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时间:2019-08-06
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1、上海交通大学考研最后三套模拟题——827材料科学基础目录上海交通大学2014硕士研究生入学考试模拟试题(一)1上海交通大学2014硕士研究生入学考试模拟试题(二)6上海交通大学2014硕士研究生入学考试模拟试题(三)10模拟试题(一)参考答案13模拟试题(二)参考答案15模拟试题(三)参考答案17上海交通大学2014硕士研究生入学考试模拟试题(一)考试科目:材料科学基础科目代码:827适用专业:材料学院所有专业(不含塑性学院,具体以2014年招生简章为准)(答案必须写在答题纸上)一、单选题(每题3分,共75分)1、高分子链
2、的几何形态是由所决定的。A、主链结构B、单体分子的官能度C、交联度2、在四方晶体中[100]晶向是。A、2次对称轴B、4次对称轴C、3次对称轴3、下列都属于面心立方点阵结构的是。A、CaF2、闪锌矿B、NaCl、纤锌矿C、CsCl、金红石4、若在MgF2中溶入LiF则在晶体中最可能出现的缺陷是。A、间隙Li+离子B、Mg2+离子空位C、F-离子空位5、晶体宏观对称元素6等同于。A、3+iB、3C、3+m6、两个互相平行的螺型位错和刃型位错之间。A、引力作用B、斥力作用C、不发生作用7、对于菲克第一定律,下列描述正确的是。A
3、、描述了一种非稳态扩散B、质量浓度不随距离而变化C、质量浓度不随时间而变化8、下列扩散机制中,扩散激活能最小的是。A、置换扩散B、自扩散C、间隙扩散9、体心立方有滑移系。A、12B、24C、4810、对于层错能较高的的金属和合金,在其变形过程中,更容易出现。A、胞状结构B、位错塞积群C、位错较为均匀分布的复杂网络11、变形金属中储能绝大部分用于形成。A、宏观残余应力B、微观残余应力C、点阵畸变12、在晶粒长大过程中,下列描述正确的是。A、平均晶粒直径随保温时间的平方而增大B、第二项粒子尺寸越小,极限的晶粒平均直径越大C、第
4、二项粒子所占体积分数越大,极限的晶粒平均直径越小13、蠕变寿命和总的伸长主要决定于蠕变曲线的。A、瞬态或减速蠕变阶段B、稳态蠕变阶段C、加速蠕变阶段14、在单元相图的P-T相图内,当低温相向高温相转变时体积膨胀,则根据Clausius-Clapeyron方程dP/dT。A、大于0B、小于0C、等于015、均匀形核过程中,相变驱动力是。A、体积应变能变化B、表面自由能变化C、体积自由能变化16、铸锭凝固过程中,结晶潜热只能通过固相而散出,则界面生长形态不可能是。A、台阶状B、平面状C、树枝晶17、下列不能达到细化晶粒效果的是
5、。A、增加过冷度B、静置C、加入形核剂18、高分子熔融过程中,熔点。A、随晶片厚度的增大而增大B、随晶片厚度的增大而减小C、与晶片厚度无关19、发生调幅分解必须满足的条件是。A、dG/dx>0B、dG/dx<0C、d2G/dx2>0D、d2G/dx2<020、关于区域熔炼的说法错误的是。A、区域熔炼提纯效果优于正常凝固B、区域熔炼方程可用于多次熔炼后的溶质分布C、区域熔炼方程不能用于最后一个熔区21、关于G、R和w0对固溶体晶体生长形态影响正确的是。A、G越大,越倾向于平滑界面B、R越小,越倾向于等轴树枝晶C、w0越大,越
6、倾向于平滑界面22、铸件凝固时,表面“冒汗”是的明显征兆A、正常偏析B、反偏析C、比重偏析23、关于三元相图的垂直截面图说法正确的是。A、可以表示相浓度随时间变化的关系B、可以了解冷凝过程中的相变温度C、可以通过直线法来确定两相的质量分数24、对于二级相变的描述正确的是。A、二级相变时,熵不变B、二级相变时,必定压热容不变C、二级相变时,压缩系数不变25、导带中的电子数目远超过价带中的空穴数,这种半导体是。A、本征半导体B、n-型非本征半导体C、p-型非本征半导体二、综合题(每题3分,共75分)1.指出下面四个图中A、B、
7、C、D所代表的晶向和晶面xyzABCD1/21/23/4xyz3/41/43/21/21/2ABC1/2a1a2a3ABca1a2a3cACCB2/32、wc=0.1%的铁碳合金在拉伸中,一种情况是在拉伸出现塑性变形后去载,立即再加载;另一种情况是去载后时效再加载。试解释前者无屈服现象后者有屈服现象的原因。3、欲将一批齿轮进行渗碳,每炉装500件,在900℃渗碳10h可以达到规定深度。假定在900℃渗碳每炉每小时成本1000元,而在1000℃渗碳为1500元,请问在哪一个温度下渗碳成本更低?(已知Q=32900cal/mo
8、l,R=1.987cal/mol,1cal=4.1868J)4、推导液相中均匀形成边长为a的立方晶核的临界形核功△G*和临界尺寸a*的表达式。5、组元A和B在液态完全互溶,但在固态互不溶解,当组元B质量分数为63%时合金在1040℃形成中间化合物。(1)试写出中间化合物的分子式;(2)试求w(B)为20
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