武夷学院13级模电期中试题+答案

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1、.武夷学院期中考试试卷级专业一、单选题（20%）1、N型半导体（c）。A：带正电B：带负电C：呈中性2、在常温下，流过二极管的正向电流与其两端的外加电压（b）。A：几乎无关B：近似按指数规律上升C：线性关系3、P沟道增强型MOS管的开启电压为（b）。A：大于0B：小于0C：等于04、采用图解法分析基本放大器的静态特性时，必须画出晶体管特性曲线和（a），所求两者之交点即为Q点。A：直流负载线B：交流负载线C：转移特性曲线5、在测量二极管反向电阻时，若用手把管脚捏紧，电阻值将会B。A．变大B.变小C.不变化6、在共射组态基本放大电路中，用示波器观察输出电压与输入电压的波形，它们应

2、该C。A.相同B.不相同C.反相7、用万用表测得电路中三极管各电极对地的直流电压电位分别如（a）、(b)所示，试判断这些三极管分别处于哪种工作状态。（a）。A.(a)发射结短路，(b)放大B.(a)集电结开路，(b)截止C.(a)放大，(b)集电极开路D.(a)集截止，(b)饱和8、场效应管漏极电流由（a）的漂移运动形成。A：多子B：少子C：两种载流子9、某场效应管的转移特性如图１所示，该管为(D)。　　　A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管10、在NPN组成的共射基本放大电路中，当输入为正弦波时，输出电压波形出现了底

3、部失真，这种失真是B。A.截止失真B.饱和失真C.频率失真二、填空1.纯净的半导体单晶体称为__本征半导体__，它有两种载流子，即带_正_电的__空穴_和带_负__电的__自由电子_。由于两者___电量____相等、____极性_____相反，所以半导体呈电中性。2.根据掺入杂质的性质不同，可以分为__P__型半导体和__N__型半导体。如果掺入杂质是磷元素，将形成__N__型半导体，其中多子是___自由电子___。3.PN结的伏安特性方程式为I＝____I＝__________。4.半导体三极管具有放大作用的外部条件是：发射结必须_正偏_、集电结必须____反偏____。5

4、.半导体三极管的结构特点是发射区__掺杂浓度_高，基区_很薄_且掺杂浓度低，集电结面积大。6.电压放大器的输出信号波形不仅与静态工作点位置有关，还与_输入信号幅度_和__负载大小_有关。7.射极输出器电压放大倍数≈1，所以它无放大作用，但有电流放大作用8.在基本放大电路中，若阻值增大，则将减少，将增大。9.在下图所示的放大电路中，各参数的数值已标注在图上，现测得=3OμA，=1.5mA。若更换一只β=100的管子，则=30μA，=3mA。三、简答题（6%）1、三极管导通的内部和外部条件是什么？答：内部导通条件：发射区浓度高，基区浓度低且薄，集电结面积大于发射结面积。外部导通条

5、件：发射结正偏，集电结反偏。2、图示电路中，二极管为理想二极管，请写出UAO两端的电压值。RR3V6VD1AD2O0VD2两端压差大，d2先导通UAO=0V四、计算题（50%）1.放大电路及元件参数如图所示，三极管选用3DG105，50。（15%）(1)分别计算RL开路和RL=4.7KΩ时的电压放大倍数Au；(2)如果考虑信号源的内阻RS＝500Ω，RL＝4.7KΩ时，求电压放大倍数AUs。答案：（1）先画出直流通路：如图（A）所示，微变等效电路：如图（B）所示(A)(B)已知则：=500.04=2=2大于说明Q点在晶体管的放大区当RL开路时当RL=4.7时（2）输入电阻信号

6、源的内阻RS＝500Ω，RL＝4.7KΩ时2.放大电路如图所示，三极管UBE＝0.7V，80。（15%）(1)求静态工作点；(2)画出微变等效电路；(3)求电路电压放大倍数和输入输出电阻。答案：（1）画出直流通路(A)，微变等效电路(B)(A)(B)(2)，，，3．在图所示共源放大器中，JFET的参数为：IDSS＝4.5mA，VP＝－3V，rds可忽略不计。试求：（1）静态工作点VGS、ID和VDS；（2）电压增益AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro。（20%）答案：3、计算题3、[解]（1）V联立设mA（mA舍去{VGS=3-2*4.5=-6

7、足，即放大区条件）（2）（ms）