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1、ETCH何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。蚀刻种类:答：(1)干蚀刻(2)湿蚀刻蚀刻对象依薄膜种类可分为:答：poly,oxide,metal半导体中一般金属导线材质为何?答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)何谓dielectric蚀刻(介电质蚀刻)?答：Oxideetchandnitrideetch半导体中一般介电质材质为何?答：氧化硅/氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除何谓电浆Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散
2、光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻?答：利用plasma将不要的薄膜去除何谓Under-etching(蚀刻不足)?答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留何谓Over-etching(过蚀刻)答：蚀刻过多造成底层被破坏何谓Etchrate(蚀刻速率)答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度何谓Seasoning(陈化处理)答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。Asher的主要用途:答：光阻去除Wetbenchdryer功用为何?答：将晶圆表面的水份去除列举目前Wetbenchdry方法
3、:答：(1)SpinDryer(2)Marangonidry(3)IPAVaporDry何谓SpinDryer答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓MaragoniDryer答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除何谓IPAVaporDryer答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除测Particle时,使用何种测量仪器?答：TencorSurfscan测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?答：膜厚计,测量膜厚差值何谓AEI答：AfterEtchingInspection蚀刻后的检查AEI目检Wafer须检查哪些项目:答：(1)正面颜色是否异常及刮伤(2)有无缺角及Particle
4、(3)刻号是否正确金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?答：清机防止金属污染问题金属蚀刻机台asher的功用为何?答：去光阻及防止腐蚀金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?答：因为金属线会溶于硫酸中"HotPlate"机台是什幺用途?答：烘烤HotPlate烘烤温度为何?答：90~120度C何种气体为PolyETCH主要使用气体?答：Cl2,HBr,HCl用于Al金属蚀刻的主要气体为答：Cl2,BCl3用于W金属蚀刻的主要气体为答：SF6何种气体为oxidevia/contactETCH主要使用气体?答：C4F8,C5F8,C4F6硫酸槽的化学成份为:答：H2SO4/H2O2AM
5、P槽的化学成份为:答：NH4OH/H2O2/H2OUVcuring是什幺用途?答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度"UVcuring"用于何种层次?答：金属层何谓EMO?答：机台紧急开关EMO作用为何?答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?答：(1)警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2)机械手臂危险.严禁打开此门(3)化学药剂危险.严禁打开此门遇化学溶液泄漏时应如何处置?答：严禁以手去测试漏出之液体.应以酸碱试纸测试.并寻找泄漏管路.遇IPA槽着火时应如何处置??答：立即关闭IPA输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组BOE槽
6、之主成份为何?答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).BOE为那三个英文字缩写?答：BufferedOxideEtcher。有毒气体之阀柜(VMB)功用为何?答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出电浆的频率一般13.56MHz,为何不用其它频率?答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz,13.56MHz,2.54GHz等何谓ESC(electricalstaticchuck)答：利用静电吸附的原理,将Wafer固定在极板(Substrate)上Asher主要气体为答：O2Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何?答：温度简述T
7、URBOPUMP原理答：利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR热交换器(HEATEXCHANGER)之功用为何？答：将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地简述BACKSIDEHELIUMCOOLING之原理？答：藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化ORIENTER之用途为何？ 答：搜寻notch边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题简述EPD之功用答：侦测蚀刻终点;Endpointdetector利用波长侦测
