逐渐衰退。4.晶体结构?(这个不确定,参考)晶体长程有序性,非晶体短程有序性。晶体结构:晶体中原子(离子或分子)规则排列的方
8、式。单晶体、多晶体及准晶体。单晶体:整块晶体内原子排列规律完全一致的晶体;多晶体则是由许多取向不同的单晶体无规则的堆积而成;而准晶体是一种介于晶体和非晶体之间的固体,具有完全有序的结构,但不具有晶体平移周期性。晶体特征表现为:有固定的几何外形,有固定的熔点,具有各向异性的性能。75.太阳能电池工作原理光电效应指光照射到金属材料表面,金属内的自由电子吸收了光子的能量,脱离金属束缚,成为真空中自由电子。脱离金属束缚的自由电子在外加电压的作用下移动到金属阳极,
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