利用随机方法研究纳米化对纯锌点蚀行为的影响

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1、第21卷第2期腐蚀科学与防护技术VoI.21No.22009年3月CORROSIONSCIENCEANDPROTECTIONTECHNOLOGYMar.2009利用随机方法研究纳米化对纯锌点蚀行为的影响张磊,孟国哲一,张涛,邵亚薇,王福会1.哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院腐蚀与防护实验室,哈尔滨150001;2.中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室,沈阳110016摘要:选择柠檬酸型镀液,用脉冲电镀法成功制备纳米锌镀层;并用电化学法和随机法等研究纳米化对纯锌点蚀行为的影响.结果表明:纳米锌和铸态锌的点蚀击破电位均服从正态分布;纳米化增加了纯锌点蚀击破电位对电位扫描速度的敏

2、感性,使纯锌的点蚀产生类型由B1(paralle1)型转为B2(series)型,并能抑制纯锌的点蚀生长.关键词:随机方法;纳米化;锌;点蚀中图分类号:TGI72.6文献标识码:A文章编号:1002-6495(2009)02-0152-03STUDYoFEFFECToFNANoCRYSTALLIZATIoNoNPITTINGCORROSIoNoFZINCBYSTATISTICALMETHoDZHANGLei.MENGGuo.zhell,ZHANGTaol',SHAOYa—wei,WANGFu.hui1.CorrosionandProtectionLaboratory,Collegeo厂Ma

3、terialScienceandChemicalEngineering,HarbinEngineeringUniversity,Harbin,150001;2.StateKeyLaboratoryforCorrosionandProtection,Instituteo厂MetalResearch,ChineseAcademvo厂Sciences,Shenyang,110016Abstract:Pulsee1ectrodepositi0nwasusedtodepositnanocrystalline(NC)zinccoatingonA3steelfromacitricacidbath.The

4、grainsizeandpreferentialorientationofgrainsofthecoatingsweredeterminedbyX-raydiffraction.PittingcorrosionbehavioroftheNCzinccoatingwasinvestigatedbyusingpotentiostaticandpotentiodynamicpolarizationmethodsin0.5moULNaC1(pH=12)solution.Pittingcorrosionbehav—iorwascharacterizedbypittingpotential,pitti

5、nginitiationtimeaswellasthestablepitgrowthrate,whichwasanalyzedbystatisticalmethod.Theresultsshowthatananocrystallinezinc(21.5am)coatinghasbeenprepared.ThedistributionofEpIobeyedthenormalprobabilitydistribution.Nanoerystallizationin·creasedthesensitivityofEpitrefertopotentialsweepvelocity.Nanoerys

6、tallizationchangedthetypeofthepitgenerationfromB1(paralle1)toB2(series),acceleratedthepitgenerationandinhibitsthestablepitgrowthrate.Keywords:statisticalmethod;nanocrystallization;zinc;pittingcorrosion纳米材料因其独特的性状与性能已成为众多研究这关板,阳极采用纯度为99.99%的锌块.注的热点,尤其对其腐蚀行为的研究。.金属的点蚀是一选用柠檬酸型镀液,具体成分为(L):加一40氯化锌,种随机过

7、程,许多研究者已经成功的将随机理论运用到粗晶180~240氯化铵,30~50柠檬酸,1—1.5聚乙二醇,1—1.5硫材料腐蚀行为的研究中.本文通过脉冲电镀的方法制得纳脲,表面活性剂适量.经试验确定脉冲电镀参数:平均电流密米锌镀层,并通过x射线电子衍射标定其晶粒尺寸;运用随度0.8A/dm,占空比10%,脉宽100txs,室温下电镀1h.机理论并通过电化学方法研究纳米化对纯锌在0.5moL/LXRD用日本理学公司生产的Ri

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