《模拟电子技术》练习题答案

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1、《模拟电子技术》练习题班级：___________姓名：____________学号____________第一到第三章一、填空题。1.在本征半导体中，电子浓度_=__空穴浓度；在P型半导体中，电子浓度__<___空穴浓度；在N型半导体中，电子浓度_>__空穴浓度(=,<,>)。2.晶体管有___2__个PN结，___3____个工作区。3.晶体管从结构上可分成__NPN______和__PNP_______两种类型。4.三极管用来放大时，应使发射结处于__正向_偏置，集电结处于__反向_偏置。5.一只工作在放大状态的三极管，管脚1对

2、地的电压为+3V，管脚2对地的电压为+6V，管脚3对地的电压为+3.7V，这只三极管是_NPN_型三极管，是由__硅材料制成的，管脚1为__E__极，管脚2为__C_极，管脚3为__B_极。6.三极管的输出特性曲线一般分为三个工作区，即：__放大___区、___截止___区、_____饱和____区。7.在共射极电流放大电路中，若静态工作点Q位置选得过高，将引起______饱和____失真，反之Q点位置选得偏低，易引起____截止______失真。8.放大器的输入电阻越____大________，就能从前级电压信号源获得较大的信号，输

3、出电阻越______小_____，放大器带负载能力越强。9.差分放大电路对共模信号的抑制能力，可用____共模抑制比__来表征。它定义为放大电路对__差模________放大倍数与对___共模________放大倍数之比___绝对值______。10.某三极管的极限参数PCM=100mW，ICM=100mA,U(BR)CEO=20V,若其工作电压UCE=10V，则工作电流IC不得超过___10__mA；若工作电流IC=2mA，则工作电压UCE不得超过__20___V。二、选择填空。1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于＿C＿。

4、A、温度。B、掺杂工艺。C、杂质浓度。D、半导体材料。2.正常情况下稳压管工作在___C___。A、放大区B、饱和区C、反向击穿区D、截止区3.在基本共射放大电路中,消除饱和失真应＿D＿。A、减小基极电阻RB。B、增大集电极电阻RC。C、改换β大的管子。D、增大基极电阻RB。4.三种基本组态放大电路A、共射放大电路.B、共基放大电路.C、共集放大电路.（1）输入电阻最大是__C____。（2）频带最宽的是___B___。（3）带负载能力强的是___C___。5.用直流电压表测量电路中的一只NPN型三极管，测得各电极对地电位为：VB=4

5、.7V,VC=4.3V,VE=4V,可判断该三极管工作在（B）状态。A、截止B、饱和C、放大6.检查放大器中的三极管是否进入饱和区，最简便的方法是测量（D）。A、IBB、VBEC、ICD、VCE7.多级放大器的总电压放大倍数AV等于各级电压放大器的放大倍数之（B）A、和B、积C、差D、商8.在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗为（C）。A、1WB、0.5WC、0.2WD、0.1W9.乙类互补对称电路会出现失真,它是D。A.截止失真B.饱和失真C.非线性失真D.交越失真三、判断题。1.本征半导体温

6、度升高后两种载流子浓度仍然相等。（√）51.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素获得。（×）1．3.P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×）4.稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为稳定电压UZ。（×）5.利用一只NPN型管和PNP型管构成的复合管只能等效为NPN型管。（×）6．用模拟式万用表判断二极管的极性；若测得二极管的电阻很小，则与万用表的红表笔相接的电极是二极管的负极，与黑表笔相接的是二极管的正极。（√）7.用万用表欧姆档测量二极管的正向电阻，用R×1Ω档测出的电阻值和用R×100Ω档测出的电阻值不相同，说明这个

7、二极管的性能不稳定。（×）8.发射结处于正向偏置的三极管，一定是工作在放大状态。（×）9.三极管的β值越大，放大能力越强，故选用三极管时β值越大越好。（×）10.OTL功率放大器采用单电源供电。（√）11.在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的管耗愈大。（×）12.单级共发射极放大电路兼有放大和同相作用。（×）13．信号产生电路用于产生一定频率和幅度的信号，所以信号产生电路工作时不需要接入直流电源。（×）四、分析题1.试判断各三极管分别工作在放大区、截止区还是饱和区。(a)(b)(c)(d)（a）放大(b)截止(c)饱和(c)放大2

8、.下面所示电路，设二极管具有理想特性，试判断各二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压UAO。(a)(b)(c)(a)V1、V2截止，UAO=10V(b)V2优先导通，V1截止，UAO=-5V(c)V1截止，UAO=10