光伏产业链流程及工艺设备

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1、e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、制备绒面、磷扩散、周边刻蚀、制作电极、制作减反射膜、烧结、测试分档切方、滚磨、切片系统集成与应用扩散炉、等离子体刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉、PECVD、快速烧结炉、丝网印刷机和自动检测分档设备剖锭机、多线切割机、清洗设备、检测设备坩埚喷涂线、坩埚烧结线及清洗装置、铸锭炉电解制氢装

2、置、氯化氢合成炉、三氯氢硅合成炉/精馏塔/还原炉、四氯化硅氢化炉、冷冻机组等蓄电池，充电器，控制器，转换器，记录仪，逆变器，监视器，支架系统，追踪系统，太阳电缆等单晶炉切方/割机、滚磨机、锯床玻璃清洗设备、结线/焊接设备，层压设备等太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备也基本相同，但工艺加工精度低于集成电路芯片的制造要求晶体硅太阳能电池的制造工艺流程：（1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去

3、30－50um。（3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。（4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。（5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。（6）去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。（7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。（8）制作减反射膜：为了减

4、少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2，SiO2，Al2O3，SiO，Si3N4，TiO2，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。（9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。太阳能电池组件生产工艺1、电池检测——2、正面焊接—检验—3、背面串接—检验—4、敷设（玻璃清洗、材料切割、玻璃预处理、敷设）——5、层压——6、去毛边（去边、清洗）——7、装边框（涂胶、装角键、冲孔、装框、擦洗余

5、胶）——8、焊接接线盒——9、高压测试——10、组件测试—外观检验—11、包装入库太阳能光伏生产设备：（1）硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线，铸锭炉，坩埚，生长炉，其他相关设备；（2）硅片晶圆生产设备：全套生产线，切割设备，清洗设备，检测设备，其他相关设备；（3）电池生产设备：全套生产线，蚀刻设备，清洗设备，扩散炉，覆膜设备/沉积炉，丝网印刷机，其他炉设备，测试仪和分选机，其他相关设备；（4）电池板、组件生产设备：全套生产线，测试设备，玻璃清洗设备，结线/焊接设备，层压设备等；（5）薄膜电池版生产设备：非晶硅电池，

6、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS,镉碲薄膜电池CdTe,染料敏化电池DSSC生产技术及研究设备；☆光伏电池：光伏电池生产商，电池组件生产商，电池组件安装商；☆光伏相关零部件：蓄电池，充电器，控制器，转换器，记录仪，逆变器，监视器，支架系统，追踪系统，太阳电缆等；☆光伏原材料：硅料，硅锭/硅块，硅片，封装玻璃，封装薄膜，其他原料；☆太阳能光电应用产品：太阳能路灯、草坪灯、庭院灯、航标灯、信号灯、交通警示灯等各类太阳能灯具、太阳能电子产品；☆光伏工程及系统：光伏系统集成，太阳能空气调节系统，农村光伏发电系统、太阳能检测及

7、控制系统、太阳能取暖系统工程、太阳能光伏工程程序控制和工程管理及软件编制系统；☆太阳能热利用产品：太阳能外墙、太阳能集热器技术和系统及其它太阳能热利用产品。1、硅片切割，材料准备：工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）。2、去除损伤层：硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造

8、过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。3、制绒：制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀